隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來(lái)越小，電遷移問(wèn)題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。電遷移失效同常規(guī)的過(guò)應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶的使用過(guò)程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長(zhǎng)期累積下產(chǎn)生的失效。所以，通過(guò)在樣品上施加各類綜合應(yīng)力來(lái)評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：基于可靠性的產(chǎn)品標(biāo)定。浙江離子遷移絕緣電阻測(cè)試訂做價(jià)格

PCB/PCBA絕緣失效失效機(jī)理絕緣電阻是表征PCB絕緣性能的一個(gè)簡(jiǎn)單而且容易測(cè)量的指標(biāo)，絕緣失效是指絕緣電阻減小。一般,影響絕緣電阻的因素有溫度、濕度、電場(chǎng)強(qiáng)度以及樣品處理等。絕緣失效通?？赡馨l(fā)生在PCB表面或者內(nèi)部,前者多見于電化學(xué)遷移(ECM)或化學(xué)腐蝕,后者則多見于導(dǎo)電陽(yáng)極絲(CAF)。1、電化學(xué)遷移(ECM)電化學(xué)遷移是在直流電壓的影響下發(fā)生的離子運(yùn)動(dòng)。在潮濕條件下,金屬離子會(huì)在陽(yáng)極形成,并向陰極遷移(見圖6.1),形成枝晶。當(dāng)枝晶連接兩種導(dǎo)體時(shí),便造成了短路,而且枝晶會(huì)因電流驟增而發(fā)生熔斷。1、電化學(xué)遷移(ECM)電化學(xué)遷移是在直流電壓的影響下發(fā)生的離子運(yùn)動(dòng)。在潮濕條件下,金屬離子會(huì)在陽(yáng)極形成,并向陰極遷移(見圖6.1),形成枝晶。當(dāng)枝晶連接兩種導(dǎo)體時(shí),便造成了短路,而且枝晶會(huì)因電流驟增而發(fā)生熔斷。2、導(dǎo)電陽(yáng)極絲(CAF)目前公認(rèn)的CAF成因是銅離子的電化學(xué)遷移隨著銅鹽的沉積。在高溫高濕條件下,PCB內(nèi)部的樹脂和玻纖之間的附力劣化,促成玻纖表面的硅烷偶聯(lián)劑產(chǎn)生水解,樹脂和玻纖分離并形成可供離子遷移的通道。湖南智能電阻測(cè)試系統(tǒng)根據(jù)客戶實(shí)際需求定制，比如接入對(duì)應(yīng)ERP系統(tǒng)。

在確定為CAF失效之前，應(yīng)該確認(rèn)連接線兩端的電阻是不是要小于菊花鏈區(qū)域的電阻。做法是將菊花鏈附近連接測(cè)試線纜的線路切斷。所有的測(cè)試結(jié)束后，如果發(fā)現(xiàn)某塊測(cè)試板連接線兩端的電阻確實(shí)小于菊花鏈區(qū)域的電阻，那么這塊測(cè)試板就不能作為數(shù)據(jù)分析的依據(jù)。常規(guī)結(jié)果判定：1.96小時(shí)靜置后絕緣電阻R1≤107歐姆，即判定樣本失效；2.當(dāng)**終測(cè)試絕緣電阻R2<108歐姆，或者在測(cè)試過(guò)程中有3次記錄或以上出現(xiàn)R2<108歐姆即判定樣本失效。廣州維柯信息技術(shù)有限公司的高低阻(CAF/TCT)測(cè)試系統(tǒng)可以做到有效電壓測(cè)試。

