隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來(lái)越小，電遷移問(wèn)題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。電遷移失效同常規(guī)的過(guò)應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶(hù)的使用過(guò)程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長(zhǎng)期累積下產(chǎn)生的失效。所以，通過(guò)在樣品上施加各類(lèi)綜合應(yīng)力來(lái)評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。實(shí)現(xiàn)多通道電流同時(shí)采集，實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試樣品離子和材料絕緣劣化過(guò)程。廣西離子遷移絕緣電阻測(cè)試供應(yīng)商

可靠性試驗(yàn)中，有一項(xiàng)，叫做高加速應(yīng)力試驗(yàn)(簡(jiǎn)稱(chēng)HAST)，主要是在測(cè)試IC封裝體對(duì)溫濕度的抵抗能力，藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項(xiàng)試驗(yàn)方式是需透過(guò)外接電源供應(yīng)器，將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺(tái)設(shè)備內(nèi)，再連接到待測(cè)IC插座(Socket)與測(cè)試版(HASTboard)，進(jìn)行待測(cè)IC的測(cè)試。然而這項(xiàng)試驗(yàn)，看似簡(jiǎn)單，但在宜特20多年的可靠性驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)中，卻發(fā)現(xiàn)客戶(hù)都會(huì)遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜，精密度不斷提升，芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array，簡(jiǎn)稱(chēng)BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package，簡(jiǎn)稱(chēng)CSP）封裝比例越來(lái)越高，且錫球間距也越來(lái)越小，在執(zhí)行HAST時(shí)，非常容易有電化學(xué)遷移(簡(jiǎn)稱(chēng)ECM）現(xiàn)象的產(chǎn)生，造成芯片于可靠性實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生電源短路異常。浙江sir電阻測(cè)試服務(wù)電話提高失效分析效率，滿(mǎn)足客戶(hù)測(cè)試需求。

助焊劑等級(jí)分類(lèi)所有的測(cè)試完成后，編輯L、M和H的測(cè)試數(shù)據(jù)，所有測(cè)試數(shù)據(jù)的比較高值決定助焊劑的等級(jí)。例如，一款助焊劑的活性等級(jí)要定為L(zhǎng)，就需要五項(xiàng)測(cè)試中每個(gè)結(jié)果都是L_才可以。每個(gè)測(cè)試從不同的角度來(lái)量化電遷移的傾向性。ECM和SIR測(cè)試**接近組裝產(chǎn)品在使用壽命時(shí)間里**容易產(chǎn)生電化學(xué)遷移的情況。它們都是在更高的溫濕度下進(jìn)行加速測(cè)試，并且發(fā)展成為表明可靠性的一種標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前SIR測(cè)試方法擅長(zhǎng)用標(biāo)準(zhǔn)化的方式測(cè)試電化學(xué)遷移的傾向性。這種測(cè)試更接近真實(shí)失效機(jī)理。由于監(jiān)測(cè)頻率的關(guān)系，這種測(cè)試能夠捕捉到絕緣電阻的波動(dòng)。這種波動(dòng)可能表示枝晶形成然后又溶解了。這就可以不依賴(lài)于災(zāi)難性故障來(lái)指示潛在的問(wèn)題。

電阻表面枝晶狀遷移物SEM放大形貌和EDS能譜分析見(jiàn)圖2所示，枝晶狀遷移物由一端電極往另一端電極方向生長(zhǎng)，圖2(b)EDS測(cè)試結(jié)果表明枝晶狀遷移物主要含有Sn，Pb等元素，局部區(qū)域存在Cl元素，此產(chǎn)品生產(chǎn)中采用的SnPb焊料為Sn63Pb37，說(shuō)明SnPb焊料中的Sn，Pb金屬元素發(fā)生電化學(xué)遷移導(dǎo)致枝晶的生長(zhǎng)，連通電阻兩極，導(dǎo)致電阻短路失效。對(duì)失效電阻樣品表面遷移物區(qū)域和原工藝生產(chǎn)用SnPb焊料取樣進(jìn)行離子色譜分析，所得的結(jié)果如表1所示。從表1中可以得出失效電阻表面存在Cl-的含量為1.403mg/cm2。目前行業(yè)內(nèi)為避免印刷電路板發(fā)生腐蝕和電化學(xué)遷移而導(dǎo)致失效，控制表面殘留的Cl-含量不高于0.5mg/cm2。但本案中的失效樣品表面所測(cè)的Cl-含量明顯超出了行業(yè)規(guī)范的要求，Cl-可以誘導(dǎo)陽(yáng)極金屬表面鈍化膜的破裂，誘發(fā)局部腐蝕。GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試速度 20mS/所有通道。

CAF形成過(guò)程：1、常規(guī)FR4 P片是由玻璃絲編輯成玻璃布，然后涂環(huán)氧樹(shù)脂半固化后制成；2、樹(shù)脂與玻纖之間的附著力不足，或含浸時(shí)親膠性不良，兩者之間容易出現(xiàn)間隙；3、鉆孔等機(jī)械加工過(guò)程中，由于切向拉力及縱向沖擊力的作用對(duì)樹(shù)脂的粘合力進(jìn)一步破壞；4、距離較近的兩孔若電勢(shì)不同，則正極部分銅離子在電壓驅(qū)動(dòng)下逐漸向負(fù)極遷移。CAF產(chǎn)生的原因：1、原料問(wèn)題1) 樹(shù)脂身純度不良，如雜質(zhì)太多而招致附著力不佳 ；2) 玻纖束之表面有問(wèn)題，如耦合性不佳，親膠性不良 ；3) 樹(shù)脂之硬化劑不良，容易吸水 ；4) 膠片含浸中行進(jìn)速度太快；常使得玻纖束中應(yīng)有的膠量尚未全數(shù)充實(shí)填飽  造成氣泡殘存。SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：基于可靠性的產(chǎn)品標(biāo)定。浙江電阻測(cè)試牌子

測(cè)試電壓可以擴(kuò)展使用外接電壓，最大電壓可高達(dá)2000V。廣西離子遷移絕緣電阻測(cè)試供應(yīng)商

過(guò)程控制方法的討論J-STD-001文件定義了焊接電氣和電子組件的要求。第8節(jié)討論了清洗過(guò)程的要求和電化學(xué)可靠性相關(guān)的測(cè)試。本節(jié)參考了幾種測(cè)試方法，這些方法可用于評(píng)估印刷電路板表面什么樣的離子含量可以降低電阻值。它還包括用戶(hù)和供應(yīng)商同意的方法選項(xiàng)。TM-650方法提供了三種過(guò)程控制方法，即利用溶劑萃取物的電阻率檢測(cè)和測(cè)量可電離表面污染物，通常稱(chēng)為ROSE測(cè)試。溶劑萃取物的電阻率（ROSE）這種測(cè)試方法已經(jīng)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)幾十年了。然而，這一方法近年來(lái)在一些發(fā)表的論文中，受到了越來(lái)越多的研究。加強(qiáng)監(jiān)測(cè)的明顯原因是：在某些情況下，這種測(cè)試方法已被確定與SIR的結(jié)果相***。除了正在進(jìn)行的討論內(nèi)容之外，這種測(cè)試對(duì)于過(guò)程控制來(lái)說(shuō)可能是不切實(shí)際和費(fèi)力的。這增加了尋找新方法的動(dòng)力，這些新方法比整板萃取更快，操作規(guī)模更小。廣西離子遷移絕緣電阻測(cè)試供應(yīng)商

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