封裝基板的主流生產技術，主要的積層精細線路制作方法，半導體封裝基板層間互聯、積層精細線路制作方法是從高密度互聯/積層多層（High Density Interconnection/Build up Multilayer，HDI/BUM）衍生而來，HDI/BUM板制造工藝技術種類繁多，通過可生產性、可靠性和成本等各方面的優(yōu)勝劣汰和市場選擇，目前比較成熟的工藝集中在3-5種。早期的集成電路封裝基板由于封裝芯片I/O數有限，其主流制作技術是印制電路板制造通用技術—蝕刻銅箔制造電子線路技術，屬于減成法。金屬封裝的種類有光電器件封裝包括帶光窗型、帶透鏡型和帶光纖型。福建防震特種封裝

IGBT封裝工藝流程：1、超聲波清洗：通過清洗劑對焊接完成后的DBC半成品進行清洗，以保證IGBT芯片表面潔凈度滿足鍵合打線要求求。2、X-RAY缺陷檢測：通過X光檢測篩選出空洞大小符合標準的半成品，防止不良品流入下一道工序；3、自動鍵合：通過鍵合打線，IGBT芯片打線將各個IGBT芯片或DBC間連結起來，形成完整的電路結構。半導體鍵合AOI主要應用于WB段后的檢測，可為IGBT生產提供焊料、焊線、焊點、DBC表面、芯片表面、插針等全方面的檢測。4、激光打標：對IGBT模塊殼體表面進行激光打標，標明產品型號、日期等信息；8、殼體塑封：對殼體進行點膠并加裝底板，起到粘合底板的作用；5、功率端子鍵合；6、殼體灌膠與固化：對殼體內部進行加注A、B膠并抽真空，高溫固化 ，達到絕緣保護作用；7、封裝、端子成形：對產品進行加裝頂蓋并對端子進行折彎成形；8、功能測試：對成形后產品進行高低溫沖擊檢驗、老化檢驗后，測試IGBT靜態(tài)參數、動態(tài)參數以符合出廠標準 IGBT 模塊成品。廣東防潮特種封裝市場價格裸芯封裝的特點是器件體積小、效率高、可靠性好。

上述元器件的封裝工藝基本包括以下步驟：（一）準備階段：將需要焊接的元器件和對應的焊接設備準備好，并將元器件擺放在載盤上；（二）元器件放置：可利用吸嘴部件自動的方式，分別將焊接的兩工件放置于焊接設備的上電極和下電極；（三）焊接：使所需焊接的兩工件表面相接觸，當能量能使小面積焊點熔化時，焊接設備進行電容瞬時放電，即通過上下電極對兩工件進行放電，使得熔化的液體金屬填充滿焊接面；（四）冷卻：待焊接過程結束后，元器件冷卻至室溫，在焊接區(qū)域形成優(yōu)良的焊點，從而實現元器件的封裝目的。

芯片封裝類型有很多種，常見的幾種包括：1. DIP封裝（Dual Inline Package）：這是較早的一種芯片封裝類型，主要用于排列直插式的引腳。DIP封裝通常有直插式（Through-Hole）和表面貼裝式（Surface Mount）兩種形式。2. SOP封裝（Small Outline Package）：SOP是一種緊湊型封裝形式，引腳以細長的小腳排列在芯片兩側，并采用表面貼裝技術進行焊接。3. QFP封裝（Quad Flat Package）：QFP封裝是一種扁平封裝形式，引腳排列在四個側邊，并且每個側邊有多個引腳。QFP封裝常見的有QFP44、QFP64、QFP100等規(guī)格。SO類型封裝有很多種類，可以分為：SOP、TOSP、SSOP、VSOP、SOIC等類似于QFP形式的封裝。

金屬封裝，金屬封裝始于三極管封裝，后慢慢地應用于直插式扁平式封裝，基本上乃是金屬-玻璃組裝工藝。由于該種封裝尺寸嚴格、精度高、金屬零件便于大量生產，故其價格低、性能優(yōu)良、封裝工藝容易靈活，被普遍應用于晶體管和混合集成電路如振蕩器、放大器、鑒頻器、交直流轉換器、濾頗器、繼電器等等產品上，現在及將來許多微型封裝及多芯片模塊(MCM)也采用此金屬封裝。金屬封裝的種類有光電器件封裝包括帶光窗型、帶透鏡型和帶光纖型；分妒器件封裝包括A型、B型和C型；混合電路封裝包括雙列直插型和扁平型；特殊器件封裝包括矩正型、多層多窗型和無磁材料型。特種封裝指芯片特種外形封裝，和一般的芯片封裝不同。上海防爆特種封裝技術

金屬封裝應用于各類集成電路、微波器件、光通器件等產品，應用領域較為普遍。福建防震特種封裝

特種材質的超高頻RFID標簽封裝技術常用兩種：貼片技術（SMT）和綁線技術（Wire Bonding）。這些封裝技術主要服務的對象是特種材質標簽，如PCB抗金屬標簽等。這些封裝技術對比普通材質特種標簽封裝技術穩(wěn)定性高，生產設備價格便宜，但生產速度慢很多。標簽芯片較常見的形式是Wafer晶圓，其次是封裝片，還有少數的條帶Strap。其中封裝片的形式有多種，如DFN封裝、SOT封裝、QFN封裝。如圖4-79（a）所示為H3芯片的SOT323封裝照片，圖4-79（b）為封裝片的管腳說明。（a）封裝照片 （b）管腳示意圖。福建防震特種封裝

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