電子元器件失效分析項(xiàng)目1、元器件類失效電感、電阻、電容：開(kāi)裂、破裂、裂紋、參數(shù)變化2、器件/模塊失效二極管、三極管、LED燈3、集成電路失效DIP封裝芯片、PGA封裝芯片、SOP/SSOP系列芯片、QFP系列芯片、BGA封裝芯片4、PCB&PCBA焊接失效PCB板面起泡、分層、阻焊膜脫落、發(fā)黑，遷移氧化，腐蝕，開(kāi)路，短路、CAF短時(shí)失效；板面變色，錫面變色，焊盤變色；孔間絕緣性能下降；深孔開(kāi)裂；爆板等PCBA（ENIG、化鎳沉金、電鍍鎳金、OSP、噴錫板）焊接不良；端子（引腳）上錫不良，表面異物、電遷移、元件脫落等5、DPA分析電阻器/電容器/熱敏電阻器/二極管等電子元器件可靠性驗(yàn)證服務(wù)接口友好：軟件可定制，或開(kāi)放數(shù)據(jù)接口，或接入實(shí)驗(yàn)室LIMS系統(tǒng)。浙江制造電阻測(cè)試推薦貨源

SIR測(cè)試模型允許將此測(cè)試組件安裝在溫度為40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體中，如IPC TM-650所述。有一個(gè)輕微的偏差，因?yàn)榘鍥](méi)有固定，并有不同的方向相對(duì)于氣流確保在測(cè)試期間SIR測(cè)試模塊上沒(méi)有明顯的冷凝現(xiàn)象。根據(jù)IPC標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)測(cè)試的模塊，在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，其電阻都高于108Ω。測(cè)試結(jié)果將根據(jù)這個(gè)限定值判定為通過(guò)或失敗。相關(guān)研究的目的是描述不同回流曲線對(duì)助焊劑殘留物的影響。在以前的工作中，據(jù)說(shuō)曾經(jīng)觀察到與回流工藝產(chǎn)出的組件相比，使用電烙鐵加熱和更快冷卻速度的返工工位完成的組件顯示出更高的離子殘留物水平。湖南電阻測(cè)試批量定制SIR測(cè)試參考標(biāo)準(zhǔn)：JIS Z 3197 Test methods for soldering fluxes釬焊熔劑的試驗(yàn)方法。

過(guò)程控制方法的討論J-STD-001文件定義了焊接電氣和電子組件的要求。第8節(jié)討論了清洗過(guò)程的要求和電化學(xué)可靠性相關(guān)的測(cè)試。本節(jié)參考了幾種測(cè)試方法，這些方法可用于評(píng)估印刷電路板表面什么樣的離子含量可以降低電阻值。它還包括用戶和供應(yīng)商同意的方法選項(xiàng)。TM-650方法提供了三種過(guò)程控制方法，即利用溶劑萃取物的電阻率檢測(cè)和測(cè)量可電離表面污染物，通常稱為ROSE測(cè)試。溶劑萃取物的電阻率（ROSE）這種測(cè)試方法已經(jīng)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)幾十年了。然而，這一方法近年來(lái)在一些發(fā)表的論文中，受到了越來(lái)越多的研究。加強(qiáng)監(jiān)測(cè)的明顯原因是：在某些情況下，這種測(cè)試方法已被確定與SIR的結(jié)果相***。除了正在進(jìn)行的討論內(nèi)容之外，這種測(cè)試對(duì)于過(guò)程控制來(lái)說(shuō)可能是不切實(shí)際和費(fèi)力的。這增加了尋找新方法的動(dòng)力，這些新方法比整板萃取更快，操作規(guī)模更小。

