本實(shí)用新型涉及治具領(lǐng)域，尤其涉及一種針對(duì)半導(dǎo)體零件的抓數(shù)治具。背景技術(shù)：半導(dǎo)體零件即半導(dǎo)體晶體，晶體是脆性的，加工過程中會(huì)在邊緣形成碎石塊似的崩碎。如有較大應(yīng)力加載到晶體的解理方向上，會(huì)造成很大的崩碎面積，破壞中間已加工好的表面。因此，在加工端面前，應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體晶體進(jìn)行端面邊緣的倒角，使得在加工端面時(shí)，不容易產(chǎn)生破壞性的崩口。然而，在實(shí)際加工時(shí)，大部分的晶體多多少少的會(huì)發(fā)生不影響晶體性能的輕微崩口，以及極少部分會(huì)發(fā)生破壞性的崩口，為了防止破壞后的晶體被繼續(xù)使用，因此，我們需要制作一個(gè)治具，用于檢測(cè)晶體的崩口尺寸，將破壞嚴(yán)重的晶體剔除。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問題，提供一種針對(duì)半導(dǎo)體零件的抓數(shù)治具，本實(shí)用新型設(shè)計(jì)新穎，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、合理，能夠通過設(shè)置的**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面定位半導(dǎo)體零件的位置，并通過設(shè)置的圓弧基準(zhǔn)臺(tái)的切邊抓取半導(dǎo)體零件的倒角以及崩口的尺寸，以剔除不良的半導(dǎo)體零件。為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種針對(duì)半導(dǎo)體零件的抓數(shù)治具，包括抓數(shù)治具，所述抓數(shù)治具包括設(shè)置的**基準(zhǔn)塊以及與**基準(zhǔn)塊垂直連接的第二基準(zhǔn)塊。我們材料加工完更平整、不易變形。北京HIPS半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工推薦廠家

    所述***襯套部的外徑小于所述第二襯套部的外徑，所述定位凸起形成在所述第二襯套部的外壁上，且所述第二襯套部與所述工藝盤轉(zhuǎn)軸的安裝孔相配合。推薦地，所述工藝盤組件還包括傳動(dòng)筒，所述驅(qū)動(dòng)軸和所述驅(qū)動(dòng)襯套設(shè)置在所述傳動(dòng)筒內(nèi)，且所述驅(qū)動(dòng)軸背離所述工藝盤轉(zhuǎn)軸的一端與所述傳動(dòng)筒固定連接，所述傳動(dòng)筒用于帶動(dòng)所述驅(qū)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)。推薦地，所述工藝盤組件還包括密封襯套，所述密封襯套環(huán)繞設(shè)置在所述傳動(dòng)筒的外壁上；所述工藝盤組件還包括擋環(huán)，所述傳動(dòng)筒的外壁上形成有擋環(huán)槽，所述擋環(huán)環(huán)繞所述傳動(dòng)筒設(shè)置在所述擋環(huán)槽中，所述擋環(huán)的外徑大于所述密封襯套朝向所述工藝盤一端的內(nèi)徑。推薦地，所述工藝盤組件還包括調(diào)平件，所述傳動(dòng)筒的內(nèi)壁上形成有內(nèi)凸臺(tái)結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)凸臺(tái)結(jié)構(gòu)環(huán)繞傳動(dòng)筒的內(nèi)壁設(shè)置，所述調(diào)平件與所述驅(qū)動(dòng)軸固定連接，且沿軸線方向分別設(shè)置在所述內(nèi)凸臺(tái)結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，以將所述內(nèi)凸臺(tái)結(jié)構(gòu)夾持在所述調(diào)平件與所述驅(qū)動(dòng)軸之間，所述調(diào)平件能夠調(diào)整其自身與所述傳動(dòng)筒之間的角度。推薦地，所述驅(qū)動(dòng)軸與所述工藝盤轉(zhuǎn)軸中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。作為本實(shí)用新型的第二個(gè)方面，還提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括工藝腔和工藝盤組件，其中。江西HDPE半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工隔音嗎機(jī)加工能力，支持仿真系統(tǒng)NPI應(yīng)用發(fā)展。

