廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所致力于推動微納加工技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，為歐洲的微納產(chǎn)品制造商及設(shè)備供應(yīng)商提供技術(shù)支撐，幫助他們在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域建立、維持全球地位。 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所發(fā)布的微納加工技術(shù)前景展望總結(jié)了其戰(zhàn)略研究議程(SRA)的要點，確定出微納加工發(fā)展的新趨勢，為維持和進一步增強歐洲工業(yè)在微納加工技術(shù)領(lǐng)域中的地位，提供了未來投資和研發(fā)戰(zhàn)略指導(dǎo)。從短期來看，微納加工技術(shù)不會對環(huán)境和能源成本產(chǎn)生重大的影響。受到當前加工技術(shù)的限制，這些技術(shù)在早期的發(fā)晨階段往往會有較高的能源成本。與此同時，微納加工一旦成熟，將會消耗更少的能源與資源，就此而言，微納加工無凝是一項令人振奮的技術(shù)。例如，與去除邊角料獲得終產(chǎn)品不同的是，微納加工采用的積層法將會使得廢料更少。微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù)。成都微納加工工藝流程

    微納加工：干法刻蝕VS濕法刻蝕！刻蝕工藝：用化學(xué)或物理方法有選擇性地從某一材料表面去除不需要那部分的過程，獲得目標圖形。在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被刻蝕的工藝。特點：能實現(xiàn)各向異性刻蝕，從而保證細小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性。缺點：造價高。濕法刻蝕是通過化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來的方法。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。特點：適應(yīng)性強，表面均勻性好、對硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。缺點：圖形刻蝕保真想過不理想，刻蝕圖形的小線難以掌控。 綿陽微納加工中心微機電系統(tǒng)、微光電系統(tǒng)、生物微機電系統(tǒng)等是微納米技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域！

      在過去的二十年中，微機電系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機械及其子領(lǐng)域，微流體學(xué)片上實驗室，光學(xué)MEMS、RFMEMS、PowerMEMS、BioMEMS及其擴展到納米級（例如，用于納米機電系統(tǒng)的NEMS)已經(jīng)重新使用，調(diào)整或擴展了微制造方法。平板顯示器和太陽能電池也正在使用類似的技術(shù)。各種設(shè)備的小型化在科學(xué)與工程的許多領(lǐng)域提出了挑戰(zhàn)：物理、化學(xué)、材料科學(xué)、計算機科學(xué)、超精密工程、制造工藝和設(shè)備設(shè)計。它也引起了各種各樣的跨學(xué)科研究。微納加工的主要概念和原理是微光刻、摻雜、薄膜、蝕刻、粘接和拋光。

          美國在微納加工技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著主導(dǎo)作用。由于電子技術(shù)、計算機技術(shù)、航空航天技術(shù)和激光技術(shù)的需要，美國于1962年開發(fā)了金剛石刀具超精細切割機床，解決了激光核聚變反射鏡、天體望遠鏡等光學(xué)部件和計算機磁盤加工，奠定了微加工技術(shù)的基礎(chǔ)，隨后西歐和日本微加工技術(shù)發(fā)展迅速。微納加工技術(shù)是一種新興的綜合加工技術(shù)。它整合了現(xiàn)代機械、光學(xué)、電子、計算機、測量和材料等先進技術(shù)成果，使加工精度從20世紀60年代初的微米水平提高到目前的10m水平，在幾十年內(nèi)提高了1～2個數(shù)量級，很大程度提高了產(chǎn)品的性能和可靠性。目前，微納加工技術(shù)已成為國家科技發(fā)展水平的重要標志。隨著各種新型功能陶瓷材料的成功開發(fā)和以這些材料為關(guān)鍵部件的各種裝置的高性能，功能陶瓷元件的加工精度達到納米級甚至更高，有效地促進了微納加工技術(shù)的進步。近年來，納米技術(shù)的出現(xiàn)挑戰(zhàn)了微納加工的極限加工精度一一原子級加工。目前微納制造領(lǐng)域較常用的一種微細加工技術(shù)是LIGA！

    MEMS（微機電系統(tǒng)），是指以微型化、系統(tǒng)化的理論為指導(dǎo)，通過半導(dǎo)體制造等微納加工手段，形成特征尺度為微納米量級的系統(tǒng)裝置。相對于先進的集成電路（IC）制造工藝（遵循摩爾定律），MEMS制造工藝不單純追求線寬而注重功能特色化，即利用微納結(jié)構(gòu)或/和敏感材料實現(xiàn)多種傳感和執(zhí)行功能，工藝節(jié)點通常從500nm到110nm，襯底材料也不局限硅，還包括玻璃、聚合物、金屬等。由MEMS技術(shù)構(gòu)建的產(chǎn)品往往具有體積小、重量輕、功耗低、成本低等優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于汽車、手機、工業(yè)、醫(yī)療、**、航空航天等領(lǐng)域。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗證以及產(chǎn)品中試提供技術(shù)支持。 高精度的微細結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作！撫順微納加工中心

微納加工技術(shù)的特點：微型化！成都微納加工工藝流程

    隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn)，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為代標的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.當微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域，就形成了新興的納米光電子技術(shù)，主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過去的十多年里，一方面，以低維結(jié)構(gòu)材料生長和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學(xué)氣相淀積(MOCVD)和化學(xué)束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應(yīng)的半導(dǎo)體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現(xiàn)了納米尺度的光刻和橫向刻蝕，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時，光子晶體概念的出現(xiàn)，使得納米平面加工工藝廣的地應(yīng)用到光介質(zhì)材料折射率周期性的改變中。 成都微納加工工藝流程

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟奇跡，一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍圖，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念，市場是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團結(jié)一致，共同進退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來，即使現(xiàn)在有一點小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點燃新的希望，放飛新的夢想！