電化學(xué)遷移是PCB組件常見(jiàn)的失效模式。無(wú)論是在設(shè)計(jì)過(guò)程開(kāi)發(fā)階段，還是在生產(chǎn)過(guò)程、控制過(guò)程中，都需要充分的測(cè)試。在電子組裝行業(yè)，有許多可用的方法可以來(lái)評(píng)估組件表面的電化學(xué)遷移傾向。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試將繼續(xù)為SIR。這是因?yàn)樵摐y(cè)試**接近組件的正常使用壽命中導(dǎo)致電化學(xué)遷移的條件，而且它考慮了所有促進(jìn)電化學(xué)遷移機(jī)制的四個(gè)因素之間的相互作用。當(dāng)測(cè)試集中在一個(gè)或一些因素上時(shí)，例如測(cè)試離子含量，它們可能表明每個(gè)組件上離子種類的變化，但它們不能直接評(píng)估電化學(xué)遷移的傾向。在銅、電壓、濕度和離子含量之間的相互作用中存在著一些關(guān)鍵因素，電解會(huì)導(dǎo)致枝晶生長(zhǎng)，這將繼續(xù)推動(dòng)測(cè)試的最佳實(shí)踐朝著直接測(cè)試表面絕緣電阻的方向發(fā)展。**重要的是將SIR測(cè)試的條件盡可能地與操作條件相匹配。一旦裝配過(guò)程得到驗(yàn)證和認(rèn)可，局部萃取和離子色譜測(cè)試等工具和方法在維持離子含量水平以及在確定來(lái)料和工藝控制的變化方面都是有用的。摒棄老的設(shè)備系統(tǒng)集成觀念！江蘇國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)90%以上的電阻在大氣環(huán)境中使用[1]，因此不可避免地受到工作環(huán)境中的溫度、濕度、灰塵顆粒及大氣污染物的影響，很容易發(fā)生電化學(xué)遷移。電化學(xué)遷移被認(rèn)為是電阻在電場(chǎng)與環(huán)境作用下發(fā)生的一種重要的失效形式，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品在服役期間發(fā)生漏電、短路等故障。1失效分析某一批智能水表上的電路板使用大約2年后其內(nèi)部電阻存在短路失效的情況。1.1機(jī)械開(kāi)封機(jī)械開(kāi)封后1#電阻樣品表面形貌如圖1所示，可明顯發(fā)現(xiàn)電阻表面有一層金屬光澤異物粘附，異物呈樹(shù)枝狀結(jié)晶，由一端電極往另一端電極方向生長(zhǎng)，并連接了電阻兩端電極；一端電表表面發(fā)生溶解，且溶解的端電極表面存在黑色腐蝕產(chǎn)物。湖南供應(yīng)電阻測(cè)試系統(tǒng)SIR測(cè)試目的變動(dòng)電路板設(shè)計(jì)或布局。

SIR測(cè)試模型允許將此測(cè)試組件安裝在溫度為40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體中，如IPC TM-650所述。有一個(gè)輕微的偏差，因?yàn)榘鍥](méi)有固定，并有不同的方向相對(duì)于氣流確保在測(cè)試期間SIR測(cè)試模塊上沒(méi)有明顯的冷凝現(xiàn)象。根據(jù)IPC標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)測(cè)試的模塊，在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，其電阻都高于108Ω。測(cè)試結(jié)果將根據(jù)這個(gè)限定值判定為通過(guò)或失敗。相關(guān)研究的目的是描述不同回流曲線對(duì)助焊劑殘留物的影響。在以前的工作中，據(jù)說(shuō)曾經(jīng)觀察到與回流工藝產(chǎn)出的組件相比，使用電烙鐵加熱和更快冷卻速度的返工工位完成的組件顯示出更高的離子殘留物水平。

