激光器采用波長為355nm的紫外納秒激光器，激光器**大功率為40w，激光標(biāo)記范圍100mm*100mm。此激光器作用原理為多次重復(fù)作用在金屬表面，使金屬依次剝離，**后達到切割目的。該激光器尺寸精度高，熱影響區(qū)小。本實施例中，激光在激光焦點處與純銅發(fā)生作用，以螺旋圓運動軌跡沿著螺旋切割線將銅箔切割成螺旋狀銅線。表2銅箔規(guī)格與對應(yīng)的加工效果數(shù)據(jù)銅箔厚度(mm)線圈縫寬(mm)(4)切割后線圈平鋪在吸附冶具表面不會發(fā)生變形，連同冶具一并取出，依次經(jīng)過超聲波處理-烘干-烤漆絕緣-烘干-疊放后-覆成品包裝膜，加工完成?；谏鲜龇椒庸さ某潆娋€圈，本發(fā)明還提供了一種無線充電裝置，本發(fā)明的無線充電裝置充電轉(zhuǎn)化效率高。盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型，這些均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。光伏扁平線圈的匝數(shù)和線徑會影響到輸出電流和電壓的大小，需要根據(jù)實際需要來調(diào)整。深圳扁平線圈報價

polypropylene，聚丙烯)膜、pvdf(poly(vinylidenefluoride)，聚偏氟乙烯)膜、ptfe(polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)膜，以及玻璃膜和陶瓷膜等各類絕緣膜材，上述材料可以保證電絕緣性和機械強度。進一步地，在所述銅線圈層背離所述襯底的表面制備***絕緣層的步驟包括：利用雙組份膠在所述銅線圈層背離所述襯底的一面貼上***絕緣層；或者，采用熱貼合方式在所述銅線圈層背離所述襯底的一面貼上***絕緣層，且所述熱貼合的溫度小于或等于所述襯底的材料的tg。對于貼合過程，可采用常溫膠粘或熱貼合，本發(fā)明一實施例中，如圖1(c)所示，利用雙組份膠在所述銅線圈層1背離所述襯底2的一面貼上***絕緣層3，雙組份膠采用常溫膠粘方式可以實現(xiàn)，如常溫固化的環(huán)氧樹脂類、聚氨酯類或丙烯酸類的雙組份膠。本發(fā)明另一實施例中，推薦采用熱貼合方式在銅線圈層1背離襯底2的一面貼上***絕緣層3，且熱貼合的溫度小于或等于所述襯底2的材料的tg(玻璃化溫度)，例如石蠟的t**為65℃，堿溶樹脂的t**可以在40-200℃之間可選擇性廣，如熱固丙烯酸類樹脂，此時的熱貼合的溫度小于上述襯底材料的t**。進一步地，在真空條件下，采用熱貼合方式在銅線圈層1背離所述襯底2的一面貼上***絕緣層3。無錫電感線圈聯(lián)系人跑道型扁平線圈在電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用。

    d為所述螺旋切割線的線寬。進一步地，所述采用激光沿著螺旋切割線將銅箔切割成螺旋狀銅線的步驟之前還包括：將所述銅箔固定于治具上。進一步地，所述治具上設(shè)置有若干通向所述治具的上表面的吸附孔。進一步地，所述治具的上表面上設(shè)有螺旋線槽，所述螺旋線槽正對所述螺旋切割線。進一步地，所述螺旋線槽的寬度大于所述螺旋切割線的線寬。進一步地，所述螺旋線槽的寬度為(d+)mm，其中，d為所述螺旋切割線的線寬。進一步地，所述激光的參數(shù)為：波長355nm，功率為40w。一種無線充電裝置，包括充電線圈，所述充電線圈采用如上所述的方法制作而成。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于：本發(fā)明的充電線圈加工方法中，采用螺旋線行進軌跡替代傳統(tǒng)的線條軌跡進行激光切割加工，可以保證加工過程中線圈不同位置的反射性相同，切割出的銅線毛刺相對較少，線圈縫寬(即相鄰銅線間的間隙)更均勻，此外采用螺旋線加工的方式熱量累積少、效率更高。采用本發(fā)明的方法，可加工出縫寬精度為。附圖說明圖1是一種加工完成的螺旋狀銅線的示意圖。圖2是圖1的螺旋狀銅線的局部放大示意圖。圖3是本發(fā)明中激光的一種螺旋線行進軌跡示意圖。圖4是本發(fā)明的一種充電線圈加工方法示意圖。

