南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司具備光電芯片測試的實力和經(jīng)驗，能夠提供光電集成芯片在片耦合測試、集成微波光子芯片測試等專業(yè)服務(wù)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司擁有先進(jìn)的測試設(shè)備和設(shè)施，能夠高效準(zhǔn)確地完成各種測試任務(wù)。公司的研發(fā)團(tuán)隊不斷追求技術(shù)進(jìn)步，以提高測試的精度和效率。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司致力于為客戶提供高質(zhì)量的測試服務(wù)，為光電芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展提供有力支持。芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產(chǎn)品，可為客戶定制化開發(fā)各種熱源微結(jié)構(gòu)及功率密度。遼寧化合物半導(dǎo)體芯片加工

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司提供InGaAs太赫茲零偏SBD技術(shù)開發(fā)服務(wù)，該芯片具備低勢壘高度與高截止頻率的特點，支持零偏壓毫米波、太赫茲混頻、檢波電路的應(yīng)用。這有助于降低電路噪聲、提高電路動態(tài)范圍，并簡化系統(tǒng)架構(gòu)。在太赫茲安檢和探測等應(yīng)用場景中，零偏太赫茲檢波模塊扮演著至關(guān)重要的角色。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司致力于為客戶提供專業(yè)的技術(shù)解決方案，涵蓋整個技術(shù)開發(fā)周期，包括需求分析、方案設(shè)計以及器件制造等各個環(huán)節(jié)。浙江光電芯片定制開發(fā)芯谷高頻研究院在背面工藝方面，擁有鍵合機(jī)、拋光臺、磨片機(jī)等，可以進(jìn)行晶片的減薄、拋光以及劃片工藝。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司致力于為客戶提供太赫茲放大器系列芯片技術(shù)開發(fā)服務(wù)。公司自主研發(fā)的太赫茲半導(dǎo)體固態(tài)器件及單片集成電路，頻率覆蓋范圍包括140GHz、220GHz、300GHz和340GHz等。公司的產(chǎn)品齊全，涵蓋了驅(qū)放、功放、低噪放等多種類型，并可為客戶提供全套的太赫茲芯片解決方案。這些太赫茲芯片在太赫茲安檢、無損探測、太赫茲高速通信系統(tǒng)等多個領(lǐng)域有著應(yīng)用，為安全檢測和無損檢測提供了強(qiáng)有力的支持。作為太赫茲領(lǐng)域的專業(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu)，公司將持續(xù)投入研發(fā)力量，推動技術(shù)創(chuàng)新，為客戶提供更好的產(chǎn)品和服務(wù)。堅信通過不懈的努力，公司能為太赫茲領(lǐng)域的發(fā)展做出積極貢獻(xiàn)，推動相關(guān)技術(shù)的進(jìn)步和應(yīng)用拓展。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司專注于光電器件及電路技術(shù)開發(fā)，具備先進(jìn)的光電器件及電路制備工藝。公司為客戶提供定制化的技術(shù)開發(fā)方案和工藝加工服務(wù)，致力于滿足客戶在光電器件及電路領(lǐng)域的多樣化需求。研究院致力于研發(fā)光電集成芯片，以應(yīng)對新體制微波光子雷達(dá)和光通信等領(lǐng)域的發(fā)展需求。光電集成芯片是當(dāng)前光電子領(lǐng)域的重要發(fā)展方向，具有廣闊的應(yīng)用前景。通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和工藝優(yōu)化，研究院在光電集成芯片的研發(fā)方面取得了較大成果，為通信網(wǎng)絡(luò)和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用提供了強(qiáng)有力的支撐。在技術(shù)研發(fā)方面，研究院始終秉持高標(biāo)準(zhǔn)，追求專業(yè)。通過引進(jìn)國際先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備，以及培養(yǎng)高素質(zhì)的研發(fā)團(tuán)隊，研究院在光電器件及電路技術(shù)領(lǐng)域取得了多項突破性成果。同時，研究院不斷加強(qiáng)與國內(nèi)外企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)的合作與交流，共同推動光電器件及電路技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。在工藝制備方面，研究院嚴(yán)謹(jǐn)務(wù)實，注重細(xì)節(jié)。通過對制備工藝的不斷優(yōu)化和完善，研究院成功制備出了高質(zhì)量的光電器件及電路產(chǎn)品，滿足了客戶對性能、可靠性和穩(wěn)定性的要求。同時，研究院不斷探索新的制備工藝和技術(shù)，為未來的技術(shù)進(jìn)步和市場拓展奠定了堅實的基礎(chǔ)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術(shù)開發(fā)服務(wù)。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對外提供GaAs太赫茲SBD管芯技術(shù)開發(fā)服務(wù)。這款芯片具備結(jié)電容小、截止頻率高等特點，是高截止頻率電子元器件的理想選擇。同時，該系列芯片展現(xiàn)出低寄生、高頻響的優(yōu)勢。針對不同應(yīng)用場景，公司可以根據(jù)客戶需求定制不同規(guī)格的單管、對管、等變阻、變?nèi)莨苄?。這款芯片廣泛應(yīng)用于太赫茲通信、雷達(dá)、測試等領(lǐng)域中的毫米波、太赫茲各頻段混頻、倍頻、檢波電路。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司致力于不斷提升該芯片的性能水平，為客戶提供更專業(yè)的服務(wù)。芯谷高頻研究院的熱物性測試儀可有效解決無法實現(xiàn)大尺寸、微米級厚度、及其超高熱導(dǎo)率等材料的熱評估難題。吉林熱源器件及電路芯片加工

芯谷高頻研究院的CVD用固態(tài)微波功率源產(chǎn)品可依據(jù)客戶要求進(jìn)行各類微波功率大小和功率頻率的設(shè)計與開發(fā)。遼寧化合物半導(dǎo)體芯片加工

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司在異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)服務(wù)方面具有專業(yè)能力和豐富經(jīng)驗，能夠進(jìn)行多種先進(jìn)集成材料的制備和研發(fā)。以下是公司在集成材料方面的主要能力和研究方向：1、單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質(zhì)晶圓：這些材料用于制造高性能的射頻濾波器，如SAW（聲表面波）濾波器、BAW（體聲波）濾波器和XBAR濾波器等。這些濾波器在通信、雷達(dá)和其他高頻應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。2、厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質(zhì)晶圓：這些材料用于構(gòu)建低損耗的光學(xué)平臺，對于光通信、光學(xué)傳感和其他光子應(yīng)用至關(guān)重要。3、AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓：這種材料用于新一代的片上光源平臺，如光量子器件等。這些平臺在量子通信和量子計算等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。4、Miro-Cavity-SOI，內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓：這種材料用于制造環(huán)柵GAA（GaN on Insulator）和MEMS（微電子機(jī)械系統(tǒng)）等器件平臺。5、SionSiC/Diamond：這種材料解決了傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的問題，對于高功率和高頻率的應(yīng)用非常重要。6、GaNonSiC：這種材料解決了自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的問題，對于高溫和高功率的電子器件至關(guān)重要。7、支持特定襯底功能薄膜材料異質(zhì)晶圓定制研發(fā)。遼寧化合物半導(dǎo)體芯片加工