    所述第二基準(zhǔn)塊與**基準(zhǔn)塊一體成型；所述**基準(zhǔn)塊的一側(cè)設(shè)置有**基準(zhǔn)面，所述第二基準(zhǔn)塊上設(shè)置有第二基準(zhǔn)面，所述第二基準(zhǔn)面垂直于**基準(zhǔn)面，所述**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面的連接處設(shè)置有與**基準(zhǔn)塊和第二基準(zhǔn)塊連接的圓弧避讓槽；所述**基準(zhǔn)塊和第二基準(zhǔn)塊遠(yuǎn)離圓弧避讓槽的一側(cè)設(shè)置有圓弧基準(zhǔn)臺(tái)，所述圓弧基準(zhǔn)臺(tái)的圓心位于**基準(zhǔn)面與第二基準(zhǔn)面的連接處。采用此技術(shù)方案，設(shè)置的**基準(zhǔn)面和第二基準(zhǔn)面有助于半導(dǎo)體零件的貼合；設(shè)置的圓弧避讓槽不*有助于抓數(shù)治具的加工，而且有助于半導(dǎo)體零件的貼合；設(shè)置的圓弧基準(zhǔn)臺(tái)有助于通過圓弧的切邊抓數(shù)以計(jì)算或抓取半導(dǎo)體零件的尺寸以及導(dǎo)角的尺寸。作為推薦，所示抓數(shù)治具還設(shè)置有底座，所示底座上均勻排列有四個(gè)或四個(gè)以上抓數(shù)治具；四個(gè)或四個(gè)以上所述的抓數(shù)治具其**基準(zhǔn)面或第二基準(zhǔn)面在同一直線上。采用此技術(shù)方案，以便于批量檢測(cè)抓數(shù)。作為推薦，所述圓弧基準(zhǔn)臺(tái)的半經(jīng)設(shè)置在1mm的倍數(shù)。采用此技術(shù)方案，便于測(cè)量以及計(jì)算。作為推薦，所述抓數(shù)治具的長(zhǎng)度設(shè)置在40-60mm，寬度設(shè)置在30-50mm。采用此技術(shù)方案，尺寸小，便于使用，以及保存。作為推薦，所述**基準(zhǔn)塊的寬度和第二基準(zhǔn)塊的寬度一致，其寬度設(shè)置在8-12mm。

    得到排膠后的***預(yù)制坯。(5)將排膠后的***預(yù)制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹脂，加熱2h，然后抽真空1h，再以氮?dú)饧訅褐?mpa，進(jìn)行壓力浸滲，讓高含碳液體滲入預(yù)制坯的孔隙中，降溫得到第二預(yù)制坯。(6)將第二預(yù)制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘℃的速度升溫至900℃，保溫3h，排膠后，機(jī)加工得到排膠后的第二預(yù)制坯。(7)將排膠后的第二預(yù)制坯和硅粉按質(zhì)量比為1∶2在石墨坩堝中混合，然后放置于真空高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1600℃，保溫時(shí)間為3h，冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實(shí)施例3本實(shí)施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化鈰與碳化硅微粉的質(zhì)量比為5∶100，得到氯化鈰與碳化硅微粉的質(zhì)量比為，然后將氯化鈰溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散劑丙烯酸銨與丙烯酸鈉的混合物，然后加入粒徑為10μm的碳化硅微粉，攪拌均勻，得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質(zhì)量比為∶1的環(huán)氧丙烷，攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧，得到表面覆蓋有氧化鈰的碳化硅顆粒。然后將碳化硅顆粒在真空條件、900℃下進(jìn)行熱處理1h，得到預(yù)處理顆粒。(2)將第二分散劑丙烯酸銨與丙烯酸鈉的混合物溶解在水中形成溶液。耐溫、耐磨、可高效加工的高比強(qiáng)材料用于此領(lǐng)域。

