何謂電化學遷移。金屬離子在電場的作用下，電路的陽極和陰極之間會形成一個導電信道產生電解腐蝕(Electrolytic Corrosion。樣式如樹枝狀結構生長，造成不同區(qū)域的金屬互相連接，進而導致電路短路。ECM現(xiàn)象好發(fā)于電路板上。造成電化學遷移(ECM)比較大因素造成ECM形成的比較大因素為「電解質層形成」，電解質層的形成會產生自由離子進而增加導電率。而會加速電解質層形成的原因大多為濕度、溫度、汗水、環(huán)境中的污染物、助焊劑化學物、板材材料、表面粗糙度…等因素，因此，如何預防電解質層形成極為重要。表面絕緣電阻（SIR）測試可以用來評估金屬導體之間短路或者電流泄露造成的問題。江西國內電阻測試系統(tǒng)解決方案

金屬離子遷移過程此失效樣品灌封膠有機物與電路板上電阻存在一定縫隙，未能完全隔絕兩端電極，縫隙的存在為電化學遷移提供了遷移通道。因此密封電阻與電路板間縫隙能夠抑制金屬離子的遷移過程。針對金屬離子的遷移過程，可以加入絡合劑，使其與金屬正離子形成帶負電荷的絡合物，帶負電的絡合物將不會往陰極方向遷移和在陰極處發(fā)生還原沉積，由此達到抑制金屬離子往陰極遷移的目的。同時，隨著外電場強度增大，會加快陽極溶解、離子遷移和離子沉積過程。根據(jù)文獻[10]報道，當外電壓不超過2V時，形成的樹枝狀沉積物數(shù)目較少，且外加電壓的增加會使得電化學遷移造成的短路失效時間會***縮短。因此，盡量在設計階段中，設置元件在工作狀態(tài)時為較低的外電場，也能避免由于快速發(fā)生電化學遷移而導致的短路失效，延長使用壽命。陜西pcb離子遷移絕緣電阻測試歡迎選購SIR表面絕緣電阻測試的目的之一：變更助焊劑和/或錫膏。

局部萃取的離子色譜法在過去的十年中，一種新興的方法得到了***的應用，那就是局部萃取，然后用離子色譜(IC)分析來控制重要的清潔度，通常被稱為C3測試。這種方法使用冷蒸汽直接通過一個小噴嘴，并在選定的電路板和組件表面冷凝，用以溶解各種離子。然后噴嘴將水和離子的溶液萃取回測試池中進行測試。電流通過萃取物，并測量達到持續(xù)狀態(tài)的時間。然后用離子色譜法對萃取物進行檢測，以確定其中存在的離子種類及數(shù)量。這種類型的測試特別適用于對電路板上潛在的問題區(qū)域進行抽查，例如低間距組件、高熱質量區(qū)域、選擇性焊接的部件和清洗過的組件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到質量保證協(xié)議中，以驗證測試結果隨時間變化的一致性和很多不同組裝工藝的一致性。

在96個小時的靜置時間后，測試電壓和偏置電壓的極性必須是始終一致的。在整個測試過程中，建議每24到100個小時需要換用另外的電阻檢測器，確保測試電壓和偏置電壓的極性始終一致。在電阻測量過程中，為了保證測試的準確性，如果觀察到周期性的電阻突降，也應該被算作一次失效。因為陽極導電絲是很細的，很容易被破壞掉。當50%的部分已經失效了，測試即可停止。當CAF發(fā)生時，電阻偏小，施加到CAF失效兩端的電壓會下降。當測試網絡的阻值接近限流電阻的阻值時，顯得尤為明顯。所以在整個測試過程中，并不需要調整電壓。9、500個小時的偏置電壓后（一共596個小時），像之前一樣重新進行絕緣電阻的測量。10、在500小時的偏壓加載后，可以進行額外的T/H/B條件。然而，**少要進行500小時加載偏置電壓的測試，來作為CAF測試的結果之一。導通電阻和接觸電阻測試系統(tǒng)用于新材料新技術的自動評估測試及焊點可靠性故障分析研究。

為SAC305開發(fā)了加熱曲線，其熔點范圍為217–220°C。針對相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標準回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺爐溫測試儀測試的回流爐的曲線，和由電偶測量的返工臺的曲線。返修工位曲線升溫時間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對溫度曲線進行了輕微的偏移。為SAC305開發(fā)了加熱曲線，其熔點范圍為217–220°C。針對相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標準回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺爐溫測試儀測試的回流爐的曲線，和由電偶測量的返工臺的曲線。返修工位曲線升溫時間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對溫度曲線進行了輕微的偏移。廣州維柯GWHR-256 產品優(yōu)勢：容錯機制強：任何一組板卡發(fā)生故障不影響其它通道的正常測試。海南pcb離子遷移絕緣電阻測試有哪些

1-500V 1-2000V 以0.1V分辨率任意值可調。江西國內電阻測試系統(tǒng)解決方案

金屬離子在陰極沉積過程在陰極區(qū)，陽極溶解生成的金屬離子（主要為錫離子和鉛離子）在電場的作用下，在電解液中遷移到陰極得到電子直接生成金屬單質；或者與陰極生成的氫氧根離子相遇而生成氫氧化物的沉淀物，氫氧化物的沉淀物發(fā)生脫水分解為氧化物，氧化物繼續(xù)還原為金屬單質。伴隨著枝晶的生長過程，陰極區(qū)還發(fā)生的反應為電解質中溶解氧氣的還原反應及水的還原反應，反應方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O為建立可抑制電化學遷移中陰極還原沉積過程，可能的有效途徑為可以在陰極表面添加不同的活性劑，使陰極沉積物由樹枝狀結構變?yōu)榉稚⒃陉帢O表面，由此可有效避免由樹枝狀枝晶的生長而造成的短路失效。江西國內電阻測試系統(tǒng)解決方案

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