在輕載條件下工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM)，以保持開關(guān)頻率的恒定和維持低的輸出電壓紋波。當(dāng)HSF 處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，LSF 將在 10ns 后的死區(qū)時(shí)間后被強(qiáng)制打開，直到在下一個(gè)周期HSF 打開前關(guān)閉。這種工作模式不檢測電感電流過零點(diǎn)，允許電感電流通過LSF 的漏-源極從輸出電容流到開關(guān)節(jié)點(diǎn)，稱為反向電流。在這種情況下，開關(guān)頻率在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)幾乎保持恒定，實(shí)現(xiàn)低輕載輸出電壓波紋。低功耗DCDC降壓轉(zhuǎn)換器，低紋波，高效率，電路簡潔。芯片供電管腳，用于能量存儲(chǔ)，串接一電容到地后將輸入能 量傳遞至LDO 輸出級(jí)。上海低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片資料

PCB設(shè)計(jì)對(duì)芯片的穩(wěn)定可靠工作至關(guān)重要，請(qǐng)遵循以下指南設(shè)計(jì)以獲得比較好的電路工作性能：1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應(yīng)該盡可能短和寬以減小回路壓降，提高轉(zhuǎn)換效率。3.SW節(jié)點(diǎn)的電壓波形為高頻方波，適當(dāng)減小SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以改善EMI性能，另一方面適當(dāng)增大SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能，可根據(jù)實(shí)際情況適當(dāng)折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠(yuǎn)離噪聲源，比如SW節(jié)點(diǎn)和BST節(jié)點(diǎn)。5.輸出電壓VOUT的采樣點(diǎn)靠近輸出電容末端放置，且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設(shè)計(jì)中，推薦為GND引腳設(shè)置一個(gè)完整的GND層，并在GND層和芯片層間增加足夠多的過孔。中國臺(tái)灣AC高壓220V降30V非隔離BUCK電源芯片定制在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電 感電流峰值將上升過于劇烈。

如果輸出電容在芯片啟動(dòng)時(shí)已經(jīng)處于預(yù)偏置電壓狀態(tài)，芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動(dòng)開關(guān)，VOUT 開始上升。該預(yù)偏置軟啟動(dòng)方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(hù)(UVP) 功能，通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護(hù)閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%)，欠壓比較器的輸出將會(huì)置高，以關(guān)閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關(guān)管，阻止芯片繼續(xù)開關(guān)工作。

KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制(COT)策略。COT控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。在每個(gè)周期的開始，每當(dāng)反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓時(shí)，芯片內(nèi)置高側(cè)MOSFET(HSF)被打開，并且持續(xù)開通固定的導(dǎo)通時(shí)間后關(guān)閉，此開通時(shí)間由導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器確定。該導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器由輸出電壓和輸入電壓共同決定，以使開關(guān)頻率在全輸入電壓范圍內(nèi)保持接近恒定。當(dāng)導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器定時(shí)完畢后，HSF將會(huì)保持關(guān)閉至少200ns(**小關(guān)斷時(shí)間)。**小關(guān)斷時(shí)間后，如果反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓，則HSF將再次打開一個(gè)固定導(dǎo)通時(shí)間。芯片采用準(zhǔn)諧 振開關(guān)技術(shù)，可獲得優(yōu)越的EMI 性能和較高的系統(tǒng) 效率。

芯片BST 引腳和 SW 引腳間需要加入一顆陶瓷電容以穩(wěn)定支撐芯片內(nèi)部高側(cè)N-MOSFET 的驅(qū)動(dòng)電源。此處推薦使用不低于10V 耐壓的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷電容(0603 封裝)。采用 COT 控制架構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)超快的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能。在某些對(duì)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)要求更高的應(yīng)用條件下，還可以通過在輸出反饋分壓電阻上添加前饋電阻RFF 和電容CFF 來進(jìn)一步提升瞬態(tài)響應(yīng)性能?？紤]到噪聲耦合影響，推薦使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，實(shí)際RFF 和 CFF 為可選器件，推薦以實(shí)測負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和輸出調(diào)整率的結(jié)果優(yōu)化選取。為了降低系統(tǒng)損 耗，隨著負(fù)載的降低芯片會(huì)自動(dòng)降低峰值電流 基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。江蘇低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片技術(shù)支持

提升線性調(diào)整 率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。上海低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片資料

交流高壓AC220降壓12VDC電壓電源芯片，KP1505X高性能、低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP1505X內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP1505X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)和VDD過壓保護(hù)等。上海低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片資料

互勤(深圳)科技有限公司是一家經(jīng)營范圍包括一般經(jīng)營項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品、電子元器件、半導(dǎo)體芯片、系統(tǒng)集成的銷售；電池、電池管理系統(tǒng)、電子類板卡，PCBA、電子產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)支撐、研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷售。(法律、行政法規(guī)、決定規(guī)定在登記前須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目除外）的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠實(shí)可信的企業(yè)?；デ诳萍忌罡袠I(yè)多年，始終以客戶的需求為向?qū)?，為客戶提供高質(zhì)量的電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片?；デ诳萍际冀K以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念，影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功?；デ诳萍际冀K關(guān)注電子元器件行業(yè)。滿足市場需求，提高產(chǎn)品價(jià)值，是我們前行的力量。