什么是二極管的反向飽和電流？什么是二極管的最高反向工作電壓？二極管中：如果給它加反向電壓，反向電壓在某一個(gè)范圍內(nèi)變化，反向電流（即此時(shí)通過(guò)二極管的電流）基本不變，好象通過(guò)二極管的電流飽和了一樣，這個(gè)電流就叫反向飽和電流。最高反向工作電壓VRM（V）----二極管長(zhǎng)期正常工作時(shí)，所允許的比較高反壓。若越過(guò)此值，PN結(jié)就有被擊穿的可能，對(duì)于交流電來(lái)說(shuō)，最高反向工作電壓也就是二極管的最高工作電壓。反向電流達(dá)到飽和,不隨外加電壓(反向電壓)變化。這是因?yàn)榉聪蝻柡碗娏魇怯缮贁?shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)而成的，小數(shù)載流子的數(shù)量很少，稍加反向電壓就全部過(guò)去了。當(dāng)溫度升高，本征激增加，少數(shù)載流子增多，反向飽和電流也增大。聲望SW系列阻抗管的設(shè)計(jì)符合標(biāo)準(zhǔn)GB/10534-2:1998中傳遞函數(shù)法的描述，與采用駐波比法的駐波管相比，雙傳聲器的阻抗管能夠一次測(cè)量出整個(gè)測(cè)試頻段的吸聲系數(shù)和聲阻抗率。 整流二極管一般用什么型號(hào)的好呢,怎么選擇?BZX84J-C39,115 穩(wěn)壓(齊納)二極管

    除了在電子設(shè)備中的應(yīng)用，二極管還在其他領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。例如，在太陽(yáng)能電池中，二極管可以用來(lái)提高電池的效率，將多余的電能轉(zhuǎn)化為熱能或光能。在電力系統(tǒng)中，二極管可以用來(lái)控制電流的大小和方向，保障系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。然而，盡管二極管的應(yīng)用如此普遍，但其工作原理卻并不復(fù)雜。這使得更多的人有機(jī)會(huì)理解和掌握這一重要的電子器件。通過(guò)了解二極管的特性，我們可以更好地理解半導(dǎo)體技術(shù)的基本原理，為未來(lái)的科技發(fā)展打下基礎(chǔ)。BZX884-C68,315穩(wěn)壓(齊納)二極管SOD882整流用什么二極管較好。

    1.導(dǎo)通壓降VF：VF為二極管正向?qū)〞r(shí)二極管兩端的壓降，選擇肖特基二極管是盡量選擇VF較小的二極管。2.反向飽和漏電流IR：IR指在二極管兩端加入反向電壓時(shí)，流過(guò)二極管的電流，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。3.額定電流IF：指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，根據(jù)允許溫升折算出來(lái)的平均電流值。4.比較大浪涌電流IFSM：允許流過(guò)的過(guò)量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個(gè)值相當(dāng)大。5.比較大反向峰值電壓VRM：即使沒(méi)有反向電流，只要不斷地提高反向電壓，遲早會(huì)使二極管損壞。這種能加上的反向電壓，不是瞬時(shí)電壓，而是反復(fù)加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓，它的比較大值是規(guī)定的重要因子。比較大反向峰值電壓VRM指為避免擊穿所能加的最大反向電壓。6.比較大直流反向電壓VR：上述比較大反向峰值電壓是反復(fù)加上的峰值電壓，VR是連續(xù)加直流電壓時(shí)的值。用于直流電路，比較大直流反向電壓對(duì)于確定允許值和上限值是很重要的。77.比較高工作頻率fM：由于PN結(jié)的結(jié)電容存在，當(dāng)工作頻率超過(guò)某一值時(shí)，它的單向?qū)щ娦詫⒆儾?。肖特基二極管的fM值較高，比較大可達(dá)100GHz。

