在操作過程中，線圈會(huì)發(fā)熱，需要進(jìn)行冷卻以滿足使用壽命和/或產(chǎn)量的要求。致動(dòng)器線圈的壽命與線圈的溫度直接相關(guān)。期望較冷的線圈來改善致動(dòng)器壽命(減少灌封的熱應(yīng)力)和/或系統(tǒng)產(chǎn)量(增加的功率處理能力)和/或現(xiàn)有系統(tǒng)的重疊(減少的熱變形)。未來的設(shè)計(jì)將提出更高的散熱要求。因此，仍然需要提供表現(xiàn)出較低線圈溫度的扁平線圈。常規(guī)扁平線圈的熱性能通過經(jīng)由機(jī)加工或其它方法去除在線圈的扁平端上的導(dǎo)體的一些部分和電絕緣材料的外層來得到改善，這導(dǎo)致了截去端部的扁平線圈。這種線圈的橫截面在圖4示出?？梢钥闯?，絕緣材料310和導(dǎo)體中的一些部分已從線圈110的頂表面和底表面去除。絕緣材料的去除促進(jìn)了線圈110在使用中產(chǎn)生的熱量的散發(fā)。層的去除消除了電導(dǎo)體與外部冷卻器之間的熱絕緣。這降低了線圈和線圈灌封的環(huán)氧樹脂的溫度。如果線圈是由傳統(tǒng)的扁平線圈機(jī)加工而成的，則能夠減小**終的厚度和平坦度公差。這允許減小灌封層的厚度，該灌封層的厚度通常用于吸收致動(dòng)器組件中的公差。較薄的灌封也可改善冷卻效果。絕緣層的去除減小了致動(dòng)器的總厚度，這導(dǎo)致了其它益處。這允許多個(gè)軛磁體更靠近在一起，從而減少了邊緣場。這提高了電機(jī)效率，因此需要的電流更少。無線充線圈由高導(dǎo)磁材料和導(dǎo)線制成，根據(jù)不同的充電標(biāo)準(zhǔn)和功率需求，線圈的匝數(shù)、形狀和尺寸也會(huì)有所不同。重慶線圈質(zhì)量優(yōu)秀
而本發(fā)明實(shí)施例的單層線圈結(jié)構(gòu)的無線充電線圈的制備，就是在一層銅箔上展開。該銅箔01的厚度為60-150μm，可推薦110-130μm，更推薦120-130μm，這樣可以產(chǎn)生實(shí)際需要的內(nèi)阻值。在步驟s02中，如圖1(b)所示，在銅箔01的一表面制備襯底2，在銅箔01的另一表面制備圖案，即將銅箔01形成于襯底2上，然后在銅箔01背離襯底2的表面雕刻圖案使銅箔01形成銅線圈層1，所述銅線圈層1形成有內(nèi)焊盤11和外焊盤12；銅線圈層1的內(nèi)焊盤11和外焊盤12俯視圖如圖1(b)’所示。內(nèi)焊盤11可以簡稱內(nèi)pad，外焊盤12可以簡稱外pad，焊盤是可以用焊接或者簡單接觸的方式實(shí)現(xiàn)與外部其他電路連接的接觸區(qū)，由于需要操作，所以有一定的操作面積，易于接觸導(dǎo)通。上述步驟中，襯底2的材料采用可溶材料或可熔材料，如選自蠟、堿溶性樹脂和水溶性樹脂中的至少一種。對(duì)于石蠟，可在100℃以下完全融化，并有較低的粘度；對(duì)于堿溶性樹脂，選自含有羧基或磺酸基的樹脂，如酯化或酰胺化的聚苯丁樹脂，或uv(紫外光固化)油墨；對(duì)于水溶性樹脂，可以選自rinseout樹脂，從環(huán)循利用和成本考慮，本發(fā)明實(shí)施例的襯底材料推薦可熔材料如石蠟。在銅箔01的一表面制備襯底2的方法，可以為高溫?zé)釅阂r底。中山變壓器線圈立繞扁平線圈的制造需要嚴(yán)格的質(zhì)量控制和性能測試，以確保其穩(wěn)定性和可靠性。