可靠性試驗(yàn)中，有一項(xiàng)，叫做高加速應(yīng)力試驗(yàn)(簡(jiǎn)稱HAST)，主要是在測(cè)試IC封裝體對(duì)溫濕度的抵抗能力，藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項(xiàng)試驗(yàn)方式是需透過(guò)外接電源供應(yīng)器，將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺(tái)設(shè)備內(nèi)，再連接到待測(cè)IC插座(Socket)與測(cè)試版(HASTboard)，進(jìn)行待測(cè)IC的測(cè)試。然而這項(xiàng)試驗(yàn)，看似簡(jiǎn)單，但在宜特20多年的可靠性驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)中，卻發(fā)現(xiàn)客戶都會(huì)遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜，精密度不斷提升，芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array，簡(jiǎn)稱BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package，簡(jiǎn)稱CSP）封裝比例越來(lái)越高，且錫球間距也越來(lái)越小，在執(zhí)行HAST時(shí)，非常容易有電化學(xué)遷移(簡(jiǎn)稱ECM）現(xiàn)象的產(chǎn)生，造成芯片于可靠性實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生電源短路異常。SIR測(cè)試目的變動(dòng)電路板設(shè)計(jì)或布局。

隨著電子產(chǎn)品的高密度化及電子制造的無(wú)鉛化，PCB及PCBA產(chǎn)品的技術(shù)水平、質(zhì)量要求也面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，PCB的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)加工及組裝過(guò)程中需要更嚴(yán)格的工藝與原材料的控制。目前由于尚處于技術(shù)和工藝的轉(zhuǎn)型期，客戶對(duì)PCB制程及組裝的認(rèn)識(shí)尚有較大差異，于是類似漏電、開路（線路、孔）、焊接不良、爆板分層之類的失效常常發(fā)生，常引起供應(yīng)商與用戶間的質(zhì)量責(zé)任糾紛，為此導(dǎo)致了嚴(yán)重的經(jīng)濟(jì)損失。通過(guò)對(duì)PCB及PCBA的失效現(xiàn)象進(jìn)行失效分析，通過(guò)一系列分析驗(yàn)證，找出失效原因，挖掘失效機(jī)理，對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，仲裁失效事故有重要意義。摒棄老的設(shè)備系統(tǒng)集成觀念！江西sir電阻測(cè)試服務(wù)電話

SIR測(cè)試對(duì)象：PCB軟板、助焊劑、清洗劑 、錫膏、錫渣還原劑。浙江離子遷移絕緣電阻測(cè)試訂做價(jià)格

可靠的電子組裝產(chǎn)品必須能在不同的環(huán)境中經(jīng)受住各種影響因素的考驗(yàn)，例如：熱、機(jī)械、化學(xué)、電等因素。測(cè)試每一種考驗(yàn)因素對(duì)系統(tǒng)的影響，通常以加速老化的方式來(lái)測(cè)試。這也就是說(shuō)，測(cè)試環(huán)境比起正常老化的環(huán)境是要極端得多的。此文中的研究對(duì)象主要是各種測(cè)試電化學(xué)可靠性的方法。IPC將電化學(xué)遷移定義為：在直流偏壓的影響下，印刷線路板上的導(dǎo)電金屬纖維絲的生長(zhǎng)。這種生長(zhǎng)可能發(fā)生在外部表面、內(nèi)部界面或穿過(guò)大多數(shù)復(fù)合材料本體。增長(zhǎng)的金屬纖維絲是含有金屬離子的溶液經(jīng)過(guò)電沉積形成的。電沉積過(guò)程是從陽(yáng)極溶解電離子，由電場(chǎng)運(yùn)輸重新沉積在陰極上。在電路與組裝材料發(fā)生的反應(yīng)過(guò)程中，隨著時(shí)間的推移而逐漸形成這種失效。當(dāng)金屬纖維絲在線路板表面以下生長(zhǎng)時(shí)，稱為導(dǎo)電陽(yáng)極絲或CAF，本文中不會(huì)討論這種情況，但這也是一個(gè)熱門話題。當(dāng)電化學(xué)遷移發(fā)生在線路板的表面時(shí)，它會(huì)導(dǎo)致線路之間的金屬枝晶狀生長(zhǎng)，比較好使用表面絕緣電阻(SIR)進(jìn)行測(cè)試。浙江離子遷移絕緣電阻測(cè)試訂做價(jià)格

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