廣州維柯信息技術(shù)有限公司多通道SIR-CAF實(shí)時(shí)離子遷移監(jiān)測(cè)系統(tǒng)——GWHR256-500，可在設(shè)定的環(huán)境參數(shù)下進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試樣品，觀察并記錄被測(cè)樣品阻抗變化狀況。系統(tǒng)可通過(guò)曲線(xiàn)、表格的形式對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，測(cè)試數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲(chǔ)和管理，客戶(hù)根據(jù)需要可導(dǎo)出為Excel表格式，對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行分析。***用于印制電路板、阻焊油墨、絕緣漆、膠粘劑，封裝樹(shù)脂微間距圖形、IC封裝材料等絕緣材料性能退化特性評(píng)估，以及焊錫膏、焊錫絲、助焊劑、清洗劑等引起的材料絕緣性能退化評(píng)估。通道數(shù)16-256/128/64/32(通道可選)，測(cè)試組數(shù)1-16組（組數(shù)可選）測(cè)試時(shí)間1-9999小時(shí)(可設(shè)置)偏置電壓1-500VDC（0.1V步進(jìn)）測(cè)試電壓1-500VDC（0.1V步進(jìn)）偏置電壓輸出精度±設(shè)置值1%+200mV（5-500VDC）測(cè)試電壓輸出精度±設(shè)置值1%+200mV（5-500VDC）電阻測(cè)量范圍1x106-1x1014Ω電阻測(cè)量精度1x106-1x109Ω≤±2%1x109-1x1011Ω≤±5%1x1011-1x1014Ω≤±20%。離子污染導(dǎo)致異常的離子遷移，終導(dǎo)致產(chǎn)品失效，常見(jiàn)的是PCB板的腐蝕、短路等。浙江國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試供應(yīng)商

廣州維柯多通道SIR-CAF實(shí)時(shí)離子遷移監(jiān)測(cè)系統(tǒng)——GWHR256-（2000/5000），測(cè)試電壓高達(dá)2000V/5000V可選精度高:1x106-1x109Ω≤±2%；取值速度快:20ms/所有通道；限流電阻:每個(gè)通道設(shè)有1MΩ限流電阻，保護(hù)金屬絲晶體做失效分析；配置靈活:模塊化設(shè)計(jì)，可選擇16模塊*N（1≤N≤16);16通道/模塊；測(cè)試配置靈活:每塊模塊可設(shè)置不同的測(cè)試電壓，可同時(shí)完成多工況測(cè)試；授權(quán)手機(jī)APP可以遠(yuǎn)程進(jìn)行相關(guān)管理、操作，查看樣品監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)；操作方便：充分考慮實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用場(chǎng)景，方便工程師實(shí)施工作；數(shù)據(jù)可曲線(xiàn)顯示；配不間斷電源UPS；接口友好:軟件可定制，或開(kāi)放數(shù)據(jù)接口，或接入實(shí)驗(yàn)室LIMS系統(tǒng)；浙江智能電阻測(cè)試系統(tǒng)解決方案離子在單位強(qiáng)度(V/m)電場(chǎng)作用下的移動(dòng)速度稱(chēng)之為離子遷移率，它是分辨被測(cè)離子直徑大小的一個(gè)重要參數(shù)。

絕緣不良是電氣設(shè)備失效和安全事故的常見(jiàn)原因。廣州維柯信息技術(shù)有限公司深知這一點(diǎn)，因此研發(fā)出的SIR表面絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)，專(zhuān)注于捕捉那些可能被忽視的微小缺陷。絕緣材料在長(zhǎng)時(shí)間使用或特定環(huán)境下可能會(huì)老化，導(dǎo)致表面電阻下降，進(jìn)而影響整個(gè)系統(tǒng)的安全性。通過(guò)定期進(jìn)行SIR測(cè)試，可以早期發(fā)現(xiàn)這些問(wèn)題，及時(shí)采取措施，避免重大事故的發(fā)生。廣州維柯的SIR測(cè)試系統(tǒng)，以其高度的自動(dòng)化和智能化，能夠在各種條件下快速、準(zhǔn)確地完成測(cè)試任務(wù)，**提高了檢測(cè)效率和準(zhǔn)確性。對(duì)于制造商而言，這不僅意味著產(chǎn)品可靠性增強(qiáng)，也是對(duì)品牌信譽(yù)的有力背書(shū)。

