漏電流：指加一半標稱直流電壓時測得的流過壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，過電壓能力強；平時漏電流小，放電后不會有續(xù)流，元件的標稱電壓等級多，便于用戶選擇；伏安特性是對稱的，可用于交、直流或正負浪涌；因此用途較廣。2、過電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結溫必須受到嚴格的控制，否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時，熱量來不及散發(fā)，使得結溫迅速升高，**終將導致結層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負載過載或短路，相鄰設備故障影響等。晶閘管過電流保護方法**常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞；所以不能用來保護晶閘管。正高電氣展望未來，信心百倍，追求高遠。內(nèi)蒙古穩(wěn)壓模塊

    晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國際標準封裝；3、真空+充氫保護焊接技術；4、壓接結構，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強迫風冷，300A以上模塊，既可選用風冷，也可選用水冷；7、安裝簡單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號說明：三、技術參數(shù)：型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結形式：五、產(chǎn)品應用：1、交直流電機控制；2、各種整流電源；3、工業(yè)加熱控制；4、調(diào)光；5、無觸點開關；6、電機軟起動；7、靜止無功補嘗；8、電焊機；9、變頻器；10、UPS電源；11、電池充放電。說明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值，表中其它參數(shù)皆jm下的測試值;，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S);d.當使用在電流為60HZ情況下，Itsm()=(10ms),I2t()=。內(nèi)蒙古蓄電池充放電單相交流調(diào)壓模塊正高電氣永遠是您身邊的行業(yè)**！

    所述第三螺栓和第三螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。此外，所述晶閘管單元中，所述壓塊7上還設置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈。相類似地，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈。為了實現(xiàn)門極銅排的安裝，所述外殼1上還設置有門極銅排安裝座。綜上所述，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠實現(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運行。對于本領域技術人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式*包含一個**的技術方案。

    晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下。從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結，從而提高起點流放大系數(shù)a2。正高電氣企業(yè)文化：服務至上，追求超越，群策群力，共赴超越。

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時，會產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會產(chǎn)生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時候盡量選擇帶過熱保護作用的模塊。當然，即便模塊帶過熱保護作用，而散熱器和風機也是不可缺少的。在使用中，當散熱條件不符合規(guī)定要求時，如室溫超過40℃、強迫風冷的出口風速不足6m/s等，則模塊的額定電流應立即降低使用，否則模塊會由于芯片結溫超過允許值而損壞。譬如。正高電氣公司自成立以來，一直專注于對產(chǎn)品的精耕細作。內(nèi)蒙古蓄電池充放電單相交流調(diào)壓模塊

“質量優(yōu)先，用戶至上，以質量求發(fā)展，與用戶共創(chuàng)雙贏”是正高電氣新的經(jīng)營觀。內(nèi)蒙古穩(wěn)壓模塊

    電力電子開關技術領域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術：電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現(xiàn)電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅動器件，如晶閘管、晶體管、場效應管、可控硅、繼電器等。其中，現(xiàn)有的晶閘管*能夠實現(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此，針對上述問題，有必要提出進一步的解決方案。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術中存在的不足。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述晶閘管單元包括：壓塊、門極壓接式組件、導電片、第二導電片、瓷板，所述壓塊設置于所述門極壓接式組件上，并通過所述門極壓接式組件對所述導電片、第二導電片、瓷板施加壓合作用力，所述導電片、第二導電片、瓷板依次設置于所述銅底板上；所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊、第二門極壓接式組件、第三導電片、鉬片、銀片、鋁片，所述第二壓塊設置于所述第二門極壓接式組件上。內(nèi)蒙古穩(wěn)壓模塊

淄博正高電氣有限公司是一家有著雄厚實力背景、信譽可靠、勵精圖治、展望未來、有夢想有目標，有組織有體系的公司，堅持于帶領員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍圖，在山東省淄博市等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎，也希望未來公司能成為*****，努力為行業(yè)領域的發(fā)展奉獻出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強不息，斗志昂揚的的企業(yè)精神將**正高電氣供應和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠實守信的方針，員工精誠努力，協(xié)同奮取，以品質、服務來贏得市場，我們一直在路上！