產(chǎn)品可靠性系統(tǒng)解決方案1、可靠性試驗(yàn)方案定制2、可靠性企標(biāo)制定與輔導(dǎo)3、壽命評(píng)價(jià)及預(yù)估4、可靠性競(jìng)品分析5、產(chǎn)品評(píng)測(cè)6、器件質(zhì)量提升二、常規(guī)環(huán)境與可靠性項(xiàng)目檢測(cè)方法1、電子元器件環(huán)境可靠性高/低溫試驗(yàn)、溫濕度試驗(yàn)、交變濕熱試驗(yàn)、冷熱沖擊試驗(yàn)、快速溫度變化試驗(yàn)、鹽霧試驗(yàn)、低氣壓試驗(yàn)、高壓蒸煮（HAST）、CAF試驗(yàn)、氣體腐蝕試驗(yàn)、防塵防水/IP等級(jí)、UV/氙燈老化/太陽(yáng)輻射等。2、電子元器件機(jī)械可靠性振動(dòng)試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、碰撞試驗(yàn)、跌落試驗(yàn)、三綜合試驗(yàn)、包裝運(yùn)輸試驗(yàn)/ISTA等級(jí)、疲勞壽命試驗(yàn)、插拔力試驗(yàn)。3、電氣性能可靠性耐電壓、擊穿電壓、絕緣電阻、表面電阻、體積電阻、介電強(qiáng)度、電阻率、導(dǎo)電率、溫升測(cè)試等。實(shí)現(xiàn)多通道電流同時(shí)采集，實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試樣品離子和材料絕緣劣化過(guò)程。

SIR和局部萃取的結(jié)果是通過(guò)或失敗。判定標(biāo)準(zhǔn)分別基于電路電阻率和萃取液電阻率。為了便于參考，附錄中包含了詳細(xì)的結(jié)果。如表1所示，通過(guò)被編碼為綠色，失敗被編碼為橙色。結(jié)果顯示了一個(gè)清晰的定義：即所有未清洗的測(cè)試模塊都沒(méi)有通過(guò)測(cè)試，所有清洗過(guò)的測(cè)試模塊都通過(guò)了測(cè)試。事實(shí)上，助焊劑殘?jiān)泻写罅康碾x子，局部萃取試驗(yàn)很快就超過(guò)了電阻率極限。在未清洗板上有幾種離子濃度很高?？偟膩?lái)說(shuō)，這是一個(gè)非常極端的比較，因?yàn)楦锌赡苁遣糠智逑炊皇峭耆辞逑?。這加強(qiáng)了必須清洗使用了水溶性焊錫膏組件的重要性。多通道導(dǎo)通電阻實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)，32 通道/組，各、組所有參數(shù)可以獨(dú)自設(shè)置。陜西制造電阻測(cè)試銷售廠家

SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：變更助焊劑和/或錫膏。浙江制造電阻測(cè)試推薦貨源

電化學(xué)遷移是PCB組件常見(jiàn)的失效模式。無(wú)論是在設(shè)計(jì)過(guò)程開(kāi)發(fā)階段，還是在生產(chǎn)過(guò)程、控制過(guò)程中，都需要充分的測(cè)試。在電子組裝行業(yè)，有許多可用的方法可以來(lái)評(píng)估組件表面的電化學(xué)遷移傾向。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試將繼續(xù)為SIR。這是因?yàn)樵摐y(cè)試**接近組件的正常使用壽命中導(dǎo)致電化學(xué)遷移的條件，而且它考慮了所有促進(jìn)電化學(xué)遷移機(jī)制的四個(gè)因素之間的相互作用。當(dāng)測(cè)試集中在一個(gè)或一些因素上時(shí)，例如測(cè)試離子含量，它們可能表明每個(gè)組件上離子種類的變化，但它們不能直接評(píng)估電化學(xué)遷移的傾向。在銅、電壓、濕度和離子含量之間的相互作用中存在著一些關(guān)鍵因素，電解會(huì)導(dǎo)致枝晶生長(zhǎng)，這將繼續(xù)推動(dòng)測(cè)試的最佳實(shí)踐朝著直接測(cè)試表面絕緣電阻的方向發(fā)展。**重要的是將SIR測(cè)試的條件盡可能地與操作條件相匹配。一旦裝配過(guò)程得到驗(yàn)證和認(rèn)可，局部萃取和離子色譜測(cè)試等工具和方法在維持離子含量水平以及在確定來(lái)料和工藝控制的變化方面都是有用的。浙江制造電阻測(cè)試推薦貨源

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