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山東震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-10-20

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的,我們的客戶非常關(guān)注此工位測(cè)試的嚴(yán)謹(jǐn)性,硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要控制“信號(hào)弱”,“易掉話”,“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”,“不能接聽(tīng)”等不良機(jī)流向市場(chǎng)。一般模擬用戶環(huán)境對(duì)設(shè)備EMC干擾的方法與實(shí)際使用環(huán)境存在較大差異,所以“信號(hào)類”返修量一直占有較大的比例??梢?jiàn),硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)年P(guān)鍵崗位,在利用金機(jī)調(diào)好衰減(即線損)之后,功率無(wú)法通過(guò)的,必須進(jìn)行維修,而不能隨意的更改線損使其通過(guò)測(cè)試,因?yàn)楸容^可能此類機(jī)型在開(kāi)機(jī)界面顯示滿格信號(hào)而在使用過(guò)程中出現(xiàn)“掉話”的現(xiàn)象,給設(shè)備質(zhì)量和信譽(yù)帶來(lái)負(fù)面影響。以上是整機(jī)耦合的原理和測(cè)試存在的意義,也就是設(shè)備主板在FT測(cè)試之后,還要進(jìn)行組裝硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的原因。下面再說(shuō)一說(shuō)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)過(guò)程中常見(jiàn)的異常問(wèn)題和處理思路。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):體積小。山東震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)

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硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試站包含自動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)客戶端程序,其程序流程如下:首先向自動(dòng)耦合臺(tái)發(fā)送耦合請(qǐng)求信息,并且信息包括待耦合芯片的通道號(hào),然后根據(jù)自動(dòng)耦合臺(tái)返回的相應(yīng)反饋信息進(jìn)入自動(dòng)耦合等待掛起,直到收到自動(dòng)耦合臺(tái)的耦合結(jié)束信息后向服務(wù)器發(fā)送測(cè)試請(qǐng)求信息,以進(jìn)行光芯片自動(dòng)指標(biāo)測(cè)試。自動(dòng)耦合臺(tái)包含輸入端、輸出端與中間軸三部分,其中輸入端與輸出端都是X、Y、Z三維電傳式自動(dòng)反饋微調(diào)架,精度可達(dá)50nm,滿足光芯片耦合精度要求。特別的,為監(jiān)控調(diào)光耦合功率,完成自動(dòng)化耦合過(guò)程,測(cè)試站應(yīng)連接一個(gè)PD光電二極管,以實(shí)時(shí)獲取當(dāng)前光功率。河南收發(fā)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)公司硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):功耗低。

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只要在確認(rèn)耦合不過(guò)的前提下,可依次排除B殼天線、KB板和同軸線的故障進(jìn)行維修。若以上一一排除,則是主板參數(shù)校準(zhǔn)的問(wèn)題,或者說(shuō)是主板硬件存在故障。耦合天線的種類比較多,有塔式、平板式、套筒式,常用的是自動(dòng)硅光芯片硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)。為防止外部環(huán)境的電磁干擾搭載屏蔽箱,來(lái)提高耦合直通率。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的,我們的客戶非常關(guān)注此工位測(cè)試的嚴(yán)謹(jǐn)性,硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要控制“信號(hào)弱”,“易掉話”,“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”,“不能接聽(tīng)”等不良機(jī)流向市場(chǎng)。一般模擬用戶環(huán)境對(duì)設(shè)備EMC干擾的方法與實(shí)際使用環(huán)境存在較大差異,所以“信號(hào)類”返修量一直占有較大的比例??梢?jiàn),硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)年P(guān)鍵崗位。

在光芯片領(lǐng)域,芯片耦合封裝問(wèn)題是硅光芯片實(shí)用化過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題,芯片性能的測(cè)試也是尤其重要的一個(gè)步驟,現(xiàn)有的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動(dòng)微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光,并依靠對(duì)輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控,再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測(cè)試則是將測(cè)試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起,形成一個(gè)測(cè)試站。具體的,所有的測(cè)試設(shè)備通過(guò)光纖,設(shè)備連接線等連接成一個(gè)測(cè)試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過(guò)光纖連接到光功率計(jì),就可以測(cè)試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過(guò)光線連接到光譜儀,就可以測(cè)試光芯片的光譜等。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:接口和集成方便。

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硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光陣列微調(diào)設(shè)備,微調(diào)設(shè)備包括有垂直設(shè)置的第1角度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)與第二角度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),微調(diào)設(shè)備可帶動(dòng)設(shè)置于微調(diào)設(shè)備上的硅光陣列在垂直的兩個(gè)方向?qū)崿F(xiàn)角度微調(diào)。本發(fā)明還提供一種光子芯片測(cè)試系統(tǒng)硅光陣列耦合設(shè)備,包括有微調(diào)設(shè)備以及與微調(diào)設(shè)備固定連接的位移臺(tái),位移臺(tái)可實(shí)現(xiàn)對(duì)探針卡進(jìn)行空間上三個(gè)方向的位置調(diào)整。基于光子芯片測(cè)試系統(tǒng)硅光陣列耦合方法,可使得硅光陣列良好的對(duì)準(zhǔn)到芯片端面的光柵區(qū)間,從而使得測(cè)試過(guò)程更加穩(wěn)定,結(jié)果更加準(zhǔn)確。芯片耦合封裝問(wèn)題是光子芯片實(shí)用化過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題。山東震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:可以并行執(zhí)行多個(gè)操作。山東震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)

基于設(shè)計(jì)版圖對(duì)硅光芯片進(jìn)行光耦合測(cè)試的方法及系統(tǒng),該方法包括:讀取并解析設(shè)計(jì)版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇?cái)?shù)據(jù),驅(qū)動(dòng)左側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第1測(cè)試點(diǎn),獲取與第1測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第1選中信息,驅(qū)動(dòng)右側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第二測(cè)試點(diǎn),獲取與第二測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第三選中信息,通過(guò)測(cè)試點(diǎn)圖形與測(cè)試點(diǎn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測(cè)試點(diǎn)的坐標(biāo),以驅(qū)動(dòng)左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測(cè)試點(diǎn),進(jìn)行光耦合測(cè)試;該系統(tǒng)包括上位機(jī),電機(jī)控制器,電機(jī),夾持載臺(tái)及相機(jī)等;本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)單,耗時(shí)短,對(duì)用戶依賴程度低等優(yōu)點(diǎn),能夠極大提高硅光芯片光耦合測(cè)試的便利性。山東震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)