對(duì)于堆疊結(jié)構(gòu)，可以區(qū)分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個(gè)或更多芯片堆疊并粘合在一個(gè)封裝中的組裝技術(shù)。這較初是作為一種將兩個(gè)內(nèi)存芯片放在一個(gè)封裝中以使內(nèi)存密度翻倍的方法而開(kāi)發(fā)的。 無(wú)論第二個(gè)芯片是在頭一個(gè)芯片的頂部還是在它旁邊，都經(jīng)常使用術(shù)語(yǔ)“堆疊芯片”。技術(shù)已經(jīng)進(jìn)步，可以堆疊許多芯片，但總數(shù)量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術(shù)已被證明可以多達(dá) 24 個(gè)芯片堆疊。然而，大多數(shù)使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術(shù)的來(lái)解決復(fù)雜的測(cè)試、良率和運(yùn)輸挑戰(zhàn)。芯片堆疊也普遍應(yīng)用在傳統(tǒng)的基于引線(xiàn)框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。在當(dāng)前時(shí)代，Sip系統(tǒng)級(jí)封裝（System-in-Package）技術(shù)嶄露頭角。江西芯片封裝行價(jià)

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝，若就排列方式進(jìn)行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對(duì)于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線(xiàn)鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進(jìn)的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過(guò)TSV（硅穿孔工藝）與基板結(jié)合。湖南陶瓷封裝測(cè)試SiP是使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路器件集成到一個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。

合封芯片應(yīng)用場(chǎng)景，合封芯片的應(yīng)用場(chǎng)景：合封芯片可用于需要多功能、高性能、高穩(wěn)定性、低功耗、省成本的應(yīng)用場(chǎng)景。例如家居電子：智能環(huán)境監(jiān)測(cè)系統(tǒng)可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)室內(nèi)空氣質(zhì)量、溫度、濕度等環(huán)境參數(shù)，并根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整。遙控玩具：遙控車(chē)可以集成多種傳感器和執(zhí)行器，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)避障、自動(dòng)跟隨等功能......應(yīng)用場(chǎng)景比較全，可以采購(gòu)原有合封芯片，還能進(jìn)行定制化云茂電子服務(wù)?？偨Y(jié)，合封芯片等于芯片合封技術(shù)，合封芯片又包含CoC封裝技術(shù)和SiP封裝技術(shù)等。如果需要更多功能、性能提升、穩(wěn)定性增強(qiáng)、功耗降低、開(kāi)發(fā)簡(jiǎn)單、防抄襲都可以找云茂電子。

在當(dāng)前時(shí)代，Sip系統(tǒng)級(jí)封裝（System-in-Package）技術(shù)嶄露頭角，通過(guò)將多個(gè)裸片（Die）和無(wú)源器件融合在單個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了集成電路封裝的創(chuàng)新突破。這項(xiàng)技術(shù)為芯片成品增加了明顯的集成度，有效減小產(chǎn)品體積，并在降低功耗方面取得了一定的成果。具體而言，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)將處理芯片、存儲(chǔ)芯片、被動(dòng)元件、連接器、天線(xiàn)等多功能器件整合在同一基板上，通過(guò)精密的鍵合和封裝過(guò)程，創(chuàng)造了一個(gè)外觀(guān)類(lèi)似單一芯片的模塊。盡管仍呈現(xiàn)芯片狀，但這一模塊實(shí)現(xiàn)了多顆芯片協(xié)同工作的強(qiáng)大功能。SIP板身元件尺寸小，密度高，數(shù)量多，傳統(tǒng)貼片機(jī)配置難以滿(mǎn)足其貼片要求。

無(wú)引線(xiàn)縫合（Wireless Bonding）：1、定義，不使用金線(xiàn)連接芯片電極和封裝基板的方法。2、分類(lèi)；3、TAB，① 工藝流程，使用熱棒工具，將劃片后的芯片Al焊盤(pán)（通過(guò)電鍍工藝形成Au凸點(diǎn)）與TAB引腳（在聚酰亞胺膠帶開(kāi)頭處放置的Cu引腳上鍍金而成）進(jìn)行熱黏合，使其鍵合到一起。② 特色，TAB引線(xiàn)有規(guī)則地排列在聚酰亞胺帶上，以卷軸的形式存放。4、FCB，F(xiàn)CB工藝流程：① 在芯片電極上形成金球凸點(diǎn)；② 將芯片翻轉(zhuǎn)朝下，與高性能LSI專(zhuān)門(mén)使用的多層布線(xiàn)封裝基板的電極對(duì)齊，然后加熱連接；③ 注入樹(shù)脂以填滿(mǎn)芯片與封裝基板之間的間隙（底部填充）；④ 在芯片背面貼上散熱片，在封裝基板外部引腳掛上錫球。從某種程度上說(shuō)：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和組件）。山東系統(tǒng)級(jí)封裝型式

SiP模組是一個(gè)功能齊全的子系統(tǒng)，它將一個(gè)或多個(gè)IC芯片及被動(dòng)元件整合在一個(gè)封裝中。江西芯片封裝行價(jià)

通信SiP 在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域的應(yīng)用較早，也是應(yīng)用較為普遍的領(lǐng)域。在無(wú)線(xiàn)通訊領(lǐng)域，對(duì)于功能傳輸效率、噪聲、體積、重量以及成本等多方面要求越來(lái)越高，迫使無(wú)線(xiàn)通訊向低成本、便攜式、多功能和高性能等方向發(fā)展。SiP 是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢(shì)，降低成本，縮短上市時(shí)間，同時(shí)克服了 SOC 中諸如工藝兼容、信號(hào)混合、噪聲干擾、電磁干擾等難度。手機(jī)中的射頻功放，集成了頻功放、功率控制及收發(fā)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)等功能，完整地在 SiP 中得到了解決。江西芯片封裝行價(jià)