    二極管的參數(shù)主要有以下幾點(diǎn):比較大直流反向電壓VR上述比較大反向峰值電壓是反復(fù)加上的峰值電壓，VR是連續(xù)加直流電壓時(shí)的值。用于直流電路，比較大直流反向電壓對(duì)于確定允許值和上限值是很重要的。7．比較高工作頻率fM由于PN結(jié)的結(jié)電容存在，當(dāng)工作頻率超過(guò)某一值時(shí)，它的單向?qū)щ娦詫⒆儾?。點(diǎn)接觸式二極管的fM值較高，在100MHz以上；整流二極管的fM較低，一般不高于幾千赫。8．反向恢復(fù)時(shí)間Trr當(dāng)工作電壓從正向電壓變成反向電壓時(shí)，二極管工作的理想情況是電流能瞬時(shí)截止。實(shí)際上，一般要延遲一點(diǎn)點(diǎn)時(shí)間。決定電流截止延時(shí)的量，就是反向恢復(fù)時(shí)間。雖然它直接影響二極管的開(kāi)關(guān)速度，但不一定說(shuō)這個(gè)值小就好。也即當(dāng)二極管由導(dǎo)通突然反向時(shí)，反向電流由很大衰減到接近IR時(shí)所需要的時(shí)間。大功率開(kāi)關(guān)管工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，此項(xiàng)指標(biāo)至為重要。9.最大功率P二極管中有電流流過(guò)，就會(huì)發(fā)熱，而使自身溫度升高。最大功率P為功率的比較大值。具體講就是加在二極管兩端的電壓乘以流過(guò)的電流。這個(gè)極限參數(shù)對(duì)穩(wěn)壓二極管，可變電阻二極管顯得特別重要。 變?nèi)荻O管、二極管通用功率開(kāi)關(guān)均為二極管。

    主要參數(shù)—額定功耗由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為穩(wěn)定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。例如2CW51穩(wěn)壓管的Vz為3V，Izm為20mA，則該管的Pz為60mW。5.α—溫度系數(shù)如果穩(wěn)壓管的溫度變化，它的穩(wěn)定電壓也會(huì)發(fā)生微小變化，溫度變化1℃所引起管子兩端電壓的相對(duì)變化量即是溫度系數(shù)（單位：%/℃）。一般說(shuō)來(lái)穩(wěn)壓值低于6V屬于齊納擊穿，溫度系數(shù)是負(fù)的；高于6V的屬雪崩擊穿，溫度系數(shù)是正的。溫度升高時(shí)，耗盡層減小，耗盡層中，原子的價(jià)電子上升到較高的能量，較小的電場(chǎng)強(qiáng)度就可以把價(jià)電子從原子中激發(fā)出來(lái)產(chǎn)生齊納擊穿，因此它的溫度系數(shù)是負(fù)的。雪崩擊穿發(fā)生在耗盡層較寬電場(chǎng)強(qiáng)度較低時(shí)，溫度增加使晶格原子振動(dòng)幅度加大，阻礙了載流子的運(yùn)動(dòng)。這種情況下，只有增加反向電壓，才能發(fā)生雪崩擊穿，因此雪崩擊穿的電壓溫度系數(shù)是正的。這就是為什么穩(wěn)壓值為15V的穩(wěn)壓管其穩(wěn)壓值隨溫度逐漸增大的，而穩(wěn)壓值為5V的穩(wěn)壓管其穩(wěn)壓值隨溫度逐漸減小的原因。例如2CW58穩(wěn)壓管的溫度系數(shù)是+°C，即溫度每升高1°C，其穩(wěn)壓值將升高。對(duì)電源要求比較高的場(chǎng)合，可以用兩個(gè)溫度系數(shù)相反的穩(wěn)壓管串聯(lián)起來(lái)作為補(bǔ)償。由于相互補(bǔ)償，溫度系數(shù)大大減小，可使溫度系數(shù)達(dá)到℃。 橋式整流器、穩(wěn)流二極管、穩(wěn)壓二極管都是用的二極管。BAV23A數(shù)字晶體管SOT23

二極管的分類(lèi)SCR模塊、高壓觸發(fā)二極管晶閘管浪涌保護(hù)器件雙向觸發(fā)二極管、雙向可控硅。BZX84J-C39,115 穩(wěn)壓(齊納)二極管

    二極管PN結(jié)形成原理：P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周?chē)墓柙有纬晒矁r(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來(lái)的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞。 BZX84J-C39,115 穩(wěn)壓(齊納)二極管