和在所述***對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)上的電絕緣材料，所述第二對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)沒有任何電絕緣材料，所述永磁體和線圈布置成使得當(dāng)充足幅值或足夠大幅值的電流流過所述線圈時(shí)在所述永磁體和線圈之間形成力。根據(jù)另一方面，公開了光刻設(shè)備中的用于定位掩模版或晶片的平臺(tái)，所述平臺(tái)包括臺(tái)和機(jī)械耦接至所述臺(tái)的致動(dòng)器，所述致動(dòng)器包括永磁體和具有扁平線的實(shí)質(zhì)上平坦的線圈，所述扁平線包括：導(dǎo)體，具有實(shí)質(zhì)上矩形的橫截面，且具有***對(duì)側(cè)邊和第二對(duì)側(cè)邊，所述***對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上垂直于所述線圈的平面，所述第二對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上平行于所述線圈的平面；和在所述***對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)上的電絕緣材料，所述第二對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)沒有任何電絕緣材料，所述永磁體和線圈布置成使得當(dāng)充足幅值的電流流過所述線圈時(shí)在所述永磁體和線圈之間形成力。根據(jù)另一方面，公開了一種制造線圈的方法，包括以下步驟：提供一長度的扁平線，所述扁平線包括具有實(shí)質(zhì)上矩形的橫截面的導(dǎo)體，用電絕緣材料覆蓋所述導(dǎo)體；將所述長度的扁平線卷繞成實(shí)質(zhì)上平坦的線圈，所述線圈具有實(shí)質(zhì)上平坦的***表面和實(shí)質(zhì)上平坦的第二表面。
具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例**用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明提供的一種充電線圈加工方法包括步驟：采用激光沿著螺旋切割線將銅箔切割成螺旋狀銅線；其中，切割過程中，所述激光以螺旋線行進(jìn)軌跡沿著所述螺旋切割線運(yùn)動(dòng)。為了便于理解本發(fā)明的技術(shù)方案，需要對(duì)螺旋切割線和激光的螺旋線行進(jìn)軌跡分別進(jìn)行解釋說明。圖1為加工完成的充電線圈示意圖，圖2為局部放大示意圖，相鄰銅線1之間的間隙為螺旋切割線2。圖3為激光的一種螺旋線行進(jìn)軌跡，圖中的行進(jìn)軌跡為螺旋圓，較佳地，所述螺旋圓的直徑大于等于(d+)mm，其中，d為所述螺旋切割線的線寬。還可以采用螺旋橢圓或其他的平滑的螺旋線代替，激光加工前，可以根據(jù)需要在激光加工設(shè)備上對(duì)螺旋線的形狀進(jìn)行編程設(shè)定，本發(fā)明不作限定。本發(fā)明中激光按照螺旋線行進(jìn)軌跡運(yùn)動(dòng)，沿著螺旋切割線2對(duì)銅箔進(jìn)行切割，如圖4所示，得到充電線圈。采用螺旋線行進(jìn)軌跡替代傳統(tǒng)的線條軌跡進(jìn)行激光切割加工，可以保證加工過程中線圈不同位置的反射性相同，切割出的銅線毛刺相對(duì)較少，線圈縫寬。立繞線圈在電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用，它可以作為電感器、變壓器、濾波器等組件使用。
