隨著科技的不斷進步，半導體行業(yè)正經(jīng)歷著一場由微型化和集成化驅(qū)動的變革。系統(tǒng)級封裝（System in Package，簡稱SiP）技術(shù)，作為這一變革的主要，正在引導著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過將多個功能組件集成到一個封裝中，不只節(jié)省了空間，還提高了性能，這對于追求高性能和緊湊設計的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。Sip技術(shù)是什么？SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進的封裝技術(shù)，SiP技術(shù)允許將多個集成電路（IC）或者電子組件集成到一個單一的封裝中。這種SiP封裝技術(shù)可以實現(xiàn)不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP技術(shù)的關(guān)鍵在于它提供了一種方式來構(gòu)建復雜的系統(tǒng)，同時保持小尺寸和高性能。SIP模組能夠減少倉庫備料的項目及數(shù)量，簡化生產(chǎn)的步驟。北京IPM封裝流程

sip封裝的優(yōu)缺點，SIP封裝的優(yōu)缺點如下：優(yōu)點：結(jié)構(gòu)簡單：SIP封裝的結(jié)構(gòu)相對簡單，制造和組裝過程相對容易。成本低：SIP封裝的制造成本較低，適合大規(guī)模生產(chǎn)?？煽啃愿撸篠IP封裝具有較好的密封性能，可以免受環(huán)境影響，提高產(chǎn)品的可靠性。適應性強：SIP封裝適用于對性能要求不高且需要大批量生產(chǎn)的低成本電子產(chǎn)品。缺點：引腳間距限制：SIP封裝的引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2至23不等，這限制了其在一些高密度、高性能應用中的使用。不適用于高速傳輸：由于SIP封裝的引腳間距較大，不適合用于高速數(shù)據(jù)傳輸。散熱性能差：SIP封裝的散熱性能較差，可能不適用于高功耗的芯片。深圳IPM封裝市價SiP 封裝所有元件在一個封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。

隨著物聯(lián)網(wǎng)時代越來越深入人心，不斷的開發(fā)和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，減少批量要求和初始投資，并在系統(tǒng)簡化方面呈現(xiàn)積極趨勢。此外，制造越來越大的單片SoC的推動力開始在設計驗證和可制造性方面遇到障礙，因為擁有更大的芯片會導致更大的故障概率，從而造成更大的硅晶圓損失。從IP方面來看，SiP是SoC的未來替代品，因為它們可以集成較新的標準和協(xié)議，而無需重新設計。此外，SiP方法允許更快、更節(jié)能的通信和電力輸送，這是在考慮Si應用的長期前景時另一個令人鼓舞的因素。

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝，若就排列方式進行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進一步增強SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過TSV（硅穿孔工藝）與基板結(jié)合。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。

SiP芯片成品的制造過程，系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)種類繁多，本文以雙面塑封SiP產(chǎn)品為例，簡要介紹SiP芯片成品的制造過程。SiP封裝通常在一塊大的基板上進行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。無源器件貼片，倒裝芯片封裝（Flip Chip）貼片——裸片（Die）通過凸點（Bump）與基板互連，回流焊接（正面）——通過控制加溫熔化封裝錫膏達到器件與基板間的鍵合焊線，鍵合（Wire Bond）——通過細金屬線將裸片與基板焊盤連接塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護裸片及元器件。SiP封裝通常在一塊大的基板上進行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。上海系統(tǒng)級封裝廠家

SiP 在應用終端產(chǎn)品領(lǐng)域（智能手表、TWS、手機、穿戴式產(chǎn)品、智能汽車）的爆發(fā)點也將愈來愈近。北京IPM封裝流程

SiP系統(tǒng)級封裝需求主要包括以下幾個方面：1、穩(wěn)定的力控制：在固晶過程中，需要對芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。然而，過大的壓力可能導致芯片損壞，而過小的壓力則可能導致連接不良。因此，固晶設備需要具備穩(wěn)定的力控制能力，以確保施加在芯片上的壓力恰到好處。2、溫度場及變形的控制：在固晶過程中，溫度的變化和基板的變形都可能影響芯片的位置和連接質(zhì)量。因此，固晶設備需要具備對溫度場和基板變形的控制能力，以確保在整個固晶過程中溫度和變形的穩(wěn)定。北京IPM封裝流程