【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】： 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題，在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱為“斑孔”。顧名思義，膜料點(diǎn)就是蒸鍍中，大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起，有時(shí)是個(gè)別點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn)，大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策： 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí)，防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去潮，將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。真空鍍膜設(shè)備產(chǎn)業(yè)集群。浙江中科科儀所研發(fā)的真空鍍膜設(shè)備

【離子鍍膜法之活性反應(yīng)蒸鍍法】：活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE):利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮?dú)?、乙炔等反?yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，要對(duì)基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁(AL2O3)、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機(jī)械制品、電子器件、裝飾品。【離子鍍膜法之空心陰極離子鍍(HCD)】：空心陰極離子鍍(HCD):利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，要對(duì)基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質(zhì)膜、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層、機(jī)械制品。陜西索佳真空鍍膜設(shè)備有限公司真空鍍膜設(shè)備培訓(xùn)資料。

多弧離子鍍?cè)硎抢谜婵栈」夥烹娪?jì)數(shù)用于蒸發(fā)源的技術(shù)，即在真空環(huán)境下引燃蒸發(fā)源（陰極），與陽(yáng)極之間形成自持弧光放電，既從陰極弧光輝點(diǎn)放出陰極物質(zhì)的離子。由于電流局部的集中，產(chǎn)生的焦耳熱使陰極材料局部的爆發(fā)性地等離子化，在工作偏壓的作用下與反應(yīng)氣體化合，而沉積在工件表面是形成被鍍的膜層。真空蒸發(fā)鍍膜法：就是將鍍的基材放于真空鍍膜機(jī)的電極上進(jìn)行加熱，使其蒸發(fā)為氣體，由于鍍膜室處于真空狀態(tài)，所以氣體膜材的運(yùn)輸不會(huì)受到阻礙，沉積到基片表面，就形成了均勻的薄膜。

【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之機(jī)器故障和人為中斷】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測(cè)試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過(guò)加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過(guò)后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之機(jī)器故障和人為中斷： 模擬：根據(jù)已經(jīng)實(shí)鍍的鏡片（測(cè)試比較片）實(shí)測(cè)分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值，再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入，采用倒推法逐層優(yōu)化，模擬出實(shí)際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 *測(cè)試比較片是指隨鏡片一起鍍制（在傘片上、與鏡片同折射率），用于測(cè)試鍍后分光曲線的平片。 優(yōu)化：再鎖定通過(guò)模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，通過(guò)后續(xù)層膜厚優(yōu)化找到實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的Zui佳方案。 試鍍：根據(jù)新優(yōu)化的后續(xù)膜層數(shù)據(jù)，試鍍?nèi)舾社R片或測(cè)試片，確認(rèn)補(bǔ)色膜系的可行性。 補(bǔ)色鍍：對(duì)試鍍情況確認(rèn)后實(shí)施補(bǔ)色鍍。補(bǔ)色鍍前，確認(rèn)基片是否潔凈，防止產(chǎn)生其他不良。真空鍍膜設(shè)備的工作原理和構(gòu)成。

【真空鍍膜設(shè)備】主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材?；c靶材同在真空腔中。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)，并且沉降在基片表面，通過(guò)成膜過(guò)程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng)）形成薄膜。對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖程，終形成薄膜。真空鍍膜設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)成都國(guó)泰真空設(shè)備有限公司。安徽不銹鋼真空鍍膜設(shè)備

真空鍍膜設(shè)備技術(shù)教程。浙江中科科儀所研發(fā)的真空鍍膜設(shè)備

【離子鍍膜法介紹】： 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍?cè)诨稀８鶕?jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有：輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型，以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE)、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)等。浙江中科科儀所研發(fā)的真空鍍膜設(shè)備