根據(jù)國際半導(dǎo)體路線組織（ITRS）的定義： SiP（System-in-package）為將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實現(xiàn)一定功能的單個標準封裝件，形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。SiP技術(shù)特點：組件集成，SiP可以包含各種類型的組件，如：數(shù)字和模擬集成電路，無源元件（電阻、電容、電感），射頻（RF）組件，功率管理模塊，內(nèi)存芯片（如DRAM、Flash），傳感器和微電機系統(tǒng)（MEMS）。SiP 封裝優(yōu)勢：縮短產(chǎn)品研制和投放市場的周期。天津芯片封裝參考價

封裝（Package），是把晶圓上切下來的裸片裝配為芯片較終產(chǎn)品的過程，簡單地說，就是把制造廠生產(chǎn)出來的集成電路裸片放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來，然后固定包裝成為一個整體。作為動詞，“封裝”強調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動作；作為名詞，“封裝”主要關(guān)注封裝的形式、類別、基底、外殼、引線材料，強調(diào)其保護芯片、增強電熱性能、方便整機裝配的重要作用。SiP封裝是將不同功能的裸芯片，包括CPU、GPU、存儲器等集成在一個封裝體內(nèi)，從而實現(xiàn)一整個芯片系統(tǒng)。南通陶瓷封裝參考價Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時減少了對外圍器件的依賴。

SiP系統(tǒng)級封裝需求主要包括以下幾個方面：1、穩(wěn)定的力控制：在固晶過程中，需要對芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。然而，過大的壓力可能導(dǎo)致芯片損壞，而過小的壓力則可能導(dǎo)致連接不良。因此，固晶設(shè)備需要具備穩(wěn)定的力控制能力，以確保施加在芯片上的壓力恰到好處。2、溫度場及變形的控制：在固晶過程中，溫度的變化和基板的變形都可能影響芯片的位置和連接質(zhì)量。因此，固晶設(shè)備需要具備對溫度場和基板變形的控制能力，以確保在整個固晶過程中溫度和變形的穩(wěn)定。

突破「微小化」競爭格局，憑借異質(zhì)整合微小化優(yōu)勢，系統(tǒng)級封裝能集成不同制程技術(shù)節(jié)點 (technology node)，不同功能、不同供貨商，甚至是不同半導(dǎo)體原材料的組件，整體可為產(chǎn)品節(jié)省約30-40%的空間，也能依據(jù)需求客制模塊外型并一定程度簡化系統(tǒng)主板設(shè)計，讓主板、天線及機構(gòu)的設(shè)計整合上更加有彈性。同時，相較于IC制程的開發(fā)限制，系統(tǒng)整合模塊可以在系統(tǒng)等級功能就先進行驗證與認證，加速終端產(chǎn)品開發(fā)，集中系統(tǒng)產(chǎn)品研發(fā)資源。 SiP技術(shù)是全球封測業(yè)者較看重的焦點，系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)的突破正在影響產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈、改變競爭格局。云茂電子從Wi-Fi模塊產(chǎn)品就開始進行布局、站穩(wěn)腳步，積累多年在射頻、穿戴式裝置等產(chǎn)品的豐富制程經(jīng)驗，透過「一站式系統(tǒng)級封裝服務(wù)」協(xié)助客戶實現(xiàn)構(gòu)想。 SiP封裝是將多個半導(dǎo)體及一些必要的輔助零件，做成一個相對單獨的產(chǎn)品。

5G手機集成度的進一步提高，極大提升了SiP需求。SiP技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)的一個重要趨勢，它通過高度的集成化和微型化，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的設(shè)計和功能提供了新的可能性。隨著技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用的不斷拓展，SiP有望在未來的電子設(shè)備中扮演更加重要的角色。SiP系統(tǒng)級封裝，SiP封裝是合封電子的其中一種技術(shù)。SiP封裝( System In a Package)是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實現(xiàn)一定功能的單個標準封裝件。不同的芯片排列方式，與不同的內(nèi)部接合技術(shù)搭配，使 SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。重慶系統(tǒng)級封裝流程

預(yù)計到2028年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入將達到338億美元，年復(fù)合增長率為8.1%。天津芯片封裝參考價

SiP模塊可靠度及失效分析，由于內(nèi)部線路和基板之間的復(fù)雜鏈接，當模塊出現(xiàn)問題時，分析微米級組件的異常變得特別具有挑戰(zhàn)性，尤其是在電性測試期間，其他部件的導(dǎo)電性會影響測定結(jié)果。而且某些異常污染可能光只有幾奈米的厚度，如：氧化或微侵蝕，使用一般的光學(xué)或電子顯微鏡根本無法發(fā)現(xiàn)。為了將制程問題降至較低，云茂電子在SiP模塊失效分析領(lǐng)域持續(xù)強化分析能力，以X射線檢測(3D X–ray)、材料表面元素分析(XPS) 及傅立葉紅外線光譜儀（FTIR）等三大品管儀器找出解決之道。 天津芯片封裝參考價