SL2021D是一款電容式觸摸控制 ASIC，支持雙通道觸摸輸入，單線(xiàn)編碼輸出，具有低功耗、高抗干擾、寬工作電壓范圍、高穿透力的突出優(yōu)勢(shì)。2.主要特性● 工作電壓范圍∶2.4~5.5V● 待機(jī)電流約 9uA@Vop=5V&CMOD=10nF雙通道觸摸輸入單線(xiàn)編碼輸出，采用電荷分享方式實(shí)現(xiàn)觸摸。心內(nèi)置穩(wěn)壓源、上電復(fù)位和低壓復(fù)位等硬件模塊[內(nèi)置實(shí)時(shí)環(huán)境自適應(yīng)、高效數(shù)字濾波等軟件算法●HBM ESD優(yōu)于 5KV。芯片采用單線(xiàn)編碼輸出按鍵鍵值。一幀碼為8 位，前4位為固定值 4b'1010，后4位為按鍵數(shù)據(jù)。長(zhǎng)按鍵持續(xù)發(fā)碼，二幀碼間隔時(shí)間為20ms。拔掉外部電源，所有功能無(wú)效，通電時(shí)功能恢復(fù)正常。錄音芯片原廠(chǎng)

SL233D-HTonTouchTM是一個(gè)觸摸板探測(cè)器IC，提供1個(gè)觸摸鍵。該設(shè)備是內(nèi)置的觸摸傳感器調(diào)節(jié)器。穩(wěn)定的傳感方法可以覆蓋分集條件。觸摸檢測(cè)IC旨在用不同的襯墊尺寸取代傳統(tǒng)的直接按鍵鍵。低功耗和較寬的工作電壓是直流或交流應(yīng)用的接觸關(guān)鍵特點(diǎn)。特征工作電壓2.4V~5.5V·內(nèi)置觸摸傳感器調(diào)節(jié)器-內(nèi)置低壓復(fù)位(LVR)功能工作電流，@VDD=3V無(wú)負(fù)載在低功率模式下典型的2。5uA，比較大5uA響應(yīng)時(shí)間比較大約220毫米在低功率模式@VDD=3V靈敏度可以調(diào)整的電容(1~50pF)外·穩(wěn)定觸摸檢測(cè)人體取代傳統(tǒng)的直接開(kāi)關(guān)關(guān)鍵提供低功率模式提供直接輸出或切換輸出選擇針選項(xiàng)（針）Q針CMOS輸出可以選擇活動(dòng)高或主動(dòng)低針選項(xiàng)(AHLB針)·比較大時(shí)間16秒·開(kāi)機(jī)后大約0。5秒穩(wěn)定時(shí)間，在時(shí)間內(nèi)不觸摸鍵盤(pán)，和功能禁用自動(dòng)校準(zhǔn)壽命重新校準(zhǔn)時(shí)間大約是在開(kāi)機(jī)后8秒內(nèi)的1秒。當(dāng)按鍵在8秒內(nèi)被觸摸或按鍵在開(kāi)機(jī)后8秒內(nèi)未被觸摸，則重新校準(zhǔn)周期更改為4秒應(yīng)用范圍的消費(fèi)產(chǎn)品按鍵更換1/8時(shí)鐘芯片原廠(chǎng)不同的芯片有不同的集成規(guī)模，大到幾億；小到幾十、幾百個(gè)晶體管。

低功耗芯片設(shè)計(jì)是本世紀(jì)以來(lái)重要的新興設(shè)計(jì)方法。可以說(shuō)沒(méi)有低功耗設(shè)計(jì)，就沒(méi)有的智能手機(jī)，移動(dòng)設(shè)備，物聯(lián)網(wǎng)，及高性能計(jì)算等產(chǎn)業(yè)。本文從芯片功耗和電源噪聲的分析開(kāi)始，介紹了低功耗設(shè)計(jì)的幾種常用方法，并給出了低功耗設(shè)計(jì)的幾種可能的發(fā)展方向?？梢灶A(yù)見(jiàn)，作為一種的芯片設(shè)計(jì)方法，隨著芯片圖形尺寸越來(lái)越小，低功耗設(shè)計(jì)在現(xiàn)在及未來(lái)的芯片中會(huì)起到越來(lái)越重要的作用。個(gè)為解決設(shè)計(jì)復(fù)雜度的階段：80年發(fā)的邏輯綜合工具極大得提高了設(shè)計(jì)效率及規(guī)模；第二個(gè)為提高時(shí)鐘頻率的階段：90年代為了提高運(yùn)算速度，時(shí)鐘頻率從幾十MHz提高到幾百M(fèi)Hz，甚至達(dá)到了GHz。

