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四川氧化鉿代理價(jià)錢(qián)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-21

產(chǎn)品特點(diǎn):白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,10.1和9.68g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K。沸點(diǎn)5400K。氧化鉿 性質(zhì)熔點(diǎn) 2810 °C密度 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)折射率 2.13 (1700 nm)熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。產(chǎn)品應(yīng)用:二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。氧化鉿是怎么制備而來(lái)的?四川氧化鉿代理價(jià)錢(qián)

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料,因其較高的介電常數(shù)值(~20),較大的禁帶寬度(~5.5eV),以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來(lái)芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問(wèn)題,隨著晶體管的尺寸縮小,二氧化硅介質(zhì)要求必須越來(lái)Chemicalbook越薄,但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,所以急需一種更可行的物質(zhì)來(lái)取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。浙江氧化鉿眼睛防護(hù)氧化鉿的化學(xué)式是多少?

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通Chemicalbook過(guò)其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。安全信息安全說(shuō)明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關(guān)編碼28259085毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面:刺激皮膚和粘膜在眼睛上面:刺激的影響致敏作用:沒(méi)有已知的敏化現(xiàn)象。存儲(chǔ)方法常溫密閉,陰涼通風(fēng)干燥,合成方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過(guò)其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。

CAS號(hào):12055-23-1英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HfO2;Hafnia;dioxohafniuM;Hafnia,felt;HAFNIUMOXIDE;Hafniaparalvei;HAFNIUM(+4)OXIDE;Hafniabulkfiber;HAFNIUMChemicalbook(IV)OXIDE;hafniumoxide(hfo2)中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿;氧化鉿粉;氧化鉿氈;納米氧化鉿;納米二氧化鉿;氧化鉿25G;氧化鉿布,緞紋;氧化鉿纖維散棉;氧化鉿(IV);氧化鉿(III)CBNumber:CB5737990分子式:HfO2分子量:210.49氧化鉿化學(xué)性質(zhì)熔點(diǎn):2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形態(tài):powder顏色:Off-white氧化鉿是什么形狀的?

氧化鉿為白色立方晶體,比重9.68。熔點(diǎn)2,758±25℃。沸點(diǎn)約5,400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1,475~1,600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無(wú)機(jī)酸,但在氫氟酸中緩慢溶解?;瘜W(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿Chemicalbook[Hf(SO4)2],與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),與碳在1,500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。氧化鉿的分子量是多少?山西氧化鉿多少錢(qián)

氧化鉿的銷售公司有那些?四川氧化鉿代理價(jià)錢(qián)

性質(zhì)白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,10.1和10.43g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K。沸點(diǎn)5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。

應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。 四川氧化鉿代理價(jià)錢(qián)