二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)由P區(qū)引出的電極稱為陽(yáng)極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子內(nèi)部流向陰極。二極管的電路符號(hào)如圖1所示。二極管有兩個(gè)電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽(yáng)極；由N區(qū)引出的電極是負(fù)極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號(hào)用VD表示。二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。[5]當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。 分立半導(dǎo)體模塊、IGBT 晶體管、IGBT 模塊。移位寄存器NPIC6C596D-Q100安世SOT109-1

    二極管特性參數(shù)：用來(lái)表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo)，稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。[4]伏安特性二極管具有單向?qū)щ娦?，二極管的伏安特性曲線如圖2所示[5]。在二極管加有正向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極??；當(dāng)電壓超過(guò)，電流開(kāi)始按指數(shù)規(guī)律增大，通常稱此為二極管的開(kāi)啟電壓；當(dāng)電壓達(dá)到約，二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓，用符號(hào)UD表示[4]。對(duì)于鍺二極管，開(kāi)啟電壓為，導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí)，電流開(kāi)始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏[4]。正向特性外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。[4]當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變。 BCX52-16 貼片三極管整流二極管的選擇和代換？

    如何快速判斷二極管好壞？1.示波器測(cè)試法：使用示波器測(cè)試二極管時(shí)，給二極管正向施加電壓，觀察示波器顯示的波形。正常的二極管會(huì)導(dǎo)通并顯示一個(gè)較小的正向?qū)妷海ㄕ驕螅?，而壞的二極管會(huì)出現(xiàn)打火、無(wú)明顯的波形或沒(méi)有反應(yīng)。這種方法需要有示波器和一定的電路測(cè)試知識(shí)。2.萬(wàn)用表測(cè)試法：使用萬(wàn)用表進(jìn)行二極管測(cè)試是一種簡(jiǎn)單快速的方法。將萬(wàn)用表調(diào)整到二極管測(cè)試檔位（通常是二極管符號(hào)），然后將二極管的正極和負(fù)極分別連接到萬(wàn)用表的測(cè)試引腳上。正常的二極管在正向?qū)〞r(shí)，萬(wàn)用表會(huì)顯示一個(gè)較低的電壓值（通常是幾百毫伏），而在反向關(guān)斷時(shí)，萬(wàn)用表會(huì)顯示一個(gè)較高的電阻值（通常是無(wú)窮大）。3.二極管燈泡測(cè)試法：準(zhǔn)備一個(gè)電池、一個(gè)燈泡和一根導(dǎo)線。將導(dǎo)線插入燈泡的兩個(gè)端口中，然后將一端連接到電池的正極，另一端用于測(cè)試二極管。將二極管的正負(fù)極分別接觸到導(dǎo)線的兩端，如果燈泡亮起則說(shuō)明二極管是好的，如果燈泡不亮則說(shuō)明二極管可能損壞。4.口試法：這是一種簡(jiǎn)單粗暴的方法，適用于二極管外觀沒(méi)有明顯損壞的情況。用手指觸摸二極管的金屬端子，如果感覺(jué)到有熱或輕微震動(dòng)，則說(shuō)明二極管可能是好的。當(dāng)然，這種方法只能初步判斷，不能完全準(zhǔn)確。

    要理解二極管的工作原理，必須從二極管的結(jié)構(gòu)說(shuō)起。晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。整流橋中高低頻二極管可以混用嗎？

    整流、開(kāi)關(guān)二極管主要參數(shù)：1）導(dǎo)通壓降VFVF為二極管正向?qū)〞r(shí)二極管兩端的壓降，當(dāng)通過(guò)二極管的電流越大，VF越大；當(dāng)二極管溫度越高時(shí)，VF越小。（2）反向飽和漏電流IR（Reversecurrent）指在二極管兩端加入反向電壓時(shí)，流過(guò)二極管的電流，該電流與半導(dǎo)體材料和溫度有關(guān)。少子的漂移運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致的，盡量選擇該值小的二極管。（3）額定整流電流IF（Averageforwardcurrent）指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，根據(jù)允許溫升折算出來(lái)的平均電流值。這個(gè)是選取二極管電流的主要參數(shù)（4）**平均整流電流IO（RectifiedCurrent(Average),）在半波整流電路中，流過(guò)負(fù)載電阻的平均整流電流的**值。這個(gè)是整流電路比較看重的值。（5）**浪涌電流IFSM（PeakForwardSurgeCurren）允許流過(guò)的過(guò)量的正向電流。它不是正常電流，而是瞬間電流，這個(gè)值相當(dāng)大。（6）**反向峰值電壓VRM（Non-RepetitivePeakReverseVoltage）避免擊穿所能加的**反向電壓，這個(gè)電壓是不重復(fù)的，是一個(gè)瞬態(tài)值。除了這個(gè)值外還有一個(gè)重復(fù)的反向峰值電壓VRRM，這個(gè)值是等于直流下的**反向電壓VR的。 二極管-可控電子-專業(yè)生產(chǎn)廠家。BYR29F-600

二極管的分類SCR模塊、高壓觸發(fā)二極管晶閘管浪涌保護(hù)器件雙向觸發(fā)二極管、雙向可控硅。移位寄存器NPIC6C596D-Q100安世SOT109-1

    二極管常見(jiàn)種類：一、TVS二極管：TVS二極管全稱瞬態(tài)電壓抑制二極管，TVS是一種保護(hù)器件，常用在連接器接口，測(cè)試點(diǎn)，開(kāi)關(guān)電源等地方，與被保護(hù)負(fù)載并聯(lián)使用。二、穩(wěn)壓二極管：利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。三、肖特基二極管：肖特基簡(jiǎn)稱SBD，有正向壓降低和反向恢復(fù)時(shí)間小的特點(diǎn)，常用來(lái)作大電流整流。四、快回復(fù)二極管：簡(jiǎn)稱FRD，與肖特基類似，但是功耗更大。五、發(fā)光二極管：簡(jiǎn)稱LED，LED由含鎵、砷、磷、氮等的化合物制成，主要作用可以發(fā)光。六、變?nèi)荻O管：是利用PN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的二極管。移位寄存器NPIC6C596D-Q100安世SOT109-1