盡管這可能會(huì)導(dǎo)致線圈的厚度發(fā)生變化。扁平線圈的頂部和底部通常會(huì)表現(xiàn)出絕緣材料的犬牙形卷邊，這能影響繞組品質(zhì)。截去端部去除了所述卷邊，所以繞組品質(zhì)可以得到改善。修改常規(guī)的扁平線圈的替代例是使線具有未絕緣的頂表面和/或底表面。應(yīng)該注意的是，在線圈卷繞期間中，線上的粘合劑層可能會(huì)在裸線上擠出。這會(huì)增加隔熱性(和溫度)，并可能增加零件公差。修改常規(guī)的扁平線圈的另一種替代例是使用“果凍卷(jellyroll)”過程。箔片材的一面或兩面覆蓋有絕緣材料和粘結(jié)層，卷繞成“果凍卷”，加熱以固化粘結(jié)層，然后切成所期望厚度的線圈?？梢孕薷膯蝹€(gè)線圈或已經(jīng)粘結(jié)成疊層的線圈。單個(gè)線圈可以在一個(gè)側(cè)面或兩個(gè)側(cè)面上進(jìn)行修改。存在幾種方法可以用于去除絕緣材料。例如，單點(diǎn)飛切可用于修改扁平銅線線圈。也可以使用表面研磨。也可以使用銑削。術(shù)語“機(jī)加工”旨在涵蓋這些方法中的至少任何一種。電阻測量能夠用于檢測繞組之間是否存在短路。替代地或附加地，線圈的品質(zhì)因數(shù)(電感l(wèi)與電阻r的比率)能被測量以獲得更準(zhǔn)確的確定?？梢允褂媒厝ザ瞬康谋馄骄€圈和結(jié)合有截去端部的扁平線圈的致動(dòng)器，例如以在光刻系統(tǒng)中定位晶片平臺(tái)或掩模版平臺(tái)。參考圖5。無線充線圈以提高充電效率和穩(wěn)定性，降低成本和提升充電安全性。重慶線圈質(zhì)量優(yōu)秀
跑道型扁平線圈由扁平的銅線或鋁線繞制而成，線圈的匝數(shù)和尺寸可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要進(jìn)行調(diào)整。重慶線圈質(zhì)量優(yōu)秀
光刻系統(tǒng)200包括照射系統(tǒng)230。照射系統(tǒng)230包括光源205，光源205產(chǎn)生脈沖光束210，并將脈沖光束210引導(dǎo)至對(duì)晶片220上的微電子特征進(jìn)行圖案化的光刻曝光設(shè)備或掃描儀215。晶片220放置在晶片臺(tái)222上，晶片臺(tái)222構(gòu)造成保持晶片220并連接到定位器，該定位器配置成根據(jù)某些參數(shù)準(zhǔn)確地定位晶片220。光束210也被引導(dǎo)通過束準(zhǔn)備系統(tǒng)212，束準(zhǔn)備系統(tǒng)212能夠包括修改光束210的多個(gè)方面的光學(xué)元件。例如，束準(zhǔn)備系統(tǒng)212能夠包括反射或折射光學(xué)元件、光脈沖展寬器和光學(xué)光闌(包括自動(dòng)遮蔽件)。光譜特征選擇系統(tǒng)250基于控制系統(tǒng)185的輸入來微調(diào)光源205的光譜輸出。光刻系統(tǒng)200使用具有例如在深紫外線(duv)范圍或極紫外線(euv)范圍內(nèi)的波長的光束210。光刻系統(tǒng)100還包括測量(或量測)系統(tǒng)270和控制系統(tǒng)185。量測系統(tǒng)270測量光束的一個(gè)或更多個(gè)光譜特征(諸如帶寬和/或波長)。量測系統(tǒng)270推薦地包括多個(gè)傳感器。量測系統(tǒng)270接收被從束分離裝置260改變方向的光束210的一部分，所述束分離裝置260放置在光源205和掃描儀215之間的路徑中。束分離裝置260將光束210的***部分引導(dǎo)至量測系統(tǒng)270中，將光束210的第二部分朝向掃描儀215引導(dǎo)。在一些實(shí)施方式中。重慶線圈質(zhì)量優(yōu)秀