例如本世紀(jì)初Digital公司的Alpha芯片的時(shí)鐘頻率為1.4GHz）。芯片設(shè)計(jì)也是圍繞著時(shí)鐘頻率與時(shí)序進(jìn)行，例如像時(shí)序驅(qū)動(dòng)的邏輯綜合及布局布線(xiàn)等。第三個(gè)為低功耗設(shè)計(jì)階段。我們知道，CMOS電路（絕大多數(shù)集成電路芯片都采用CMOS電路）的動(dòng)態(tài)功耗（也叫工作功耗）與時(shí)鐘頻率成正比，同時(shí)也與電源電壓的平方成正比。這樣一來(lái)，隨著時(shí)鐘頻率的增加，芯片的功耗也隨之快速上升（例如Alpha芯片的功耗為125瓦）。進(jìn)入二十一世紀(jì)后，人們逐漸認(rèn)識(shí)到單純靠增加時(shí)鐘頻率再也不能提高性能了。相反的，功耗的增加帶來(lái)了一系列問(wèn)題。例如芯片溫度增高引起的散熱及電路性能下降，電源及信號(hào)噪聲管理（power integrity - PI, signal integrity - SI）等。本世紀(jì)初以來(lái)移動(dòng)設(shè)備特別是手機(jī)的興起更是引發(fā)了低功耗芯片設(shè)計(jì)的浪潮。符合人體內(nèi)生物鐘的規(guī)律，自然輕松地醒來(lái)，心情愉悅；

低功耗LDO芯片SL7550是一款低功耗的LDO線(xiàn)性穩(wěn)壓器。SL7550采用高壓CMOS工藝，比較大人電壓可達(dá)到2并且在任何電壓下都可以保持極低的空載電流。SL7550可以在輸入、輸出壓差極小的況下帶載100mA電流，在各種應(yīng)用條件下SL7550保持良好的調(diào)整率。特點(diǎn)∶·輸出電壓精度∶±2%·輸出電壓范圍∶3V~5V·比較大輸出電流∶100mA（Pd≤250mW）·比較大輸入電壓∶24V·空載電流∶2.0

市場(chǎng)應(yīng)用于鋰電池供電設(shè)備、通訊設(shè)備、視頻、音頻設(shè)備。封裝SOT-89-3L 在使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）包裝前，每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過(guò)程稱(chēng)為晶圓測(cè)試或晶圓探通。籃球計(jì)分器芯片品質(zhì)

采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線(xiàn)互連一起，封裝在一個(gè)管殼內(nèi)。錄音芯片原廠(chǎng)

英特爾曾在1999年給出了其處理器功率密度隨著時(shí)間的變化（如圖1所示）?？梢钥吹剑凑债?dāng)時(shí)的發(fā)展趨勢(shì)（摩爾定律），晶體管的尺寸逐年縮小，芯片上的功率密度將很快達(dá)到甚至超過(guò)核反應(yīng)堆甚至火箭噴口的功率密度 --- 這是一個(gè)不可控的狀態(tài)。因此，當(dāng)時(shí)的業(yè)界共識(shí)是35納米就是工藝水平及其電路的極限了。然而事實(shí)上，現(xiàn)在的工藝水平已經(jīng)達(dá)到了7納米，而且還在繼續(xù)往前發(fā)展。這里面低功耗設(shè)計(jì)功不可沒(méi)?？梢哉f(shuō)沒(méi)有低功耗設(shè)計(jì)，就沒(méi)有納米級(jí)的電路及芯片，更不用說(shuō)我們?nèi)巳耸褂玫闹悄苁謾C(jī)了。錄音芯片原廠(chǎng)

三力泰實(shí)業(yè)（深圳）股份有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身不努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同三力泰實(shí)業(yè)供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái)，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿(mǎn)的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！