模塊內部晶閘管主要參數(shù)

（1）正反向峰值耐壓：≥1400V；

（2）di／dt：100A／μs；

（3）dv／dt：500V／μs

晶閘管智能模塊的應用方法

模塊的控制功能端口

模塊可應用于各行各業(yè)需要對電力能量大小進行調整和變換的場合。如變壓器調壓；加熱行業(yè)調溫；金屬加工行業(yè)的電鍍、電解；電源行業(yè)電池充放電、電源穩(wěn)壓；電磁行業(yè)的勵磁以及各行業(yè)使用的直流電機調速、交流電機軟起動等。

模塊如何使用？

模塊的使用非常簡單，只需用一個可調的電壓或者電流信號即可對模塊輸出電壓的大小進行平滑調節(jié)，從而實現(xiàn)弱電對強電的控制。

電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法?？刂菩盘柨梢杂?～5V，0～10V，4～20mA，0～10mA四種形式。

+12V：外接 +12V直流電源正極。

GND：直流電源地線。

GND1: 控制信號地線，與GND 相通。

CON10V: 0～10V 控制信號輸入

TESTE：檢測電源,方便用戶檢測模塊功能時用。可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。

CON20mA：4～20mA控制信號輸入 正高電氣以誠信為根本，以質量服務求生存。聊城MTDC200晶閘管智能模塊配件

    由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，所以元件在關斷過程中，正向電壓下降到零時，內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓，稱為關斷過電壓，其數(shù)值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。聊城MTDC200晶閘管智能模塊配件正高電氣以精良的產品品質和優(yōu)先的售后服務，全過程滿足客戶的***需求。

    這兩部分電路，R5、RP和C5構成阻容移相電路。合上電源開關S，交流電源電壓通過R5、RP向電容器C5充電，當電容器C5兩端的電壓上升到略高于雙向觸發(fā)二極管ST的轉折電壓時，ST和雙向晶閘管VS相繼導通，負載RL得電工作。當交流電源電壓過零瞬間，雙向晶閘管自行關斷，接著C5又被電源反向充電，重復上述過程。分析電路時，觸發(fā)電路是工作在交流電路中的，交流電壓的正、負半周分別會發(fā)出正、負觸發(fā)脈沖送到雙向晶閘管的控制極，使管子在正、負半周內對稱地導通一次。改變RP的阻值，就改變了C5的充電速度，也就改變了雙向晶閘管的導通角，相應地改變了負載RL上的交流電壓，實現(xiàn)了交流調壓。同是不是可以直接作交流調壓器使用呢？一個簡易型調壓器，在要求不高的場合（如燈具調光）完全可以使用。這種調壓器的缺點有兩個：一是負載RL上的電壓不能從零伏起調，比較低只能調到20V。當RP調到比較大值時，C5充電速度變得很慢，以致在交流電壓的半個周期時間內，C5上的電壓還來不及上升到雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓，雙向晶閘管就不能導通。為了克服這一缺點，增加了由R4、C4和R6組成的另一條阻容移相電路。當RP調到極限值以上時。C4上的電壓可經R6向C5充電。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡，該網(wǎng)絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡。正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。

    金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶閘管的工作原理晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受和種電壓，晶閘管都處于關短狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，*在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。3.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。4.晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關斷。從晶閘管的內部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分。以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務。濱州MTDC200晶閘管智能模塊報價

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    調節(jié)W2微調電位器可整定過壓電平。IC4D及周圍電路組成水壓過低延時保護電路，延時時間約3秒，輸入到IC6的27P，整流觸發(fā)脈沖；驅動“”LED指示燈亮和驅動報警繼電器。復位開關信號由CON2-6、CON2-7輸入，閉合狀態(tài)為復位/暫停。輸入到IC635P的時鐘信號CLOK1，其周期為20mS。7、控制板的接線端子與參數(shù)控制板共有32個M3接線端子，端子排列圖參見圖一，各端子功能表見表一。表一功能端子號參數(shù)故障輸出CON1-1CON1-2常開接點AC5A/220V，DC10A/28V常開接點的定觸頭，接電源N線電壓反饋信號CON2-1CON2-2VF中頻電壓12V電流反饋信號CON2-3CON2-4CON2-5IFAC，三相12V控制信號CON2-6CON2-7RST懸空為運行狀態(tài)，接地為停止運行和故障復位GND控制信號接地端（與給定共用）給定CON2-7CON2-8CON2-9GND給定接地端Vg給定：DC，0—+15VDC，+15V，比較大輸出20Ma電源CON3-1CON3-217VAC17V/2A逆變脈沖輸出CON3-3CON3-4CON3-5+22V逆變輸出公共端E端OUT逆變輸出端，比較大輸出15VOUT逆變輸出端，比較大輸出15V外故障輸入CON3-6CON3-7WP接地為故障狀態(tài)，OV燈亮，帶3秒延時。GND接地為故障地端頻率表CON3-8CON3-9頻率表正端F頻率表負端。聊城MTDC200晶閘管智能模塊配件

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