表面絕緣電阻（SIR）IPC-TM-650方法定義了在高濕度環(huán)境下表面絕緣電阻的測(cè)試條件。SIR測(cè)試在40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體里進(jìn)行。樣板的制備和ECM測(cè)試一樣，都是依據(jù)方法制備（如圖1）。***版本的測(cè)試要求規(guī)定每20分鐘要檢查一次樣板。在七天的測(cè)試中，不同模塊之間的表面絕緣電阻值衰減必須少于10Ohms，但是要排除**開(kāi)始24小時(shí)的穩(wěn)定時(shí)間。電壓是恒定不變的。這和ECM測(cè)試在很多方面不一樣。兩者的不同點(diǎn)是：持續(xù)時(shí)間、測(cè)試箱體條件和頻繁測(cè)量數(shù)據(jù)的目的。樣板同樣需要目測(cè)檢查枝晶生長(zhǎng)是否超過(guò)間距的20%和是否有任何腐蝕引起的變色問(wèn)題。系統(tǒng)測(cè)試可在IPC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的環(huán)境條件下對(duì)試驗(yàn)樣品進(jìn)行高效、準(zhǔn)確的絕緣電阻測(cè)試和漏電流監(jiān)測(cè)！

PCB/PCBA絕緣失效失效機(jī)理絕緣電阻是表征PCB絕緣性能的一個(gè)簡(jiǎn)單而且容易測(cè)量的指標(biāo)，絕緣失效是指絕緣電阻減小。一般,影響絕緣電阻的因素有溫度、濕度、電場(chǎng)強(qiáng)度以及樣品處理等。絕緣失效通?？赡馨l(fā)生在PCB表面或者內(nèi)部,前者多見(jiàn)于電化學(xué)遷移(ECM)或化學(xué)腐蝕,后者則多見(jiàn)于導(dǎo)電陽(yáng)極絲(CAF)。1、電化學(xué)遷移(ECM)電化學(xué)遷移是在直流電壓的影響下發(fā)生的離子運(yùn)動(dòng)。在潮濕條件下,金屬離子會(huì)在陽(yáng)極形成,并向陰極遷移(見(jiàn)圖6.1),形成枝晶。當(dāng)枝晶連接兩種導(dǎo)體時(shí),便造成了短路,而且枝晶會(huì)因電流驟增而發(fā)生熔斷。1、電化學(xué)遷移(ECM)電化學(xué)遷移是在直流電壓的影響下發(fā)生的離子運(yùn)動(dòng)。在潮濕條件下,金屬離子會(huì)在陽(yáng)極形成,并向陰極遷移(見(jiàn)圖6.1),形成枝晶。當(dāng)枝晶連接兩種導(dǎo)體時(shí),便造成了短路,而且枝晶會(huì)因電流驟增而發(fā)生熔斷。2、導(dǎo)電陽(yáng)極絲(CAF)目前公認(rèn)的CAF成因是銅離子的電化學(xué)遷移隨著銅鹽的沉積。在高溫高濕條件下,PCB內(nèi)部的樹(shù)脂和玻纖之間的附力劣化,促成玻纖表面的硅烷偶聯(lián)劑產(chǎn)生水解,樹(shù)脂和玻纖分離并形成可供離子遷移的通道。接口友好：軟件可定制，或開(kāi)放數(shù)據(jù)接口，或接入實(shí)驗(yàn)室LIMS系統(tǒng)。江蘇供應(yīng)電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

電阻漂移指電阻器所表現(xiàn)的電阻值，每經(jīng)過(guò)1000小時(shí)的老化測(cè)試之后，其劣化的百分比數(shù)值。江蘇國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

局部萃取的離子色譜法在過(guò)去的十年中，一種新興的方法得到了***的應(yīng)用，那就是局部萃取，然后用離子色譜(IC)分析來(lái)控制重要的清潔度，通常被稱為C3測(cè)試。這種方法使用冷蒸汽直接通過(guò)一個(gè)小噴嘴，并在選定的電路板和組件表面冷凝，用以溶解各種離子。然后噴嘴將水和離子的溶液萃取回測(cè)試池中進(jìn)行測(cè)試。電流通過(guò)萃取物，并測(cè)量達(dá)到持續(xù)狀態(tài)的時(shí)間。然后用離子色譜法對(duì)萃取物進(jìn)行檢測(cè)，以確定其中存在的離子種類及數(shù)量。這種類型的測(cè)試特別適用于對(duì)電路板上潛在的問(wèn)題區(qū)域進(jìn)行抽查，例如低間距組件、高熱質(zhì)量區(qū)域、選擇性焊接的部件和清洗過(guò)的組件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到質(zhì)量保證協(xié)議中，以驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果隨時(shí)間變化的一致性和很多不同組裝工藝的一致性。江蘇國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

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