圖10是示出微控制器300中的溫度傳感器120的示例性診斷操作的流程圖。在下文中，將參考圖10描述微控制器300的操作。圖10所示的診斷操作的過程例如在微控制器300啟動時執(zhí)行。由于微控制器300的自加熱在微控制器300啟動時尚未開始，因此結溫低于微控制器300操作期間的任何時間的結溫。如上所述，如果結溫超過保證微控制器300的操作的溫度范圍的上限，則不能增加操作以進行診斷操作的功耗電路130。診斷部分170可以通過在微控制器300啟動時執(zhí)行診斷來提高診斷操作的可行性。在步驟s300中，診斷部分170讀取診斷所需要的設定值。例如，診斷部分170讀取存儲在諸如微控制器300中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的設置值。設定值包括例如上述適當量、診斷數(shù)n、等待時間tw和增加的數(shù)目i。增量數(shù)i是指示當要操作的功耗電路130改變時要操作的功耗電路130的增加次數(shù)的設定值。在步驟s300中，診斷部分170重置計數(shù)器的計數(shù)n，該計數(shù)n指示在一系列診斷操作中已經(jīng)診斷了計數(shù)器的次數(shù)。在步驟s300之后，處理進入步驟s301。在步驟s301中，測量結溫。也就是說，診斷部分170獲取由溫度傳感器120測量的微控制器300的結溫。然后，診斷部分170將n的值遞增1。在步驟s301之后，處理進入步驟s302。半導體產品所需的生產設備,屬于半導體行業(yè)產業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié),在半導體產業(yè)鏈中的地位至關重要。甘肅質量半導體器件設備排行榜

    診斷部分170通過確定由溫度傳感器120測量的溫度是否根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化來診斷溫度傳感器120是否異常。如等式1所示，結溫tj取決于功耗電路130的驅動電流iload。即，結溫tj應當根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化。因此，當功耗電路130的操作條件改變時，診斷部分170通過檢查改變之后的溫度傳感器120的輸出結果是否相對于改變之前的溫度傳感器120的輸出結果發(fā)生改變來檢測溫度傳感器120的異常。也就是說，盡管功耗電路130的操作條件改變，但是當測量結果沒有改變時，診斷部分170診斷出溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯誤。每次通過控制器160執(zhí)行要操作的功耗電路130的數(shù)目的設置時，診斷部分170診斷溫度傳感器120是否異常。在本實施例中，即使發(fā)生變化，如果變化量不是適當?shù)牧浚瑒t診斷部分170診斷出溫度傳感器120中發(fā)生了異常。如等式1所示，結溫tj根據(jù)功耗電路130的驅動電流iload的大小而變化。因此，可以規(guī)定當要操作的功耗電路130的數(shù)目改變時波動的結溫的適當量。因此，當從測量結果獲取的變化量與預定適當量之間的偏差超過預定閾值時，診斷部分170確定溫度傳感器120異常。接下來，將描述微控制器300中的溫度傳感器120的診斷操作。廣西標準半導體器件設備24小時服務半導體器件通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。

    當來自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時，電流流過電阻器131以產生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來，將描述與微控制器100中的結溫控制相關的操作。圖3是示出與微控制器100中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動時執(zhí)行，但是可以在其他預定定時執(zhí)行。在步驟s100中，設定測量結溫的測量周期和下限。如上所述，設定結溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預定測量周期和預定下限溫度來執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導體工藝而預先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進入步驟s101。在步驟s101中，測量結溫。也就是說，控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設置的下限溫度。