在高溫高濕狀態(tài)下施加電壓，電極在電場(chǎng)和絕緣間隙存在水分的共同作用下，離子化金屬向相反的電極間移動(dòng)（陰極向陽(yáng)極轉(zhuǎn)移），相對(duì)的電極還原成本來(lái)的金屬并析出樹(shù)枝狀金屬的現(xiàn)象（類(lèi)似錫須，容易造成短路），這種現(xiàn)象稱(chēng)為離子遷移。當(dāng)存在這種現(xiàn)象時(shí)，表面絕緣電阻（SIR）測(cè)試可以通過(guò)電阻值顯現(xiàn)出來(lái)。表面絕緣電阻（SIR）測(cè)試是通過(guò)在高溫高濕的環(huán)境中持續(xù)給予PCB一定的偏壓，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的試驗(yàn)，觀察線(xiàn)路間是否有瞬間短路或出現(xiàn)絕緣失效的緩慢漏電情形發(fā)生。表面絕緣電阻（SIR）測(cè)試可以用來(lái)評(píng)估金屬導(dǎo)體之間短路或者電流泄露造成的問(wèn)題，也有助于看出錫膏中的助焊劑或其他化學(xué)物品在PCB板面上是否殘留任何會(huì)影響電子零件電氣特性的物質(zhì)，通過(guò)表面絕緣電阻（SIR）測(cè)試數(shù)據(jù)可以直接反映PCB的清潔度。當(dāng)PCB受到離子性物質(zhì)的污染、或含有離子的物質(zhì)時(shí)，其中作為陽(yáng)極的一方發(fā)生離子化并在電場(chǎng)作用下通過(guò)絕緣體向另一邊的金屬（陰極）遷移。

另一方面，工藝的優(yōu)化和控制可能會(huì)遺漏一些關(guān)鍵的失效來(lái)源。其次，由于組件處于生產(chǎn)過(guò)程中，無(wú)法實(shí)時(shí)收集結(jié)果。根據(jù)測(cè)試方法的不同，測(cè)試時(shí)間**少為72小時(shí)，**多為28天，這使得測(cè)試對(duì)于過(guò)程控制來(lái)說(shuō)太長(zhǎng)了。從而促使制造商尋求能快速有效地表征電化學(xué)遷移傾向的測(cè)試方法，以控制組裝工藝。幾十年來(lái)，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一直認(rèn)為SIR測(cè)試是比較好的方法。然而，在實(shí)踐中，這種方法有一些局限性。首先，它是在標(biāo)準(zhǔn)梳狀測(cè)試樣板上進(jìn)行的，而不是實(shí)際的組裝產(chǎn)品。根據(jù)不同的PCB表面處理、回流工藝條件、處理工序等，需要進(jìn)行**的測(cè)試設(shè)置。而且測(cè)試方法的選擇，可能需要組裝元器件，也可能不需要。由于和助焊劑分類(lèi)有關(guān)，這些因素的標(biāo)準(zhǔn)化是區(qū)分可比較的助焊劑類(lèi)別的關(guān)鍵。助焊劑材料中的有機(jī)酸或無(wú)機(jī)酸及鹽等焊接后的殘留物以及經(jīng)高溫后會(huì)變成有腐蝕性的離子污染物。浙江智能電阻測(cè)試系統(tǒng)解決方案

模塊化的集成設(shè)計(jì)，16通道組成一個(gè)測(cè)試模塊。浙江國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試供應(yīng)商

CAF產(chǎn)生的原因：1、原料問(wèn)題1)樹(shù)脂身純度不良，如雜質(zhì)太多而招致附著力不佳；2)玻纖束之表面有問(wèn)題，如耦合性不佳，親膠性不良；3)樹(shù)脂之硬化劑不良，容易吸水；4)膠片含浸中行進(jìn)速度太快；常使得玻纖束中應(yīng)有的膠量尚未全數(shù)充實(shí)填飽造成氣泡殘存。CAF形成過(guò)程：1、常規(guī)FR4P片是由玻璃絲編輯成玻璃布，然后涂環(huán)氧樹(shù)脂半固化后制成；2、樹(shù)脂與玻纖之間的附著力不足，或含浸時(shí)親膠性不良，兩者之間容易出現(xiàn)間隙；3、鉆孔等機(jī)械加工過(guò)程中，由于切向拉力及縱向沖擊力的作用對(duì)樹(shù)脂的粘合力進(jìn)一步破壞；4、距離較近的兩孔若電勢(shì)不同，則正極部分銅離子在電壓驅(qū)動(dòng)下逐漸向負(fù)極遷移。浙江國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試供應(yīng)商