廣州維柯信息技術(shù)有限公司的SIR表面絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)，集成了行業(yè)的測(cè)量技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了檢測(cè)精度與測(cè)試效率的雙重提升。該系統(tǒng)采用高靈敏度傳感器，每秒20ms/所有通道的速度即便是在低電阻范圍內(nèi)也能準(zhǔn)確讀取數(shù)據(jù)，誤差率極低，確保了測(cè)試結(jié)果的科學(xué)性和可靠性。同時(shí)，其內(nèi)置的算法能迅速處理大量數(shù)據(jù)，縮短測(cè)試周期，對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)線上追求快速反饋和質(zhì)量控制的企業(yè)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是提升競(jìng)爭(zhēng)力的利器。廣州維柯SIR系統(tǒng)，以精度與速度，平齊行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。高精度SIR測(cè)試設(shè)備提供可靠的CAF監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，關(guān)鍵在于確保測(cè)試環(huán)境穩(wěn)定，如溫度、濕度控制，以獲得準(zhǔn)確結(jié)果。江西國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試操作

PCB板上出現(xiàn)CAF的現(xiàn)象卻越來(lái)越嚴(yán)重，究其原因，是因?yàn)楝F(xiàn)在電子設(shè)備上的PCB板上需要焊接的電子元件越來(lái)越多，這樣也就造成了PCB板上的金屬電極之間的距離越來(lái)越短，這樣就更加容易在兩個(gè)金屬電極之間產(chǎn)生CAF現(xiàn)象，什么是導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試CAF導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試（Conductiveanodicfilamenttest，簡(jiǎn)稱CAF）是電化學(xué)遷移的其中一種表現(xiàn)形式。它與表面樹狀生長(zhǎng)的區(qū)別：1.產(chǎn)生遷移的金屬是銅，而不是鉛或者錫；2.金屬絲是從陽(yáng)極往陰極生長(zhǎng)的；3.金屬絲是由金屬鹽組成，而不是中性的金屬原子組成。焊盤中的銅金屬是金屬離子的主要來(lái)源，在陽(yáng)極電化學(xué)生成，并沿著樹脂和玻璃增強(qiáng)纖維之間界面移動(dòng)。隨著時(shí)代發(fā)展和技術(shù)的革新。湖北國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試誠(chéng)信合作作業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的塵埃、水及揮發(fā)溶劑的蒸氣、大氣煙霧、微小顆粒有機(jī)物、角質(zhì)及靜電引起的帶電粒子等。

J-STD-004B要求使用65°C，相對(duì)濕度為88.5%的箱體，并且按照方法來(lái)制備測(cè)試樣板。表面絕緣電阻要穩(wěn)定96小時(shí)以后進(jìn)行測(cè)試。然后施加低電壓進(jìn)行500小時(shí)的測(cè)試。測(cè)試結(jié)束時(shí)，在相同的電壓下再次測(cè)試表面絕緣電阻。除了滿足絕緣電阻值少于10倍的衰減之外，還需要觀察樣板是否有晶枝生長(zhǎng)和腐蝕現(xiàn)象。這個(gè)測(cè)試結(jié)果可以定義助焊劑等級(jí)是L、M還是H,電化學(xué)遷移(ECM)IPC-TM-650方法用來(lái)評(píng)估表面電化學(xué)遷移的傾向性。助焊劑會(huì)涂敷在下圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板上。標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板是交錯(cuò)梳狀設(shè)計(jì)，并模擬微電子學(xué)**小電氣間隙要求。然后按照助焊劑不同類型的要求進(jìn)行加熱。為了能通過(guò)測(cè)試，高活性的助焊劑在測(cè)試前需要被清洗掉。清洗不要在密閉的空間進(jìn)行。隨后帶有助焊劑殘留的樣板放置在潮濕的箱體內(nèi)，以促進(jìn)梳狀線路之間枝晶的生長(zhǎng)。分別測(cè)試實(shí)驗(yàn)開始和結(jié)束時(shí)的不同模塊線路的絕緣電阻值。第二次和***次測(cè)量值衰減低于10倍時(shí)，測(cè)試結(jié)果視為通過(guò)。也就是說(shuō)，通常測(cè)試阻值為10XΩ，X值必須保持不變。這個(gè)方法概括了幾種不同的助焊劑和工藝測(cè)試條件。