    可以降低保證微控制器100的操作的環(huán)境溫度的下限。此外，由于在使用半導體工藝制造的微控制器中的操作保證的溫度范圍的約束，該功能可以降低設計邏輯塊110的難度，其中邏輯速率(例如，邏輯塊110的操作頻率)在低溫下劣化。第二實施例接下來，將描述第二實施例。圖5是示出根據(jù)第二實施例的微控制器200的示例性配置的框圖。微控制器200與根據(jù)率先實施例的微控制器100的不同之處在于，提供多個功耗電路130并且控制器140被替換為控制器150。控制器150與控制器140的不同之處在于，它控制多個功耗電路130的開關。在下文中，將描述與率先實施例的不同點，并且將省略對與率先實施例相同的點的描述。根據(jù)本實施例的控制器150根據(jù)由溫度傳感器120測量的溫度與邏輯塊110的下限溫度之間的差值來控制功耗電路130消耗功率。具體地，當由溫度傳感器120測量的當前結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，控制器150接通更多的功耗電路130。即，例如，當所測量的結溫小于下限溫度并且結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d1且小于d2時，控制器150接通n1個功耗電路130，并且當所測量的結溫小于下限溫度并且結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d2時，控制器150接通n2個功耗電路130。設備功能:通過探針與半導體器件的pad接觸,進行電學測試,檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。

    確保微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限可以是t，t是下限溫度。邏輯塊110是用于執(zhí)行邏輯操作的電路塊。例如，邏輯塊110可以是諸如中心處理單元等處理器。溫度傳感器120是用于測量微控制器100的結溫tj的傳感器。例如，溫度傳感器120被配置為包括電阻器，該電阻器的電阻根據(jù)溫度而變化。作為這樣的電阻元件，例如，使用雙極晶體管元件或二極管元件。溫度傳感器120通過根據(jù)溫度改變電阻元件的電阻值來輸出取決于溫度的電壓。功耗電路130是消耗預定功率的電路。當通過來自控制器140的控制指示功耗時，功耗電路130消耗預定功率并且相應地產生熱量。更具體地，當從控制器140輸入指示功耗的信號時，功耗電路130通過引起預定的負載電流在功耗電路130中流動來產生熱量。功耗電路130的配置的具體示例將參考圖2來描述。控制器140是用于控制功耗電路130的功耗使得由溫度傳感器120測量的溫度不小于邏輯塊110的預定下限操作溫度的電路。具體地，控制器140獲取預定測量周期的結溫，并且當所獲取的結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，輸出指示功耗電路130消耗功率的信號。即，當所獲取的結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，控制器140接通功耗電路130。當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時。在半導體器件的具體的制備工藝中，通常是在半導體襯底的非原胞區(qū)域形成場氧，以場氧為掩膜對半導體。廣西標準半導體器件設備24小時服務

半導體器件設備為了與集成電路相區(qū)另，有時也稱為分立器件。甘肅質量半導體器件設備排行榜

    在本實施例中，當n＝0時，即，當處理從步驟s300轉移到步驟s301時，在關閉所有功耗電路130的情況下測量結溫。在步驟s302中，診斷部分170確定測量結果是否正常。如果測量結果異常，則處理進入步驟s303，而如果測量結果正常，則處理進入步驟s304。如果所有功耗電路130都關閉，則如果沒有從溫度傳感器120獲取測量結果，或者如果沒有獲取指示預定溫度范圍(例如，定義為操作保證范圍的環(huán)境溫度的溫度范圍)的測量結果，則診斷部分170確定測量結果異常。否則，診斷部分170確定測量結果正常。當多個功耗電路130中的至少一個接通時，檢查此時獲取的結溫與上一次在步驟s301中獲取的結溫之間的差值(即，結溫的變化δtj)和與預定適當量的偏差量是否等于或小于預定閾值。當偏差超過閾值時，診斷部分170確定測量結果異常。另一方面，當偏移量不超過閾值時，診斷部分170確定測量結果正常。在步驟s303中，診斷部分170確定溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯誤，并且結束診斷操作。在步驟s304中，診斷部分170確定計數(shù)值n是否大于診斷數(shù)n。當計數(shù)值n大于診斷數(shù)n時，處理進入步驟s305。在步驟s305中，診斷部分170確定溫度傳感器120正常，并且結束診斷操作。如果計數(shù)值n等于或小于n，則在步驟s304之后。甘肅質量半導體器件設備排行榜

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