光耦合器的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級(jí)與輸出級(jí)之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE(sat）。此外，在傳輸數(shù)字信號(hào)時(shí)還需考慮上升時(shí)間、下降時(shí)間、延遲時(shí)間和存儲(chǔ)時(shí)間等參數(shù)。電流傳輸比是光耦合器的重要參數(shù)，通常用直流電流傳輸比來表示。當(dāng)輸出電壓保持恒定時(shí)，它等于直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。使用光電耦合器主要是為了提供輸入電路和輸出電路間的隔離，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須遵循下列原則：所選用的光電耦合器件必須符合國(guó)內(nèi)和國(guó)際的有關(guān)隔離擊穿電壓的標(biāo)準(zhǔn)；由英國(guó)埃索柯姆（Isocom）公司、美國(guó)FAIRCHILD生產(chǎn)的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在國(guó)內(nèi)應(yīng)用地十分普遍?？梢杂糜趩纹瑱C(jī)的輸出隔離；所選用的光耦器件必須具有較高的耦合系數(shù)。 又由于光耦合器的輸入端屬于電流型工作的低阻元件，因而具有很強(qiáng)的共模抑制能力。山東IGBT DRIVE光耦群芯微代理資料

1.壓縮機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路主要由六個(gè)IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)，這里常用的柵極驅(qū)動(dòng)光耦：QX31XX，QX350、QX34x；壓縮機(jī)的保護(hù)電路主要用高速光耦把相信號(hào)反饋到CPU；常用到的高速光耦：QXM501、QXM511、QXW501、QX6N135、QX6N136；2.電機(jī)的工作常使用到可控硅光耦來驅(qū)動(dòng)運(yùn)行：常使用到的可控硅光耦：QX302、QX304X；3.線路板的設(shè)計(jì)在開關(guān)電路中對(duì)于電壓的采樣與反饋常用到晶體管輸出光耦：QX357、QX816、QX817、QX814；高速光耦QXM501、QXM511、QXW501、QX6N135、QX6N136：傳輸速度達(dá)1MBit/s以上;輸入和輸出之間的高隔離電壓(Viso=5000Vrms),傳播延時(shí)只有150ns左右,可以有效及時(shí)的把信號(hào)傳輸?shù)浇邮斩?柵極光耦:QX31XX，QX350、QX34x:**小共模抑制35kV/us,比較大峰值輸出電流2.5A,關(guān)斷時(shí)間小于0.4us，脈寬失真只有22ns左右;有效及時(shí)的驅(qū)動(dòng)大電流器件，信號(hào)不丟失。江西小體積光耦群芯微代理替代這種耦合的缺點(diǎn)是會(huì)在變壓器鐵芯片中損耗掉一部分功率，并可能造成某些失真。

智能功率模塊（IPM）由高速，低功耗的IGBT芯片和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)電路及多種保護(hù)電路集成在同一模塊內(nèi)。IPM的通態(tài)損耗和開關(guān)損耗都比較低，散熱器的尺寸小，故整個(gè)系統(tǒng)的尺寸更小。智能功率模塊接口光耦，內(nèi)置一個(gè)砷化鎵光電二極管和集成高增益光電探測(cè)器，具有較低的傳輸延遲時(shí)間及**小化脈沖失真寬度，從而有利于提升轉(zhuǎn)換電路效率，減少切換的死區(qū)時(shí)間。智能功率模塊接口光耦具有開路集電極輸出、反相和同相的圖騰柱配置。IPM控制輸入會(huì)隨著dv/dt的大小而變，所以用于直接驅(qū)動(dòng)的光耦要求共模抑制高于10KV/μs。在輸入和輸出電壓間增加屏蔽和將電流接地可改進(jìn)光耦的共模抑制。群芯可提供高于15KV/μs的共模抑制產(chǎn)品。***用于IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)、IPM隔離驅(qū)動(dòng)、交流/直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器、工業(yè)逆變器等。

群芯微電子有限公司目前的產(chǎn)品包括：晶體管光耦、高速光耦、高壓光耦、柵極驅(qū)動(dòng)光耦、光繼電器、MCU、電源管理芯片、MOSFET等產(chǎn)品，有自己的晶元封裝工廠，廣泛應(yīng)用于家電，工控，光伏儲(chǔ)能和新能源汽車。群芯微電子有著技術(shù)共享、平臺(tái)開放、合作創(chuàng)新、共同發(fā)展的經(jīng)營(yíng)理念，推進(jìn)各行業(yè)電子產(chǎn)品向高度智能化方向發(fā)展。在應(yīng)用上可以根據(jù)客戶的產(chǎn)品進(jìn)行功能定義、系統(tǒng)集成、技術(shù)創(chuàng)新，并提供方案參考。讓我們攜起手來，共建美好的未來!它具有體積小、壽命長(zhǎng)、無觸點(diǎn)，抗干擾能力強(qiáng)，輸出和輸入之間絕緣，單向傳輸信號(hào)等優(yōu)點(diǎn)。

采用一只光敏三極管的光耦合器，CTR的范圍大多為20%～300%（如4N35），而PC817則為80%～160%，達(dá)林頓型光耦合器（如4N30）可達(dá)100%～5000%。這表明欲獲得同樣的輸出電流，后者只需較小的輸入電流。因此，CTR參數(shù)與晶體管的hFE有某種相似之處。線性光耦合器與普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲線。普通光耦合器的CTR-IF特性曲線呈非線性，在IF較小時(shí)的非線性失真尤為嚴(yán)重，因此它不適合傳輸模擬信號(hào)。線性光耦合器的CTR-IF特性曲線具有良好的線性度，特別是在傳輸小信號(hào)時(shí)，其交流電流傳輸比（ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流電流傳輸比CTR值。因此，它適合傳輸模擬電壓或電流信號(hào)，能使輸出與輸入之間呈線性關(guān)系。這是其重要特性。必須遵循下列原則：所選用的光電耦合器件必須符合國(guó)際的有關(guān)隔離擊穿電壓的標(biāo)準(zhǔn)；由英國(guó)埃索柯姆（Isocom）公司、美國(guó)摩托羅拉公司生產(chǎn)的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器 而如果選用光電耦合器來代替音頻變壓器就可以克服上述這些缺點(diǎn)。OR-4N29型號(hào)光耦國(guó)產(chǎn)品牌替代

中國(guó)國(guó)內(nèi)有關(guān)單位投入大量人力物力也研究和開發(fā)了各種光電耦合器件。山東IGBT DRIVE光耦群芯微代理資料

柵極驅(qū)動(dòng)光耦包含一個(gè)GaAsPLED，LED光耦合到一個(gè)集成電路的功率輸出級(jí)。這些光耦比較適合驅(qū)動(dòng)功率IGBT和Mosfet的柵極，較高的輸出電壓能達(dá)到功率器件的柵級(jí)電壓驅(qū)動(dòng)要求。電壓和電流由這些光耦提供，使他們能直接驅(qū)動(dòng)高達(dá)1200V/100A的IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)光耦用于在控制電路和高壓之間提供增強(qiáng)的電絕緣。其抑制高共模噪聲的能力可防止在高頻開關(guān)期間功率半導(dǎo)體的誤動(dòng)作。其共模瞬態(tài)耐久性比較高等級(jí)為35kV/μs，可用于逆變器、伺服系統(tǒng)等噪聲環(huán)境惡劣的工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用。山東IGBT DRIVE光耦群芯微代理資料

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