線路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素：無(wú)論是線路板材料和阻焊層、元器件的清潔度，還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物（包括助焊劑殘留物）。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的，理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問(wèn)題：如何比較好地描述一個(gè)組件的電化學(xué)遷移傾向。表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí)，能夠與表面上的任何離子相互作用，使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng)，它們?cè)陔妷旱淖饔孟?，被推?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟：水吸附、陽(yáng)極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長(zhǎng)。測(cè)試控制軟件管理模塊：用戶管理、工況管理、配置管理、設(shè)備管理。

當(dāng)一個(gè)較小的偏置電壓不能有效地區(qū)別更多不同的耐CAF材料和制程時(shí)，更高的偏置電壓由于會(huì)線性地影響失效時(shí)間，應(yīng)該被避免采用。這是因?yàn)檫^(guò)高的偏置電壓會(huì)抵消掉相對(duì)濕度的影響，而相對(duì)濕度由于局部加熱的原因是非常重要的失效機(jī)制部分。LK_ling:因?yàn)殛?yáng)極導(dǎo)電絲是很細(xì)的，很容易被破壞掉。當(dāng)50%的部分已經(jīng)失效了，測(cè)試即可停止。當(dāng)CAF發(fā)生時(shí)，電阻偏小，施加到CAF失效兩端的電壓會(huì)下降。當(dāng)測(cè)試網(wǎng)絡(luò)的阻值接近限流電阻的阻值時(shí)，顯得尤為明顯。所以在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，并不需要調(diào)整電壓。9、500個(gè)小時(shí)的偏置電壓后（一共596個(gè)小時(shí)），像之前一樣重新進(jìn)行絕緣電阻的測(cè)量。10、在500小時(shí)的偏壓加載后，可以進(jìn)行額外的T/H/B條件。然而，**少要進(jìn)行500小時(shí)加載偏置電壓的測(cè)試，來(lái)作為CAF測(cè)試的結(jié)果之一。防止發(fā)生離子遷移故障的一個(gè)重要措施當(dāng)然是要保持使用環(huán)境的干燥。湖北國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

其中作為陽(yáng)極的一方發(fā)生離子化并在電場(chǎng)作用下通過(guò)絕緣體向另一邊的金屬（陰極）遷移。江西國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試操作

在有偏置電壓加載的情況下，一旦水凝結(jié)在測(cè)試樣品表面，有可能會(huì)造成表面樹枝狀晶體的失效。當(dāng)某些烤箱的空氣循環(huán)是從后到前的時(shí)候，也可能發(fā)現(xiàn)水分。凝結(jié)在冷凝器窗口上的水有可能形成非常細(xì)小的水滴**終掉落在樣品表面上。這樣可能造成樹枝狀晶體的生長(zhǎng)。這樣的情況必須被排除，確保能夠得到有意義的測(cè)試結(jié)果。雖然環(huán)境試驗(yàn)箱被要求能夠提供并記錄溫度為65±2℃或85±2℃、相對(duì)濕度為87+3/-2%RH的環(huán)境，其相對(duì)濕度的波動(dòng)時(shí)間越短越好，不允許超過(guò)5分鐘。保持測(cè)試樣品無(wú)污染，做好標(biāo)記，用無(wú)污染手套移動(dòng)樣品。做好預(yù)先準(zhǔn)備，防止短路和開路。清潔后連接導(dǎo)線，連接后再清潔。烘干，在105±2℃下烘烤6小時(shí)。進(jìn)行預(yù)處理，在中立環(huán)境下，保持23±2℃和50±5%的相對(duì)濕度至少24h。2、在該測(cè)試方法中相對(duì)濕度的嚴(yán)格控制是關(guān)鍵性的。5%的相對(duì)濕度偏差會(huì)造成電阻量測(cè)結(jié)果有0.5到1.0decade的偏差。江西國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試操作