    然后加壓至3mpa～7mpa，得到第二預(yù)制坯；及將所述第二預(yù)制坯和硅粉進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)，得到碳化硅陶瓷。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述將所述***預(yù)制坯與第二碳源混合加熱的步驟中，加熱的溫度為280℃～340℃，加熱時(shí)間為1h～3h。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二預(yù)制坯與所述硅粉的質(zhì)量比為1∶(～)；及/或，所述將所述第二預(yù)制坯和硅粉進(jìn)行反應(yīng)燒結(jié)的步驟中，燒結(jié)的溫度為1400℃～1800℃，時(shí)間為1h～5h。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述將碳化硅微粉、金屬元素的氯化物、環(huán)氧丙烷、***分散劑及***溶劑混合并在真空條件、700℃～900℃下進(jìn)行加熱處理的步驟包括：將所述金屬元素的氯化物、所述***分散劑、所述***溶劑及所述碳化硅微粉混合，得到***漿料；在冰浴條件下，將所述***漿料與所述環(huán)氧丙烷混合，得到第二漿料，且所述環(huán)氧丙烷與所述***漿料的質(zhì)量比為(～)∶1；將所述第二漿料進(jìn)行噴霧，然后在真空條件、700℃～900℃下進(jìn)行加熱處理，得到所述預(yù)處理顆粒。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述將所述金屬元素的氯化物、所述***分散劑、所述***溶劑及所述碳化硅微粉混合的步驟中，所述金屬元素的氯化物的加入量按金屬元素的氧化物的質(zhì)量為所述碳化硅微粉的質(zhì)量的％～％計(jì)算得到；及/或。工程塑料,絕緣材料板機(jī)加工零件。河北環(huán)保半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工品牌排行榜

因此具有更佳的設(shè)計(jì) 能力和用自動(dòng)化的更高可行性。北京HIPS半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工推薦廠家

    冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實(shí)施例2本實(shí)施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化釔與碳化硅微粉的質(zhì)量比為3∶100，得到氯化釔與碳化硅微粉的質(zhì)量比為∶100，然后將氯化釔溶解在水和酒精的混合溶液中，溶解完全后加入***分散劑聚乙烯醇縮丁醛，然后加入粒徑為5μm碳化硅微粉，攪拌均勻，得到***漿料。在冰浴條件下加入與***漿料的質(zhì)量比為∶1的環(huán)氧丙烷，攪拌均勻得第二漿料。將第二漿料在閉式噴霧塔中噴霧，得到表面覆蓋有氧化釔的碳化硅顆粒。然后將碳化硅顆粒在真空條件、800℃下進(jìn)行熱處理，得到預(yù)處理顆粒。(2)將第二分散劑聚乙烯吡咯烷酮溶解在水中形成溶液，將***碳源炭黑和預(yù)處理顆粒在該溶液中均勻分散，再將粘接劑羧甲基纖維素鈉加入其中，進(jìn)行球磨，球磨過程中的轉(zhuǎn)速為200轉(zhuǎn)/分，球磨時(shí)間為3h，得到第三漿料，將第三漿料在噴霧造粒塔中噴霧，得到平均尺寸為120微米的造粒粉。(3)將造粒粉均勻填滿模具，進(jìn)行模壓成型，成型壓強(qiáng)為120mpa，保壓時(shí)間為50s，脫模，然后置入真空包裝袋中，抽真空，再置于等靜壓機(jī)中等靜壓成型，成型壓力為300mpa，保壓時(shí)間為120s，得到***預(yù)制坯。(4)將***預(yù)制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘℃的速度升溫至900℃，保溫3h。北京HIPS半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工推薦廠家

朗泰克新材料技術(shù)（蘇州）股份有限公司主要經(jīng)營(yíng)范圍是橡塑，擁有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)和良好的市場(chǎng)口碑。公司業(yè)務(wù)分為塑料加工，塑料機(jī)械加工，絕緣材料加工，尼龍加工等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn)，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力，努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識(shí)，遵守行業(yè)規(guī)范，植根于橡塑行業(yè)的發(fā)展。朗泰克新材料秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念，全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。