    在操作過程中，線圈會發(fā)熱，需要進行冷卻以滿足使用壽命和/或產(chǎn)量的要求。致動器線圈的壽命與線圈的溫度直接相關(guān)。期望較冷的線圈來改善致動器壽命(減少灌封的熱應(yīng)力)和/或系統(tǒng)產(chǎn)量(增加的功率處理能力)和/或現(xiàn)有系統(tǒng)的重疊(減少的熱變形)。未來的設(shè)計將提出更高的散熱要求。因此，仍然需要提供表現(xiàn)出較低線圈溫度的扁平線圈。常規(guī)扁平線圈的熱性能通過經(jīng)由機加工或其它方法去除在線圈的扁平端上的導(dǎo)體的一些部分和電絕緣材料的外層來得到改善，這導(dǎo)致了截去端部的扁平線圈。這種線圈的橫截面在圖4示出?？梢钥闯?，絕緣材料310和導(dǎo)體中的一些部分已從線圈110的頂表面和底表面去除。絕緣材料的去除促進了線圈110在使用中產(chǎn)生的熱量的散發(fā)。層的去除消除了電導(dǎo)體與外部冷卻器之間的熱絕緣。這降低了線圈和線圈灌封的環(huán)氧樹脂的溫度。如果線圈是由傳統(tǒng)的扁平線圈機加工而成的，則能夠減小**終的厚度和平坦度公差。這允許減小灌封層的厚度，該灌封層的厚度通常用于吸收致動器組件中的公差。較薄的灌封也可改善冷卻效果。絕緣層的去除減小了致動器的總厚度，這導(dǎo)致了其它益處。這允許多個軛磁體更靠近在一起，從而減少了邊緣場。這提高了電機效率，因此需要的電流更少。光伏扁平線圈是一種專門用于光伏發(fā)電系統(tǒng)的線圈。

    該狹縫的尺寸可以通過放置在掩模之前的曝光狹縫來控制。掩模、物鏡布置和晶片220中的一個或更多個能夠在曝光期間相對于彼此移動，以橫跨曝光場掃描曝光窗口。曝光場是在曝光狹縫或窗口的一次掃描中被曝光的晶片220的區(qū)域。本實施例還可以使用下列方面進行描述：1.一種具有扁平線的實質(zhì)上平坦的線圈，所述扁平線包括：導(dǎo)體，具有實質(zhì)上矩形的橫截面，且具有***對側(cè)邊和第二對側(cè)邊，所述***對側(cè)邊定向成實質(zhì)上垂直于所述線圈的平面，所述第二對側(cè)邊定向成實質(zhì)上平行于所述線圈的平面；和電絕緣材料，在所述***對側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個上，所述第二對側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個沒有任何電絕緣材料。2.根據(jù)方面1所述的實質(zhì)上平坦的線圈，其中，所述線圈實質(zhì)上為圓形。3.根據(jù)方面1所述的實質(zhì)上平坦的線圈，其中，所述線圈具有跑道形狀。4.根據(jù)方面1所述的實質(zhì)上平坦的線圈，其中，在***對側(cè)邊的兩個側(cè)邊上電絕緣材料。5.根據(jù)方面1所述的實質(zhì)上平坦的線圈，其中，在第二對側(cè)邊的兩個側(cè)邊上沒有電絕緣材料。6.一種致動器，包括：永磁體；和具有扁平線的實質(zhì)上平坦的線圈，所述扁平線包括：導(dǎo)體，具有實質(zhì)上矩形的橫截面，并具有***對側(cè)邊和第二對側(cè)邊。無線充線圈的制造過程需要嚴格的質(zhì)量控制和測試，以確保其性能和安全性符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和要求。深圳扁平線圈報價

立繞扁平線圈的制造需要使用專業(yè)的繞線機和模具，繞制完成后需要進行熱處理和浸漆等工藝處理。深圳扁平線圈報價

    和從所述實質(zhì)上平坦的***表面的至少一部分去除所述電絕緣材料?？梢灾辽俨糠滞ㄟ^機加工執(zhí)行所述去除步驟。可以至少部分通過單點飛切執(zhí)行所述去除步驟。可以至少部分通過銑削執(zhí)行所述去除步驟。所述方法可以包括在所述去除步驟之后的附加步驟：去除所述導(dǎo)體中的一些部分以調(diào)節(jié)所述線圈的電學(xué)屬性。所述電學(xué)屬性可以是電阻。所述方法可以包括在所述去除步驟之后的附加步驟：測量所述線圈的電阻。所述方法可以包括在所述去除步驟之后的附加步驟：測量所述線圈的q因子。根據(jù)另一方面，公開了一種制造線圈的方法，包括如下步驟：提供導(dǎo)電材料的片材；用電絕緣材料的層覆蓋所述片材的至少一側(cè)；卷繞所述片材和層以形成卷；和橫向于所述卷的長度切割所述卷以形成線圈。本發(fā)明的另外的實施例、特征和優(yōu)點以及各個實施例的結(jié)構(gòu)和操作將參考隨附附圖在下文更詳細地進行描述。附圖說明附圖并入本文中并構(gòu)成說明書的部分，并且通過舉例但決不是限制的方式圖示了本發(fā)明的實施例的方法和系統(tǒng)。所述附圖和詳細描述一起進一步用來解釋本文所呈現(xiàn)的方法和系統(tǒng)的原理，以使得相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人能夠?qū)嵤┖褪褂帽疚乃尸F(xiàn)的方法和系統(tǒng)。在附圖中，相似的附圖標(biāo)記表示相同的或功能類似的元件。深圳扁平線圈報價