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天津uv光學(xué)鍍膜設(shè)備

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-03-02

【磁控濺射光學(xué)鍍膜設(shè)備及鍍膜方法】設(shè)備包含真空鍍膜室、磁控濺射靶組件、立式旋轉(zhuǎn)鼓,真空鍍膜室為立式圓筒形結(jié)構(gòu),立式旋轉(zhuǎn)鼓位于真空鍍膜室內(nèi),繞垂直軸線旋轉(zhuǎn),立式旋轉(zhuǎn)鼓中心設(shè)置有旋轉(zhuǎn)密封箱,旋轉(zhuǎn)密封箱內(nèi)設(shè)置有膜厚測量儀表,旋轉(zhuǎn)密封箱的上部連接有旋轉(zhuǎn)軸,旋轉(zhuǎn)密封箱內(nèi)的氣氛與真空鍍膜室隔離。多組磁控濺射靶組件設(shè)置在立式旋轉(zhuǎn)鼓wai圍的真空鍍膜室的側(cè)壁上。鍍膜方法包括將需要鍍膜的工件裝卡到鍍膜設(shè)備的立式旋轉(zhuǎn)鼓的側(cè)面,對鍍膜設(shè)備抽真空;轉(zhuǎn)動(dòng)立式旋轉(zhuǎn)鼓達(dá)到設(shè)定的轉(zhuǎn)速;啟動(dòng)射頻離子源;交替啟動(dòng)第一種材料的磁控靶靶和第二種材料的磁控靶,按工藝要求鍍制膜層。 成都國泰光學(xué)鍍膜設(shè)備怎么樣?天津uv光學(xué)鍍膜設(shè)備

【光學(xué)鍍膜技術(shù)的未來前景】我國的光學(xué)和光電子行業(yè)在產(chǎn)能擴(kuò)充和技術(shù)更替中需要大量的中高duan光學(xué)鍍膜機(jī)。而相關(guān)元器件研發(fā)過程中,及時(shí)的工藝創(chuàng)新和相應(yīng)的裝備支持也是整個(gè)行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新的基石和可持續(xù)發(fā)展的基本戰(zhàn)略。 我國已在精密機(jī)械、真空技術(shù)、光電子技術(shù)和光機(jī)電自動(dòng)化控制等領(lǐng)域開展了大量的研究工作,獲得了長足的技術(shù)進(jìn)步,并形成了完善的產(chǎn)業(yè)集群,這些是研制高duan光學(xué)薄膜裝備的重要基礎(chǔ)。 如果光學(xué)鍍膜裝備領(lǐng)域能牽引光機(jī)電、真空機(jī)械、薄膜工藝等領(lǐng)域的協(xié)同創(chuàng)新,共同研制出屬于我們自己的高duan光學(xué)鍍膜機(jī),將進(jìn)一步加速我國光學(xué)和光電子行業(yè)的發(fā)展。因此,也建議該領(lǐng)域能得到國家和地方更多的重視與投入。 浙江光學(xué)鍍膜設(shè)備貴嗎國產(chǎn)光學(xué)鍍膜設(shè)備廠商推薦。

【光學(xué)鍍膜加工需要注意什么】當(dāng)光線進(jìn)入不同傳遞物質(zhì)時(shí)(如由空氣進(jìn)入玻璃),大約有5%會(huì)被反射掉,在光學(xué)瞄準(zhǔn)鏡中有許多透鏡和折射鏡,整個(gè)加起來可以讓入射光線損失到達(dá)30%至40%?,F(xiàn)代光學(xué)透鏡通常都鍍有單層或多層氟化鎂的增透膜,單層增透膜可使反射減少至1.5%,多層增透膜則可讓反射降低至0.25%,所以整個(gè)瞄準(zhǔn)鏡如果加以適當(dāng)鍍膜,光線透穿率可達(dá)95%,鍍了單層增透膜的鏡片通常是藍(lán)紫se或是紅se,鍍多層增透膜的鏡片則呈淡綠se或暗紫se。 光學(xué)鍍膜機(jī)增透膜增加透射光強(qiáng)度的實(shí)質(zhì)是作為電磁波的光波在傳播在過程中,在不同介質(zhì)的分界面上,由于邊界條件的不同,改變了其能量的分布,對于單層薄膜來說,當(dāng)增透膜兩邊介質(zhì)不同時(shí),薄膜厚度為1/4波長的奇數(shù)倍且薄膜的折射率n=(n1*n2)^(1/2)時(shí)(分別是介質(zhì)1、2的折射率),才可以使入射光全部透過介質(zhì)。一般光學(xué)透鏡都是在空氣中使用,對于一般折射率在1.5左右的光學(xué)玻璃,為使單層膜達(dá)到100%的增透效果,可使n1=1.23,或接近1.23

