南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)可為客戶提供芯片測(cè)試服務(wù)。在微波測(cè)試、直流測(cè)試、光電測(cè)試、微結(jié)構(gòu)表征分析等方面，都能夠提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)解析。熱特性測(cè)試也是研究院的專業(yè)領(lǐng)域，研究院通過(guò)嚴(yán)格的實(shí)驗(yàn)流程和先進(jìn)的設(shè)備，確保結(jié)果的準(zhǔn)確性。研究院的公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)為客戶提供了一站式的解決方案，滿足了半導(dǎo)體領(lǐng)域不同芯片的測(cè)試需求。研究院的目標(biāo)是通過(guò)持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)服務(wù)的不斷提升，為客戶提供更加優(yōu)良的服務(wù)，為推動(dòng)芯片技術(shù)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司擁有先進(jìn)的硅基氮化鎵產(chǎn)品開(kāi)發(fā)技術(shù)。重慶碳納米管器件及電路芯片流片

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)服務(wù)，可進(jìn)行以下先進(jìn)集成材料制備和研發(fā)：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質(zhì)晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質(zhì)晶圓，用于低損耗光學(xué)平臺(tái)；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺(tái)；4)Miro-Cavity-SOI，內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環(huán)柵GAA，MEMS等器件平臺(tái)；5)SionSiC/Diamond，解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質(zhì)晶圓定制研發(fā)。黑龍江金剛石器件及電路芯片設(shè)計(jì)南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)可以提供微組裝服務(wù)。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供光電器件及電路技術(shù)開(kāi)發(fā)。研究院擁有先進(jìn)的光電器件及電路制備工藝，能夠?yàn)榭蛻籼峁┒ㄖ苹募夹g(shù)開(kāi)發(fā)方案和工藝加工服務(wù)。公司致力于研發(fā)光電集成芯片，以應(yīng)對(duì)新體制微波光子雷達(dá)和光通信等領(lǐng)域的發(fā)展需求。在此領(lǐng)域，光芯片、器件與模塊將為通信網(wǎng)絡(luò)和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用提供強(qiáng)有力的支撐。無(wú)論是在技術(shù)研發(fā)上，還是在工藝制備上，研究院都秉持著高標(biāo)準(zhǔn)和嚴(yán)謹(jǐn)精神。通過(guò)不斷創(chuàng)新和努力奮斗，研究院將不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)水平，以滿足客戶的需求。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產(chǎn)品具有耐功率、高速等優(yōu)勢(shì)，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達(dá)600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無(wú)線輸能或遠(yuǎn)距離無(wú)線充電，可大幅提高整流功率和效率，實(shí)現(xiàn)裝置的小型化；用于太赫茲系統(tǒng)，可提高太赫茲固態(tài)源輸出功率，實(shí)現(xiàn)太赫茲源小型化，為6G通信等未來(lái)應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的高功率密度熱源產(chǎn)品由熱源管芯和熱源集成外殼組成，并采用了先進(jìn)的厚金技術(shù)。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進(jìn)行金錫等焊料集成，也滿足與外殼集成后，在任意熱沉進(jìn)行機(jī)械集成。這種靈活的設(shè)計(jì)使得熱源可以根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制，尺寸可以進(jìn)行調(diào)整。這款高功率密度熱源產(chǎn)品適用于微系統(tǒng)或微電子領(lǐng)域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術(shù)開(kāi)發(fā)。同時(shí)，它還可以對(duì)熱管理技術(shù)進(jìn)行定量的表征和評(píng)估。公司可以根據(jù)客戶的需求，設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)各種熱源微結(jié)構(gòu)及其功率密度。這款產(chǎn)品不僅具有高功率密度，還具有良好的可定制性和適應(yīng)性。芯谷高頻研究院的太赫茲測(cè)試能力，能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)500GHz的電路功率測(cè)試和噪聲測(cè)試。青海熱源芯片流片

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南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的CVD用固態(tài)微波功率源產(chǎn)品具有以下特點(diǎn)：采用第三代氮化鎵半導(dǎo)體，具有高頻率一致性和穩(wěn)定性, 且具有集成度高，尺寸小、壽命高等特性；可直接與各類射頻CVD設(shè)備直接集成，應(yīng)用于金剛石等材料的生長(zhǎng)；可設(shè)計(jì)與研制不同工作模式的氮化鎵基固態(tài)微波功率源，滿足各類射頻CVD設(shè)備對(duì)高可靠、高集成、高微波特性的技術(shù)需求，提升CVD設(shè)備的穩(wěn)定性；主要用于各類射頻CVD設(shè)備，為其提供微波功率，可擴(kuò)展應(yīng)用為微波消毒、微波醫(yī)療等領(lǐng)域；本公司可依據(jù)客戶要求進(jìn)行各類微波功率大小和功率頻率的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，相對(duì)傳統(tǒng)微波功率源具有性能高、穩(wěn)定性好的特性。重慶碳納米管器件及電路芯片流片