而本發(fā)明實(shí)施例的單層線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈的制備，就是在一層銅箔上展開(kāi)。該銅箔01的厚度為60-150μm，可推薦110-130μm，更推薦120-130μm，這樣可以產(chǎn)生實(shí)際需要的內(nèi)阻值。在步驟s02中，如圖1(b)所示，在銅箔01的一表面制備襯底2，在銅箔01的另一表面制備圖案，即將銅箔01形成于襯底2上，然后在銅箔01背離襯底2的表面雕刻圖案使銅箔01形成銅線(xiàn)圈層1，所述銅線(xiàn)圈層1形成有內(nèi)焊盤(pán)11和外焊盤(pán)12；銅線(xiàn)圈層1的內(nèi)焊盤(pán)11和外焊盤(pán)12俯視圖如圖1(b)’所示。內(nèi)焊盤(pán)11可以簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)pad，外焊盤(pán)12可以簡(jiǎn)稱(chēng)外pad，焊盤(pán)是可以用焊接或者簡(jiǎn)單接觸的方式實(shí)現(xiàn)與外部其他電路連接的接觸區(qū)，由于需要操作，所以有一定的操作面積，易于接觸導(dǎo)通。上述步驟中，襯底2的材料采用可溶材料或可熔材料，如選自蠟、堿溶性樹(shù)脂和水溶性樹(shù)脂中的至少一種。對(duì)于石蠟，可在100℃以下完全融化，并有較低的粘度；對(duì)于堿溶性樹(shù)脂，選自含有羧基或磺酸基的樹(shù)脂，如酯化或酰胺化的聚苯丁樹(shù)脂，或uv(紫外光固化)油墨；對(duì)于水溶性樹(shù)脂，可以選自rinseout樹(shù)脂，從環(huán)循利用和成本考慮，本發(fā)明實(shí)施例的襯底材料推薦可熔材料如石蠟。在銅箔01的一表面制備襯底2的方法，可以為高溫?zé)釅阂r底。立繞線(xiàn)圈的匝數(shù)和線(xiàn)徑可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要進(jìn)行調(diào)整，以實(shí)現(xiàn)不同的電感和電阻等性能參數(shù)。四川線(xiàn)圈來(lái)料加工

    d為所述螺旋切割線(xiàn)的線(xiàn)寬。進(jìn)一步地，所述采用激光沿著螺旋切割線(xiàn)將銅箔切割成螺旋狀銅線(xiàn)的步驟之前還包括：將所述銅箔固定于治具上。進(jìn)一步地，所述治具上設(shè)置有若干通向所述治具的上表面的吸附孔。進(jìn)一步地，所述治具的上表面上設(shè)有螺旋線(xiàn)槽，所述螺旋線(xiàn)槽正對(duì)所述螺旋切割線(xiàn)。進(jìn)一步地，所述螺旋線(xiàn)槽的寬度大于所述螺旋切割線(xiàn)的線(xiàn)寬。進(jìn)一步地，所述螺旋線(xiàn)槽的寬度為(d+)mm，其中，d為所述螺旋切割線(xiàn)的線(xiàn)寬。進(jìn)一步地，所述激光的參數(shù)為：波長(zhǎng)355nm，功率為40w。一種無(wú)線(xiàn)充電裝置，包括充電線(xiàn)圈，所述充電線(xiàn)圈采用如上所述的方法制作而成。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于：本發(fā)明的充電線(xiàn)圈加工方法中，采用螺旋線(xiàn)行進(jìn)軌跡替代傳統(tǒng)的線(xiàn)條軌跡進(jìn)行激光切割加工，可以保證加工過(guò)程中線(xiàn)圈不同位置的反射性相同，切割出的銅線(xiàn)毛刺相對(duì)較少，線(xiàn)圈縫寬(即相鄰銅線(xiàn)間的間隙)更均勻，此外采用螺旋線(xiàn)加工的方式熱量累積少、效率更高。采用本發(fā)明的方法，可加工出縫寬精度為。附圖說(shuō)明圖1是一種加工完成的螺旋狀銅線(xiàn)的示意圖。圖2是圖1的螺旋狀銅線(xiàn)的局部放大示意圖。圖3是本發(fā)明中激光的一種螺旋線(xiàn)行進(jìn)軌跡示意圖。圖4是本發(fā)明的一種充電線(xiàn)圈加工方法示意圖。貴港扁平線(xiàn)圈耐高溫線(xiàn)圈的設(shè)計(jì)需要考慮線(xiàn)圈的材料、形狀、尺寸和匝數(shù)等因素。

