為提高上述包括工藝盤轉軸1、驅動襯套2和驅動軸3在內的傳動結構的密閉性，推薦地，工藝盤組件還包括傳動筒4，驅動軸3和驅動襯套2設置在傳動筒4內，且驅動軸3背離工藝盤轉軸1的一端與傳動筒4固定連接，傳動筒4用于帶動驅動軸3轉動。需要說明的是，上述傳動筒4的方案即為前面所述的“驅動軸體部320與其它在軸承中固定的轉軸結構固定連接”的方案，如圖3、圖13所示，傳動筒4的外壁上可以包括外凸臺結構42，外凸臺結構42環(huán)繞設置在傳動筒4的外壁上，在實際使用中，外凸臺結構42的上下兩面(這里的上下是指圖中的上下關系)分別用于與滾針軸承連接，以實現(xiàn)軸向定位；外凸臺結構42的外側面用于與深溝球軸承的內圈連接，從而實現(xiàn)對傳動筒4軸線角度的固定，減小傳動筒4的軸線在其轉動過程中的徑向跳動。在本實用新型的實施例中，采用傳動筒4代替驅動軸3與軸承接觸，并將驅動軸3和驅動襯套2設置在傳動筒4內部，從而在保證驅動軸3的正常傳動功能的同時，提高了傳動結構的密閉性，避免了潤滑液等物質進入包括驅動軸3和驅動襯套2在內的傳動結構對其造成腐蝕，保證了傳動結構的精度。本實用新型對如何定位傳動筒4及與其接觸的軸承不做具體限定，例如，可選地，如圖2至3所示。為行業(yè)的關鍵部件提高N倍壽命、免維護。天津FRP半導體與電子工程塑料零件定制加工定制

    對比例1對比例1的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：對比例1中不含有步驟(5)和步驟(6)。對比例2對比例2的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(5)為：將排膠后的***預制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹脂，加熱2h，然后抽真空1h，降溫得到第二預制坯。對比例3對比例3的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(5)中，壓力為8mpa。對比例4對比例4的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(1)為：將氧化釔溶解在水和酒精的混合溶液中，氧化釔與碳化硅微粉的質量比為3∶100，溶解完全后加入分散劑四甲基氫氧化銨，然后加入碳化硅微粉，攪拌均勻，得到預處理顆粒。對比例5對比例5的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：不含有步驟(1)。對比例6對比例6的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(1)中，氧化釔與碳化硅微粉的質量比為6∶100。對比例7對比例7的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟。浙江FRP半導體與電子工程塑料零件定制加工推薦廠家提高生產率及產品壽命。

    并實現(xiàn)對工藝盤的角度進行調整，進一步推薦地，當采用上述配合面軸向錯開的設計時，驅動通孔211與驅動連接部310之間為過盈配合，第二襯套部220的圓柱面與安裝孔之間為過盈配合。在本實用新型的實施例中，設置工藝盤轉軸1、驅動襯套2與驅動軸3之間均為過盈配合，從而使得工藝盤轉軸1和驅動襯套2能夠在安裝后保持與驅動軸3之間的同軸度。并且，*通過調整驅動軸3的朝向即可微調工藝盤轉軸1的角度，并**終實現(xiàn)對工藝盤的角度進行調整。為避免驅動通孔211與驅動連接部310之間的配合面尺寸的偏差導致零件損壞，推薦地，如圖6所示，驅動通孔211的內壁上形成有避讓槽211a，避讓槽211a與驅動通孔211內壁上圓柱面與平面的相貫線位置匹配。在本實用新型的實施例中，驅動通孔211內壁上形成有避讓槽211a，驅動通孔211與驅動連接部310連接時，驅動連接部310側面的棱插入避讓槽211a中，從而能夠將驅動通孔211與驅動連接部310之間的平面配合面與圓柱面配合面分離。在驅動通孔211與驅動連接部310為過盈配合時，平面配合面與圓柱面配合面可以分別向外發(fā)生微小形變，而驅動連接部310側面上的棱始終位于避讓槽211a中，從而不會因兩種配合面形變程度的不同而與驅動通孔211的內壁之間發(fā)生刮擦。

