【真空鍍膜之離子束濺射鍍膜】離子束濺射沉積法在離子源內(nèi)由惰性氣體(通常為氬)產(chǎn)生具有較高能量的離子轟擊靶材料，把靶材料沉積到基片上的方法。離子束濺射沉積法的一da優(yōu)點是基片相對于離子源和靶是du立的，它的溫度可以單獨控制?；ǔ＝拥匚?，它和靶與高頻電路無關，不會象陰極濺射鍍膜那樣受到高能電子的轟擊，因而溫度較低。所以只要配置一臺較好的恒溫循環(huán)器(如HX1050型，控溫范圍為-10℃~50℃，精度≤0。5℃)，實現(xiàn)對樣品臺的單獨控溫，就可以根據(jù)不同樣品的要求以及薄膜生長不同階段的溫度需要進行適當調(diào)節(jié)。根據(jù)現(xiàn)有離子束濺射設備的構造，設計、加工了專門的金屬樣品架，放上樣品后蓋上金屬壓片，用螺絲緊密地固定在鍍膜腔體的樣品臺上，可使樣品和控溫的樣品臺有良好的熱接觸。并在樣品架中放置了一個測溫鉑電阻，用螺絲把金屬壓片連同其下的鉑電阻一起固定壓緊，再用導線引出與高精度的萬用表相連，以監(jiān)測薄膜生長過程中的樣品溫度。真空鍍膜機的操作培訓。廣西光學真空鍍膜機書籍

【真空鍍膜機之卷繞式鍍膜機】鍍膜產(chǎn)品廣fan用于裝飾、包裝、電容器等領域中，可鍍光學、電學、電磁、導電等多種薄膜。所用基材有PE、PET、PI、PP、OPP、BOPP、紙、泡沫塑料及布等。一般塑料基薄膜材料含水量為1%～2%，紙含水量更da，一般為5%-7%，經(jīng)涂布烘干后，含水量仍有3%。由于基材含水量高，故鍍膜室由初始的單室發(fā)展到目前雙室或多室結構。蒸發(fā)源可以是電阻式、感應式、電子柬式以及磁控濺射式。雙室結構應用普遍，其優(yōu)點是：①可以蒸鍍放氣量較da的紙基材，并能保障鍍膜質(zhì)量。紙放出的da量氣體從卷繞室中被排走。由于卷繞室與蒸鍍室之間隔板窄縫很小，使放出來的氣體不易進入蒸鍍室中；②單室結構必須配置較da的排氣系統(tǒng)才能保障蒸鍍時的工作壓力，而雙室結構中的蒸鍍室氣體量較小，可配小型抽氣機組，使設備成本降低，并節(jié)約能源；③卷繞室與蒸鍍室分別抽氣，可縮短抽氣時間。 　　卷繞式真空鍍膜機在結構上除了有一般鍍膜機所有的結構外，必須有一個為了實現(xiàn)連續(xù)鍍膜而設置的卷繞機構。由于被鍍基體是紙或塑料，放氣量較da，因此，在真空室的結構上又有單室和多室之分。 貴州學生實驗真空鍍膜機真空鍍膜機的工作原理。

【真空鍍膜技術專業(yè)詞匯】真空鍍膜vacuum coating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。 基片substrate：膜層承受體。 試驗基片testing substrate：在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結束后用作測量和（或）試驗的基片。 鍍膜材料coating material：用來制取膜層的原材料。 蒸發(fā)材料evaporation material：在真空蒸發(fā)中用來蒸發(fā)的鍍膜材料。 濺射材料sputtering material：有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。 膜層材料(膜層材質(zhì))film material：組成膜層的材料。 蒸發(fā)速率evaporation rate：在給定時間間隔內(nèi),蒸發(fā)出來的材料量,除以該時間間隔 濺射速率sputtering rate：在給定時間間隔內(nèi),濺射出來的材料量,除以該時間間隔。 沉積速率deposition rate：在給定時間間隔內(nèi),沉積在基片上的材料量,除以該時間間隔和基片表面積。 鍍膜角度coating angle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。

【真空鍍膜機之卷繞機構設計中應考慮的問題】 ①提高卷繞速度的問題。卷繞速度即是帶狀基材運動的線速度，它是卷繞機構的一個主要技術指櫟。國內(nèi)早期鍍膜機卷繞速度只有10m/min，現(xiàn)在也只有80m/min～120m/min，在國外日本的EW系列產(chǎn)品中，其卷繞速度已達到300m/min，德國L．H公司生產(chǎn)的鍍膜機已達到600m/min，可見隨著鍍膜技術的發(fā)展，卷繞速度有待提高。 ②帶狀基材的線速恒定問題。這一問題也很重要，因為只有卷繞機構保證帶狀基材的線速恒定，才能使基材上鍍層厚度均勻。這一點對制備帶狀基材的功能性膜（如電容器膜）尤為重要。 ③帶狀基材的跑偏和起褶問題。隨著卷繞速度的提高，帶狀基材在卷繞鍍膜過程中，起褶和發(fā)生偏斜，嚴重時會造成基材的斷裂，使生產(chǎn)中斷，既影響生產(chǎn)效率，又浪費材料。因此，在卷繞機構的設計中應充分考慮這一問題。 真空鍍膜機品牌排行。

【真空鍍膜機清洗工藝之真空加熱清洗】 將工件放置于常壓或真空中加熱．促使其表面上的揮發(fā)雜質(zhì)蒸發(fā)來達到清洗的目的，這種方法的清洗效果與工件的環(huán)境壓力、在真空中保留時間的長短、加熱溫度、污染物的類型及工件材料有關。其原理是加熱工件．促使其表面吸附的水分子和各種碳氫化合物分子的解吸作用增強。解吸增強的程度與溫度有關。在超高真空下，為了得到原子級清潔表面，加熱溫度必高于450度才行．加熱清洗方法特別有效。但有時，這種處理方法也會產(chǎn)生副作用。由于加熱的結果，可能發(fā)生某些碳氫化合物聚合成較da的團粒，并同時分解成碳渣。 真空鍍膜機真空四個階段。湖北手機真空鍍膜機

離子真空鍍膜機是什么？廣西光學真空鍍膜機書籍

【真空鍍膜設備的正常工作條件】 1、環(huán)境溫度：10~30℃ 2、相對濕度：不da于70% 3、冷卻水進水溫度：不高于25℃ 4、冷卻水質(zhì)：城市自來水或質(zhì)量相當?shù)乃?5、供電電壓：380V，三相50Hz或220V，單相50Hz（由所用電器需要而定），電壓波動范圍342~399V或198V~231V，頻率波動范圍49~51Hz； 6、設備所需的壓縮空氣、液氮、冷熱水等壓力、溫度、消耗量均應在產(chǎn)品使用說明書上寫明。 7、設備周圍環(huán)境整潔、空氣清潔，不應有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導電的塵?；驓怏w存在。 此外，真空鍍膜設備所在實驗室或車間應保持清潔衛(wèi)生。地面為水磨石或木質(zhì)涂漆地面、無塵埃。為防止機械泵工作時排出的氣體對實驗室環(huán)境的污染，可采用在泵的排氣口上面裝設排氣管道（金屬、橡膠管）的辦法，將氣體排出室外。 廣西光學真空鍍膜機書籍

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