    即相鄰銅線(xiàn)間的間隙)更均勻，此外采用螺旋線(xiàn)加工的方式熱量累積少、效率更高。采用本發(fā)明的方法，可加工出縫寬精度為。進(jìn)一步地，為了防止加工完成的充電線(xiàn)圈受力變形，導(dǎo)致線(xiàn)圈部分地方相連而影響充電效率，可以在加工過(guò)程中，采用治具對(duì)銅箔/充電線(xiàn)圈進(jìn)行固定。具體的，可以在治具上設(shè)置若干通向治具的上表面(銅箔的承載面)的吸附孔，通過(guò)對(duì)吸附孔抽氣實(shí)現(xiàn)對(duì)銅箔/充電線(xiàn)圈的固定。還可以在治具的上表面上設(shè)置螺旋線(xiàn)槽，螺旋線(xiàn)槽正對(duì)螺旋切割線(xiàn)2，較佳的是，螺旋線(xiàn)槽的寬度略大于螺旋切割線(xiàn)的線(xiàn)寬，例如，螺旋線(xiàn)槽的寬度為(d+)mm，其中，d為螺旋切割線(xiàn)的線(xiàn)寬?；谏鲜鰧?shí)施方式，一種更為詳細(xì)的充電線(xiàn)圈加工方法包括如下步驟：(1)導(dǎo)入螺旋切割線(xiàn)圖檔至精密激光標(biāo)記設(shè)備中，并且將激光的螺旋線(xiàn)行進(jìn)軌跡設(shè)置為螺旋圓，螺旋圓直徑為d+，其中“d”為線(xiàn)圈縫寬，可以確保減少毛刺。對(duì)精密激光標(biāo)記設(shè)備的加工參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，具體設(shè)置如下：表1精密激光標(biāo)記設(shè)備的加工參數(shù)設(shè)置實(shí)例(2)將治具安裝在加工平臺(tái)上，然后將沖壓好的銅箔放置于治具上，打開(kāi)吸附裝置，使治具的吸附孔將銅箔吸附固定。(3)開(kāi)啟激光設(shè)備，調(diào)整激光焦距到合適位置，并進(jìn)行激光切割。其中。

    5v的電壓罷了】然后用從煙盒里面取下來(lái)的錫紙包裹著這種插頭的充電器不要使用這種是美國(guó)資本主義的充電器與國(guó)內(nèi)的插座不兼容，用多了你懂的用錫紙包裹著兩邊都是白線(xiàn)是連電腦的所以不管綠色的接地線(xiàn)必須刪掉像這樣發(fā)射端多一些銅線(xiàn)接收端少一點(diǎn)ps錫紙包好不要讓銅線(xiàn)和電線(xiàn)直接接觸。讓其形成一個(gè)電容記住銅離子有毒記得洗手用工業(yè)膠帶纏好，記住銅線(xiàn)不要直接接觸否則后果自負(fù)大功告成。***用固體膠或者熱熔膠把磁鐵綁在充電器上即可，一個(gè)無(wú)線(xiàn)充電器做好了總結(jié)幾點(diǎn)失敗原因1.銅線(xiàn)纏繞必須一氣呵成2.充電線(xiàn)選擇錯(cuò)誤這個(gè)有電信號(hào)輻射危險(xiǎn)長(zhǎng)期使用會(huì)導(dǎo)致**。測(cè)試是否成功可以拿熒光燈放在旁邊看看是否亮起來(lái)了。膠帶不宜過(guò)多。這個(gè)東西充電效率低2小時(shí)只充百分之5。跑道型扁平線(xiàn)圈在電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用。

