【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場(chǎng)，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備 【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時(shí)，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素： ①等離子體中離子動(dòng)能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì); 4)入射角度的影響因素 ①由電場(chǎng)決定,②靶材表面于入射源的相對(duì)角度。 【濺射率】： 定義：每單位時(shí)間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個(gè)數(shù)。 濺射率的影響因素：①離子動(dòng)能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計(jì)學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計(jì)學(xué))=d/t。 注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度之間，因此在腔室內(nèi)所有區(qū)域都可能被鍍上一層膜，久之會(huì)產(chǎn)生污染。所以真空濺射腔室內(nèi)必須進(jìn)行定期清潔。離子真空鍍膜設(shè)備是什么？山西uv噴涂真空鍍膜設(shè)備

【真空鍍膜設(shè)備之真空的測(cè)量】： 真空計(jì)： A、熱偶規(guī)、皮拉尼規(guī)、對(duì)流規(guī)： 用來測(cè)粗真空的真空計(jì)，從大氣到1E&5Torr，精度一般在10%，皮拉尼規(guī)精度高的可到5%, 反應(yīng)較慢，受溫度變化的影響較大。 B、離子規(guī)： 用來測(cè)高真空或超高真空的真空計(jì)，熱燈絲的離子規(guī)測(cè)量范圍一般從1E&4到1E&9Torr，特殊的有些甚至可以低到&10甚至&11Torr，精度在10%~20%，燈絲在工作時(shí)遇到大氣會(huì)燒毀；冷陰極的離子規(guī)一般可以測(cè)到1E&11Torr，精度在20%~50%，特別是超高真空下測(cè)量精度很差，需要高壓電源，探頭內(nèi)有磁鐵，使用時(shí)不能用于某些無磁的場(chǎng)合。 C、電容式壓力計(jì)： 探頭Zui大壓力從25000Torr到0.1Torr，動(dòng)態(tài)范圍大約104范圍，比如，1Torr量程的Zui低是5E&4Torr，通常精度在讀數(shù)的0.25%，可以高到0.15%。 D、寬量程真空計(jì)： 皮拉尼規(guī)和熱燈絲離子規(guī)的組合，兩個(gè)規(guī)可以自動(dòng)切換，在低真空時(shí)切換到皮拉尼規(guī)，高真空時(shí)可切換到離子規(guī)。貴州金華真空鍍膜設(shè)備哪種好真空鍍膜設(shè)備真空四個(gè)階段。

【離子鍍的歷史】：真空離子鍍膜技術(shù)是近幾十年才發(fā)展起來的一種新的鍍膜技術(shù)。在離子鍍技術(shù)興起的40多年來取得了巨大的進(jìn)步，我國也有將近30多年的離子鍍研究進(jìn)程?！倦x子鍍的原理】：蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽極，工件接陰極，當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于真空罩內(nèi)充有惰性氬氣，在放電電場(chǎng)作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源交流電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)，進(jìn)入輝光放電區(qū)并被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子一同沖向工件，當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時(shí)，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。

多弧離子鍍?cè)硎抢谜婵栈」夥烹娪?jì)數(shù)用于蒸發(fā)源的技術(shù)，即在真空環(huán)境下引燃蒸發(fā)源（陰極），與陽極之間形成自持弧光放電，既從陰極弧光輝點(diǎn)放出陰極物質(zhì)的離子。由于電流局部的集中，產(chǎn)生的焦耳熱使陰極材料局部的爆發(fā)性地等離子化，在工作偏壓的作用下與反應(yīng)氣體化合，而沉積在工件表面是形成被鍍的膜層。真空蒸發(fā)鍍膜法：就是將鍍的基材放于真空鍍膜機(jī)的電極上進(jìn)行加熱，使其蒸發(fā)為氣體，由于鍍膜室處于真空狀態(tài)，所以氣體膜材的運(yùn)輸不會(huì)受到阻礙，沉積到基片表面，就形成了均勻的薄膜。電子束蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備是什么？

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜強(qiáng)度】：膜強(qiáng)度時(shí)鏡片鍍膜的一項(xiàng)重要指標(biāo)，也是鍍膜工序Zui常見的不良項(xiàng)。膜強(qiáng)度的不良（膜弱）主要表現(xiàn)為：1.擦拭專yong膠帶拉撕，產(chǎn)生成片脫落2.擦拭專yong膠帶拉撕，產(chǎn)生點(diǎn)狀脫落3.水煮15分鐘后用專yong膠帶拉撕產(chǎn)生點(diǎn)狀或片狀脫落4.用專yong橡皮頭、1Kg力摩擦40次，有道子產(chǎn)生5.膜層擦拭或未擦拭出現(xiàn)龜裂紋、網(wǎng)狀細(xì)道子改善思路：基片與膜層的結(jié)合是首要考慮的，其次是膜表面硬度光滑度以及膜應(yīng)力。關(guān)于真空鍍膜設(shè)備，你知道多少？山西uv噴涂真空鍍膜設(shè)備

真空鍍膜設(shè)備使用時(shí)，需要注意哪些問題?山西uv噴涂真空鍍膜設(shè)備

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】： 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見問題，在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱為“斑孔”。顧名思義，膜料點(diǎn)就是蒸鍍中，大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起，有時(shí)是個(gè)別點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn)，大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策： 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí)，防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去潮，將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。山西uv噴涂真空鍍膜設(shè)備