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潮州鈦金真空鍍膜

來源: 發(fā)布時間:2023-11-07

真空鍍膜:眾所周知,在某些材料的表面上,只要鍍上一層薄膜,就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學(xué)性能。20世紀(jì)70年代,在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學(xué)鍍法。前者是通過通電,使電解液電解,被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上,因此這種鍍膜的條件,基體必須是電的良導(dǎo)體,而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學(xué)還原法,必須把膜材配制成溶液,并能迅速參加還原反應(yīng),這種鍍膜方法不僅薄膜的結(jié)合強(qiáng)度差,而且鍍膜既不均勻也不易控制,同時還會產(chǎn)生大量的廢液,造成嚴(yán)重的污染。因此,這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。潮州鈦金真空鍍膜

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真空鍍膜:真空蒸鍍基本工藝鍍前處理:包括清洗鍍件和預(yù)處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學(xué)溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。具體預(yù)處理有除靜電,涂底漆等。裝爐:包括真空室清理及鍍件掛具的清洗,蒸發(fā)源安裝、調(diào)試、鍍件褂卡。抽真空:一般先粗抽至6。6Pa以上,更早打開擴(kuò)散泵的前級維持真空泵,加熱擴(kuò)散泵。待預(yù)熱足夠后,打開高閥,用擴(kuò)散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤:將鍍件烘烤加熱到所需溫度。離子轟擊:真空度一般在10Pa~10-1Pa,離子轟擊電壓200V~1kV負(fù)高壓,離擊時間為5min~30min,預(yù)熔:調(diào)整電流使鍍料預(yù)熔,除氣1min~2min。蒸發(fā)沉積:根據(jù)要求調(diào)整蒸發(fā)電流,直到所需沉積時間結(jié)束。冷卻:鍍件在真空室內(nèi)冷卻到一定溫度。出爐:取件后,關(guān)閉真空室,抽真空至1×10-1Pa,擴(kuò)散泵冷卻到允許溫度,才可關(guān)閉維持泵和冷卻水。后處理:涂面漆等。浙江MEMS真空鍍膜真空鍍膜有蒸發(fā)鍍膜形式。

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磁控濺射技術(shù)可制備裝飾薄膜、硬質(zhì)薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導(dǎo)薄膜、磁性薄膜、光學(xué)薄膜,以及各種具有特殊功能的薄膜,是一種十分有效的薄膜沉積方法,在各個工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣?!盀R射”是指具有一定能量的粒子(一般為Ar+離子)轟擊固體(靶材)表面,使得固體(靶材)分子或原子離開固體,從表面射出,沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場正交磁場,電子受電場加速作用的同時受到磁場的束縛作用,運(yùn)動軌跡成擺線,增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率,提高了氣體的離化率,提高了沉積速率。

常用的薄膜制備方式主要有兩種,其中一種是物理法氣相沉積(PVD),PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發(fā)鍍膜、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學(xué)法氣相沉積(CVD),主要有常壓CVD、LPCVD(低壓沉積法)、PECVD(等離子體增強(qiáng)沉積法)等方法。真空鍍膜的工藝流程:真空鍍膜的工藝流程一般依次為:前處理及化學(xué)清洗(材料進(jìn)行有機(jī)清洗和無機(jī)清洗)→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜(通入反應(yīng)氣體)。真空鍍膜設(shè)備膜層厚度過厚會帶一點(diǎn)黑色,但是是金屬本色黑色。

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真空鍍膜:反應(yīng)性離子鍍:如果采用電子束蒸發(fā)源蒸發(fā),在坩堝上方加20V~100V的正偏壓。在真空室中導(dǎo)入反應(yīng)性氣體,如氮?dú)?、氧氣、乙炔、甲烷等反?yīng)性氣體代替氬氣,或在此基礎(chǔ)上混入氬氣。電子束中的高能電子可以達(dá)到幾千至幾萬電子伏特的能量,不僅可以使鍍料熔化蒸發(fā),而且能在熔化的鍍料表面激勵出二次電子。二次電子在上方正偏壓作用下加速,與鍍料蒸發(fā)中性粒子發(fā)生碰撞而電離成離子,在工件表面發(fā)生離化反應(yīng),從而獲得氧化物(如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等)。其特點(diǎn)是沉積率高,工藝溫度低。真空鍍膜技術(shù)被譽(yù)為較具發(fā)展前途的重要技術(shù)之一,并已在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展中展現(xiàn)出誘人的市場前景。北京真空鍍膜廠家

真空濺鍍通常指的是磁控濺鍍,屬于高速低溫濺鍍法。潮州鈦金真空鍍膜

真空鍍膜的物理過程:PVD(物理的氣相沉積技術(shù))的基本原理可分為三個工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞,產(chǎn)生多種反應(yīng)。(3)鍍料粒子在基片表面的沉積。熱蒸發(fā)主要是三個過程:1.蒸發(fā)材料從固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的過程。2.氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基底之間的運(yùn)輸 3.蒸發(fā)原子或分子在襯底表面上淀積過程,即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續(xù)薄膜的過程。潮州鈦金真空鍍膜