淺談系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的優(yōu)勢(shì)及失效分析，半導(dǎo)體組件隨著各種消費(fèi)性通訊產(chǎn)品的需求提升而必須擁有更多功能，組件之間也需要系統(tǒng)整合。因應(yīng)半導(dǎo)體制程技術(shù)發(fā)展瓶頸，系統(tǒng)單芯片（SoC）的開(kāi)發(fā)效益開(kāi)始降低，異質(zhì)整合困難度也提高，成本和所需時(shí)間居高不下。此時(shí)，系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的市場(chǎng)機(jī)會(huì)開(kāi)始隨之而生。 采用系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的優(yōu)勢(shì)，SiP，USI 云茂電子一站式微小化解決方案，相較于SoC制程，采用系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的較大優(yōu)勢(shì)來(lái)自于可以根據(jù)功能和需求自由組合，為客戶提供彈性化設(shè)計(jì)。以較常見(jiàn)的智能型手機(jī)為例，常見(jiàn)的的功能模塊包括傳感器、Wi-Fi、BT/BLE、RF FEM、電源管理芯片…...等。而系統(tǒng)級(jí)封裝即是將這些單獨(dú)制造的芯片和組件共同整合成模塊，再?gòu)膯我还δ苣K整合成子系統(tǒng)，再將該系統(tǒng)安裝到手機(jī)系統(tǒng)PCB上。SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測(cè)試環(huán)境的關(guān)鍵載體。貴州系統(tǒng)級(jí)封裝精選廠家

SIP工藝解析：裝配焊料球，目前業(yè)內(nèi)采用的植球方法有兩種：“錫膏”+“錫球”和“助焊膏”+“錫球”。(1)“錫膏”+“錫球”，具體做法就是先把錫膏印刷到BGA的焊盤(pán)上，再用植球機(jī)或絲網(wǎng)印刷在上面加上一定大小的錫球。(2)“助焊膏”+“錫球”，“助焊膏”+“錫球”是用助焊膏來(lái)代替錫膏的角色。分離，為了提高生產(chǎn)效率和節(jié)約材料，大多數(shù)SIP的組裝工作都是以陣列組合的方式進(jìn)行，在完成模塑與測(cè)試工序以后進(jìn)行劃分，分割成為單個(gè)的器件。劃分分割主要采用沖壓工藝。上海MEMS封裝流程SiP系統(tǒng)級(jí)封裝作為一種集成封裝技術(shù)，在滿足多種先進(jìn)應(yīng)用需求方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

SiP 可以將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無(wú)源器件，諸如 MEMS 或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。這么看來(lái)，SiP 和 SoC 極為相似，兩者的區(qū)別是什么？能較大限度地優(yōu)化系統(tǒng)性能、避免重復(fù)封裝、縮短開(kāi)發(fā)周期、降低成本、提高集成度。對(duì)比 SoC，SiP 具有靈活度高、集成度高、設(shè)計(jì)周期短、開(kāi)發(fā)成本低、容易進(jìn)入等特點(diǎn)。而 SoC 發(fā)展至今，除了面臨諸如技術(shù)瓶頸高、CMOS、DRAM、GaAs、SiGe 等不同制程整合不易、生產(chǎn)良率低等技術(shù)挑戰(zhàn)尚待克服外，現(xiàn)階段 SoC 生產(chǎn)成本高，以及其所需研發(fā)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)等因素，都造成 SoC 的發(fā)展面臨瓶頸，也造就 SiP 的發(fā)展方向再次受到普遍的討論與看好。

合封電子的功能，性能提升，合封電子：通過(guò)將多個(gè)芯片或模塊封裝在一起，云茂電子可以明顯提高數(shù)據(jù)處理速度和效率。由于芯片之間的連接更緊密，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，從而提高了整體性能。穩(wěn)定性增強(qiáng)，合封電子：由于多個(gè)芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以減少故障率。功耗降低、開(kāi)發(fā)簡(jiǎn)單，合封電子：由于多個(gè)芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗。此外，通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部連接和布局，可以進(jìn)一步降低功耗。防抄襲，多個(gè)芯片和元器件模塊等合封在一起，就算被采購(gòu)，也無(wú)法模仿抄襲。封裝基板的分類(lèi)有很多種，目前業(yè)界比較認(rèn)可的是從增強(qiáng)材料和結(jié)構(gòu)兩方面進(jìn)行分類(lèi)。

SIP工藝解析：引線鍵合，在塑料封裝中使用的引線主要是金線，其直徑一般0.025mm～0.032mm。引線的長(zhǎng)度常在1.5mm～3mm之間，而弧圈的高度可比芯片所在平面高0.75mm。鍵合技術(shù)有熱壓焊、熱超聲焊等。等離子清洗，清洗的重要作用之一是提高膜的附著力。等離子體處理后的基體表面，會(huì)留下一層含氯化物的灰色物質(zhì)，可用溶液去掉。同時(shí)清洗也有利于改善表面黏著性。液態(tài)密封劑灌封，將已貼裝好芯片并完成引線鍵合的框架帶置于模具中，將塑封料的預(yù)成型塊在預(yù)熱爐中加熱，并進(jìn)行注塑。SiP封裝方法的應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)展到工業(yè)控制、智能汽車(chē)、云計(jì)算、醫(yī)療電子等許多新興領(lǐng)域。上海MEMS封裝流程

由于SiP電子產(chǎn)品向高密度集成、功能多樣化、小尺寸等方向發(fā)展，傳統(tǒng)的失效分析方法已不能完全適應(yīng)。貴州系統(tǒng)級(jí)封裝精選廠家

系統(tǒng)級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個(gè)組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個(gè)或多個(gè)芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內(nèi)存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個(gè)芯片上，然后將其封裝到單個(gè)芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來(lái)自不同工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨(dú)芯片，將它們連接并組合成單個(gè)封裝到單個(gè)基板（PCB）上?？紤]到這一點(diǎn)，很容易看出，與類(lèi)似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進(jìn)步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個(gè)主要因素推動(dòng)了當(dāng)前用SiP取代SoC的趨勢(shì)：貴州系統(tǒng)級(jí)封裝精選廠家