降壓非隔離電源芯片220V轉(zhuǎn)5V，KP320X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、逐周期電流限制(OCP)、輸出過壓保護(hù)(OVP)、FB異常保護(hù)、過載保護(hù)(OLP)和過熱保護(hù)等(OTP)。主要特點(diǎn)?固定5V輸出?集成650V高壓MOSFET和高壓啟動電路?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?待機(jī)功耗低于100mW?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(hù)(OVP)?FB異常保護(hù)?異常過流保護(hù)(AOCP)?過熱保護(hù)(OTP)?封裝類型SOP-8電感電流的大小由過流保護(hù)門限決定，控 制器工作在臨界導(dǎo)通模式下，加快了輸出電容充電 速度。四川低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片資料

主要特點(diǎn)?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?默認(rèn)12V輸出(FB腳懸空)?待機(jī)功耗<50mW?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(hù)(OVP)?VDD過壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)?封裝類型SOP-8，可以滿足客戶不同電壓需求：220V交流轉(zhuǎn)12V，220V交流轉(zhuǎn)5V，220V交流轉(zhuǎn)15V，220V交流轉(zhuǎn)24V。四川低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片資料優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力。

220V交流降壓3.3V100mA電流，給藍(lán)牙提供穩(wěn)定的電壓及各種保護(hù)功能，KP35062是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP35062內(nèi)部無固定時鐘驅(qū)動MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。同時芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。

另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場景下，實際VIN 引腳上的電壓可能會由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓，從而過壓擊穿芯片。此時，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過壓的情況。非隔離降壓芯片低成本、線路簡潔、性能可靠。

設(shè)計在 4.5V 到 17V 范圍內(nèi)工作，BUCK 降壓變換器要求輸入電壓高于輸出電壓才能正常工作，建議比較大工作占空比為75%，則建議的**小輸入電壓為VOUT/0.75。芯片不允許輸出電壓高于輸入電壓，這種情況下輸出電壓通過高側(cè)功率體二極管向輸入電源放電，由此產(chǎn)生的反向電流可能導(dǎo)致不可預(yù)測的行為。如果有這種應(yīng)用條件出現(xiàn)，可以添加串聯(lián)二極管等方式以阻斷此反向電流。電感的選型關(guān)系到芯片方案的體積、成本、效率和暫態(tài)響應(yīng)性能。主要考慮電感的3 個關(guān)鍵參數(shù)：電感量(L)，電感飽和電流(ISAT) 和電感直流電阻(DCR)。在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓 MOSFET 不允許關(guān)斷。湖北AC高壓降5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片資料

可給藍(lán)牙芯片提供穩(wěn)定客戶的電壓。四川低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片資料

芯片在輕載條件下工作在FPWM 模式，從而允許低側(cè)MOSFET 通過反向電流。在FPWM 模式下，如果輸出端由于意外被連接到外部電源上，芯片可能工作在反向升壓模式，產(chǎn)生很高的反向電流以至損壞芯片。芯片 內(nèi)部集成低側(cè)MOSFET 電流檢測電路，當(dāng)檢測到低側(cè)MOSFET反向電流大于反向限流閾值(NOC) 時，立即關(guān)閉低側(cè)MOSFET，然后打開高側(cè)MOSFET 將輸出電感的能量泄放出去。此功能可以限制反向電流保持在NOC 閾值以上，從而保護(hù)低側(cè)MOSFET。另外，NOC 限流在**小關(guān)斷時間內(nèi)不生效。四川低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片資料

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