    所述工藝盤組件為前面所述的工藝盤組件，所述工藝盤組件的工藝盤設置在所述工藝腔中。在本實用新型提供的工藝盤組件以及半導體設備中，工藝盤轉軸通過驅動襯套、驅動連接部與驅動軸體部連接，驅動連接部的橫截面為非圓形，而驅動襯套的套孔與驅動連接部相匹配，工藝盤轉軸的安裝孔與驅動襯套相匹配。從而通過非圓柱體的驅動連接部與驅動襯套上的異形孔之間的配合將扭矩傳遞至驅動襯套，進而基于安裝孔與驅動襯套的配合關系傳遞至工藝盤轉軸，從而能夠避免驅動軸與驅動襯套之間發(fā)生相對滑動，提高了工藝盤轉軸旋轉角度的控制精度，進而提高了工件的放置精度。附圖說明附圖是用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本實用新型，但并不構成對本實用新型的限制。在附圖中：圖1是本實用新型提供的工藝盤組件的結構示意圖；圖2是圖1所示的工藝盤組件的a-a向剖視圖；圖3是圖2中虛線圈出部分的放大示意圖；圖4是圖3的局部放大示意圖；圖5是本實用新型提供的工藝盤組件中驅動軸的結構示意圖；圖6是本實用新型提供的工藝盤組件中驅動襯套的結構示意圖；圖7是本實用新型提供的工藝盤組件中驅動襯套與驅動軸連接后的結構示意圖。我們的零件被設計用于整個晶圓加工制程。

    傳統(tǒng)的制備方法中將金屬元素的氧化物直接與碳化硅微粉及分散劑、粘結劑等混合，能夠使金屬元素的分布更均勻，不會出現(xiàn)聚集區(qū)域，對力學性能的提升效果也更好。一實施方式的碳化硅陶瓷，由上述實施方式的碳化硅陶瓷的制備方法制備得到。一實施方式的半導體零件，由上述實施方式的碳化硅陶瓷加工處理得到。上述半導體零件由反應燒結碳化硅材料制成。具體地，上述半導體零件的形狀為非標。具體地，半導體零件的形狀可以為板狀、柱狀、環(huán)狀或其他不規(guī)則形狀。在其中一個實施例中，半導體零件為吸盤底座、晶圓承載盤、半導體用機械手臂或異形件密封圈?？梢岳斫猓谄渌麑嵤├?，半導體零件不限于上述零件，還可以為其他零件。以下為具體實施例部分：實施例1本實施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化鑭與碳化硅微粉的質量比為∶100，得到氯化鑭與碳化硅微粉的質量比為∶100，然后將氯化鑭溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散劑丙烯酸銨，然后加入粒徑為μm的碳化硅微粉，攪拌均勻，得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質量比為，攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧，得到表面覆蓋有氧化鑭的碳化硅顆粒。CMP環(huán)材料的制造商，包括Techtron? PPS（CMP應用）。天津FRP半導體與電子工程塑料零件定制加工定制

磨削、銑削、鉆孔、車削和制造都可以很好地運用在半導體零件加工上。天津FRP半導體與電子工程塑料零件定制加工定制

    以避免軸承座10與工藝腔碰撞導致傳送組件精度下降。為進一步提高傳動筒4的穩(wěn)定性，避免外界物質進入軸承座10，推薦地，如圖3、圖4所示，工藝盤組件還包括密封襯套5，密封襯套5環(huán)繞設置在傳動筒4的外壁上。需要說明的是，密封襯套5與軸承座之間為固定連接關系，如圖4所示，推薦地，密封襯套5的內壁上還設置有用于容納密封圈的密封圈槽，在傳動筒4轉動時，與軸承座固定連接的密封襯套5持續(xù)地與傳動筒4摩擦。為提高密封襯套5的耐磨性能，推薦地，密封襯套5為不銹鋼材料。在實驗研究中，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導體設備工藝效果不佳的原因在于，個別軸套類部件上的密封件在傳動機構的運動過程中會逐漸沿軸向移動，偏離預定位置，造成半導體設備的氣密性下降。為解決上述技術問題，推薦地，如圖3、圖4、圖13所示，工藝盤組件還包括擋環(huán)7，傳動筒4的外壁上形成有擋環(huán)槽43，擋環(huán)7環(huán)繞傳動筒4設置在擋環(huán)槽43中，擋環(huán)7的外徑大于密封襯套5朝向工藝盤01一端的內徑，以使得密封襯套5無法沿軸向運動通過擋環(huán)槽43所在的位置。在本實用新型的實施例中，傳動筒4的外壁上形成有擋環(huán)槽43，并在擋環(huán)槽43中設置擋環(huán)7，從而可以阻止密封襯套5軸向偏離，進而避免了避免外界物質進入軸承座10。天津FRP半導體與電子工程塑料零件定制加工定制

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