【光學(xué)薄膜的特點(diǎn)】表面光滑,膜層之間的界面呈幾何分割;膜層的折射率在界面上可以發(fā)生躍變,但在膜層內(nèi)是連續(xù)的;可以是透明介質(zhì),也可以是吸收介質(zhì);可以是法向均勻的,也可以是法向不均勻的。實(shí)際應(yīng)用的薄膜要比理想薄膜復(fù)雜得多。這是因?yàn)椋褐苽鋾r(shí),薄膜的光學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)偏離大塊材料,其表面和界面是粗糙的,從而導(dǎo)致光束的漫散射;膜層之間的相互滲透形成擴(kuò)散界面;由于膜層的生長、結(jié)構(gòu)、應(yīng)力等原因,形成了薄膜的各向異性;膜層具有復(fù)雜的時(shí)間效應(yīng)。不同物質(zhì)對光有不同的反射、吸收、透射性能,光學(xué)薄膜就是利用材料對光的這種性能,并根據(jù)實(shí)際需要制造的。光學(xué)鍍膜設(shè)備公司的排名。

【霍爾離子源的工作原理】工作氣體或反應(yīng)氣體由陽極底部進(jìn)入放電區(qū)內(nèi)參與放電,放電區(qū)內(nèi)由磁鐵產(chǎn)生如圖所示的錐形磁場,在放電區(qū)的上部安裝有補(bǔ)償或中和陰極。根據(jù)工作要求該型號(hào)離子源的工作氣體為氬氣,反應(yīng)氣體可以使用氮?dú)?、氧氣或碳?xì)涞榷喾N氣體。放電區(qū)上部陰極燈絲加熱后產(chǎn)生熱電子,當(dāng)離子源的陽極施以正電位+U時(shí),電子在電場作用下向陽極運(yùn)動(dòng),由于磁場的存在,電子繞磁力線以螺旋軟道前進(jìn),與工作氣體或反應(yīng)氣體的原子發(fā)生碰撞使其離化。離子在霍爾電場的作用下被加速獲得相應(yīng)的能量,與燈絲熱陰極發(fā)射的部分熱電子形成近等離子體,由等離子體源發(fā)射出來與基片發(fā)生作用達(dá)到清洗和輔助鍍膜的目的。光學(xué)鍍膜設(shè)備的工作原理。山東光學(xué)鍍膜設(shè)備貴嗎

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【磁控濺射鍍膜設(shè)備工作原理】磁控濺射鍍膜設(shè)備的磁控濺射靶是采用靜止電磁場,而磁場是曲線型的,對數(shù)電場用于同軸圓柱形靶;均勻電場用于平面靶;S-qiang靶則位于兩者間.各部分的原理是一樣的. 電子受電場影響而加速飛向基材,在此過程中跟氬原子觸發(fā)碰撞.如果電子本身足夠30eV的能量的話,則電離出Ar?同時(shí)產(chǎn)生電子.電子依舊飛向基材,而Ar?受電場影響會(huì)移動(dòng)到陰極(也就是濺射靶),同時(shí)用一種高能量轟擊靶的表面,也就是讓靶材發(fā)生濺射. 在這些濺射粒子中,中性的靶分子或原子會(huì)沉積在基片上而成膜;而二次電子在加速飛向基材時(shí),在磁場的洛侖茲力影響之下,呈現(xiàn)螺旋線狀與擺線的復(fù)合形式在靶表面作一系列圓周運(yùn)動(dòng).該電子不但運(yùn)動(dòng)路徑長,還是被電磁場理論束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域范圍內(nèi).于此區(qū)內(nèi)電離出大量的Ar?對靶材進(jìn)行轟擊,所以說磁控濺射鍍膜設(shè)備的沉積速率高. 天津uv光學(xué)鍍膜設(shè)備

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