BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內部設計有異常過流檢測模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當CS電壓高于該閾值時，內部功率MOSFET即刻關斷并保持關斷狀態(tài)持續(xù)2個周期。芯片內部集成的過熱保護電路會檢測芯片的芯片結溫，當芯片結溫超過155度(典型值)時系統(tǒng)進入到自動重啟模式。良好的線性調整率和負載調整率，集成軟啟動電路。遼寧低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片價格
EN 引腳有一個內部上拉電流源，從而允許用戶保持EN 引腳懸空來使能芯片。另外根據(jù)實際應用需要，EN 引腳可以接在外部邏輯控制接口上以實現(xiàn)芯片的使能控制。EN 引腳內部集成了一個5V 的穩(wěn)壓二極管(典型的擊穿電壓為6.9V) 以保護內部電路受到過壓風險。在將EN 引腳外接到高于6V的電壓比如VIN 電壓時，串聯(lián)加入上拉電阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引腳的輸入電流，防止損壞齊納二極管。芯片內部集成了紋波注入電路來模擬輸出電壓紋波從而實現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內部還集成了一個斜坡信號產(chǎn)生電路，以減少開關抖動。江西AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片加工PWM控制電路、**的過零檢測電 路以及各種保護電路，用以實現(xiàn)臨界導通驅動控制。
PCB設計對芯片的穩(wěn)定可靠工作至關重要，請遵循以下指南設計以獲得比較好的電路工作性能：1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應該盡可能短和寬以減小回路壓降，提高轉換效率。3.SW節(jié)點的電壓波形為高頻方波，適當減小SW節(jié)點的鋪銅可以改善EMI性能，另一方面適當增大SW節(jié)點的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能，可根據(jù)實際情況適當折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠離噪聲源，比如SW節(jié)點和BST節(jié)點。5.輸出電壓VOUT的采樣點靠近輸出電容末端放置，且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設計中，推薦為GND引腳設置一個完整的GND層，并在GND層和芯片層間增加足夠多的過孔。
高效率低功耗30V降壓DCDC電源芯片，30V3A，500kHz同步降壓轉換器KP52330X是一款簡單易用高效率的同步降壓直流/直流轉換器，它具有4.5V至30V的寬輸入電壓范圍，能夠驅動高達3A的負載電流，非常適合用于12V和24V等常見的輸入電源軌。KP523302輕載下工作在脈沖頻率調制模式(PFM)以維持高輕載效率；KP523308輕載下工作在強制脈寬調制模式(FPWM)以實現(xiàn)全負載電流下固定的開關頻率和低輸出紋波。通過集成MOSFET并采用TSOT23-6封裝，該器件可實現(xiàn)高功率密度，并且在印刷電路板(PCB)上的占用空間非常小。采用具有內部補償?shù)姆逯惦娏髂Ｊ娇刂萍軜?，用于維持穩(wěn)定運行和超小的輸出電容。借助EN精密使能功能，可對器件啟動和關斷進行精確控制。內置有完善的保護功能：輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過壓保護(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(VOUTUVP)，和過溫保護(OTP)，以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運行。當 CS 電壓高于該閾值時，內部功率MOSFET 即刻關 斷并保持關斷狀態(tài)持續(xù)3 個PWM 周期.。
40V低功耗降壓DCDC電源芯片，40V,1A易用高性能同步降壓轉換器KP52140X(A)是一款簡單易用的同步降壓直流/直流轉換器，能夠驅動高達1A的負載電流。它具有6V至40V的寬輸入范圍，因此適用于工業(yè)領域中非穩(wěn)壓電源的電源調節(jié)。KP52140X(A)內部集成低導通電阻的P型高側MOSFET和N型低側MOSFET，省掉了外部自舉電容和肖特基二極管。在內部實現(xiàn)了軟啟動和補償電路減少了**元器件的數(shù)量，固定5V或3.3V的輸出方式可進一步減少**元器件數(shù)量，從而輕松實現(xiàn)單層PCB布局。KP52140X(A)典型開關頻率為100kHz，采用低開關速率設計適用于有EMI要求的應用場合。KP52140X(A)內置有完善的保護功能：輸入過壓保護(VINOVP)、輸入欠壓鎖定(UVLO)、逐周期電流限制(OCL)、輸出過壓保護(VOUTOVP)、輸出欠壓保護(VOUTUVP)，和過溫保護(OTP)，以確保其在不同的工作條件下保持安全、可靠運行。KP52140X(A)采用TSOT23-5和TSOT23-6封裝，可節(jié)約布局空間。芯片采用管腳復用技術，內部差分采樣電路采樣 VDD 管腳與CS 管腳之間的壓差作為內部過流比較 器的輸入。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片樣品
。內置開關頻率限制 （16kHz-125kHz），可以有效抑制音頻噪聲和降 低開關損耗。遼寧低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片價格
輸出電容選擇：對于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格，輸出電容根據(jù)實際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負載選擇：需在空載輸出電壓和待機損耗上折中：即過大的假負載可以壓制空載輸出上飄電壓，但系統(tǒng)待機損耗也隨之加大；而過小的假負載則反之。一般而言，芯片系統(tǒng)推薦假負載阻值范圍在1-2k范圍內(隨輸出電壓調整)，假負載損耗控制在10-15mW左右即可。內集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能，當芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。遼寧低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片價格
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