    所述線(xiàn)圈具有實(shí)質(zhì)上平坦的***表面和實(shí)質(zhì)上平坦的第二表面；和從所述實(shí)質(zhì)上平坦的***表面的至少一部分去除所述電絕緣材料。9.根據(jù)方面8所述的方法，其中，至少部分通過(guò)機(jī)加工執(zhí)行所述去除步驟。10.根據(jù)方面8所述的方法，其中，至少部分通過(guò)單點(diǎn)飛切執(zhí)行所述去除步驟。11.根據(jù)方面8所述的方法，其中，至少部分通過(guò)銑削執(zhí)行所述去除步驟。12.根據(jù)方面8所述的方法，還包括在所述去除步驟之后的如下步驟：去除所述導(dǎo)體中的一些部分以調(diào)節(jié)所述線(xiàn)圈的電學(xué)屬性。13.根據(jù)方面10所述的方法，其中，所述電學(xué)屬性是電阻。14.根據(jù)方面8所述的方法，還包括在所述去除步驟之后的如下步驟：測(cè)量所述線(xiàn)圈的電阻。15.根據(jù)方面8所述的方法，還包括在所述去除步驟之后的如下步驟：測(cè)量所述線(xiàn)圈的q因子。16.一種制造線(xiàn)圈的方法，包括以下步驟：提供導(dǎo)電材料的片材；用電絕緣材料的層覆蓋所述片材的至少一面；卷繞所述片材和層以形成卷；和橫向于所述卷的長(zhǎng)度切割所述卷以形成線(xiàn)圈。以上描述包括多個(gè)實(shí)施例的示例。當(dāng)然，為了描述前述實(shí)施例的目的，不可能描述部件或方法的每種可設(shè)想的組合，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到，各種實(shí)施例的許多進(jìn)一步的組合和置換是可能的。因此。在使用鋁線(xiàn)圈時(shí)，需要注意避免過(guò)熱和過(guò)載，以免造成線(xiàn)圈損壞或火災(zāi)事故。四川線(xiàn)圈來(lái)料加工

光伏扁平線(xiàn)圈通常由銅線(xiàn)或鋁線(xiàn)制成，線(xiàn)圈的形狀和尺寸根據(jù)實(shí)際需要而異。四川線(xiàn)圈來(lái)料加工

    所述***對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上垂直于所述線(xiàn)圈的平面，所述第二對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上平行于所述線(xiàn)圈的平面；和電絕緣材料，在所述***對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)上，所述第二對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)沒(méi)有任何電絕緣材料，所述永磁體和線(xiàn)圈布置成使得當(dāng)充足幅值的電流流過(guò)所述線(xiàn)圈時(shí)在所述永磁體和線(xiàn)圈之間形成力。7.一種在光刻設(shè)備中用于定位掩模版或晶片的平臺(tái)，所述平臺(tái)包括：臺(tái)；和致動(dòng)器，機(jī)械耦接至所述臺(tái)，所述致動(dòng)器包括永磁體和具有扁平線(xiàn)的實(shí)質(zhì)上平坦的線(xiàn)圈，所述扁平線(xiàn)包括：導(dǎo)體，具有實(shí)質(zhì)上矩形的橫截面，且具有***對(duì)側(cè)邊和第二對(duì)側(cè)邊，所述***對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上垂直于所述線(xiàn)圈的平面，所述第二對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上平行于所述線(xiàn)圈的平面；和在所述***對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)上的電絕緣材料，所述第二對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)沒(méi)有任何電絕緣材料，所述永磁體和線(xiàn)圈布置成使得當(dāng)充足幅值的電流流過(guò)所述線(xiàn)圈時(shí)在所述永磁體和線(xiàn)圈之間形成力。8.一種制造線(xiàn)圈的方法，包括以下步驟：提供一長(zhǎng)度的扁平線(xiàn)，所述扁平線(xiàn)包括具有實(shí)質(zhì)上矩形的橫截面的導(dǎo)體，用電絕緣材料覆蓋所述導(dǎo)體；將所述長(zhǎng)度的扁平線(xiàn)卷繞成實(shí)質(zhì)上平坦的線(xiàn)圈。四川線(xiàn)圈來(lái)料加工