【真空鍍膜設(shè)備使用步驟】1電控柜的操作1)開水泵、氣源2)開總電源3)開維持泵、真空計(jì)電源,真空計(jì)檔位置V1位置,等待其值小于10后,再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。4)開機(jī)械泵、予抽,開渦輪分子泵電源、啟動(dòng),真空計(jì)開關(guān)換到V2位置,抽到小于2為止,約需20分鐘。5)觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后,關(guān)予抽,開前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空,抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭,觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開電子槍電源。2DEF-6B電子槍電源柜的操作1)打開總電源2)同時(shí)開電子槍控制Ⅰ和電子槍控制Ⅱ電源:按電子槍控制Ⅰ電源、延時(shí)開關(guān),延時(shí)、電源及保護(hù)燈亮,三分鐘后延時(shí)及保護(hù)燈滅,若后門未關(guān)好或水流繼電器有故障,保護(hù)燈會(huì)常亮。3)開高壓,高壓會(huì)達(dá)到10KV以上,調(diào)節(jié)束流可到200mA左右,簾柵為20V/100mA,燈絲電流1.2A,偏轉(zhuǎn)電流在1~1.7之間擺動(dòng)。3關(guān)機(jī)順序1)關(guān)高真空表頭、關(guān)分子泵。2)待分子泵顯示到50時(shí),依次關(guān)高閥、前級、機(jī)械泵,這期間約需40分鐘。3)到50以下時(shí),再關(guān)維持泵。真空鍍膜機(jī)為什么會(huì)越來越慢?河北uv真空鍍膜設(shè)備
【真空蒸鍍的歷史】:1857年Michael FaradayZui早提出基本原理,而后、1930年代由于油擴(kuò)散式真空泵實(shí)用化、蒸鍍主要用于制作鏡片防反射膜。第二次世界大戰(zhàn)時(shí),其他的光學(xué)機(jī)器對材料的需求提高,真空蒸鍍也因此快速發(fā)展。 【真空蒸鍍的原理】:在真空狀態(tài)下,加熱蒸發(fā)容器中的靶材,使其原子或分子逸出,沉積在目標(biāo)物體表面,形成固態(tài)薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為:抵抗加熱、電子束、高周波 誘導(dǎo)、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產(chǎn)生光學(xué)特性薄膜的材料,主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2 等氧化物與氟化物。蒸鍍除金屬外,樹脂與玻璃也可以使用、近年來連紙也變成可蒸鍍。 【蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)缺點(diǎn)】: 優(yōu)點(diǎn):設(shè)備簡單、容易操作;成膜的速率快,效率高。 缺點(diǎn):薄膜的厚度均勻性不易控制,蒸發(fā)容器有污染的隱患,工藝重復(fù)性不好,附著力不高。云南六面鍍真空鍍膜設(shè)備關(guān)于真空鍍膜設(shè)備,你知道多少?
【真空鍍膜設(shè)備之真空的測量】: 真空計(jì): A、熱偶規(guī)、皮拉尼規(guī)、對流規(guī): 用來測粗真空的真空計(jì),從大氣到1E&5Torr,精度一般在10%,皮拉尼規(guī)精度高的可到5%, 反應(yīng)較慢,受溫度變化的影響較大。 B、離子規(guī): 用來測高真空或超高真空的真空計(jì),熱燈絲的離子規(guī)測量范圍一般從1E&4到1E&9Torr,特殊的有些甚至可以低到&10甚至&11Torr,精度在10%~20%,燈絲在工作時(shí)遇到大氣會(huì)燒毀;冷陰極的離子規(guī)一般可以測到1E&11Torr,精度在20%~50%,特別是超高真空下測量精度很差,需要高壓電源,探頭內(nèi)有磁鐵,使用時(shí)不能用于某些無磁的場合。 C、電容式壓力計(jì): 探頭Zui大壓力從25000Torr到0.1Torr,動(dòng)態(tài)范圍大約104范圍,比如,1Torr量程的Zui低是5E&4Torr,通常精度在讀數(shù)的0.25%,可以高到0.15%。 D、寬量程真空計(jì): 皮拉尼規(guī)和熱燈絲離子規(guī)的組合,兩個(gè)規(guī)可以自動(dòng)切換,在低真空時(shí)切換到皮拉尼規(guī),高真空時(shí)可切換到離子規(guī)。
【光譜分光不良的補(bǔ)救(補(bǔ)色)之其他情況】: 分光不良分為二種情況:一是全部膜系鍍制完成后,經(jīng)測試分光不良,此類不良主要按六節(jié)所述方法處理,一般減反膜難以補(bǔ)救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷(包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷)造成的分光不良,一般都可以通過后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確,補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之其他情況: 對于用錯(cuò)程序,錯(cuò)誤操作(預(yù)熔未關(guān)閉擋板等)人為中斷需要補(bǔ)救的;以及反光膜、濾光膜鍍后需要補(bǔ)救的情況處理方案: 模擬:將實(shí)測分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值。通過計(jì)算機(jī)模擬(一般是Zui后一層的膜厚確認(rèn)),找到與實(shí)現(xiàn)測試值結(jié)果相應(yīng)的膜系數(shù)據(jù)。 優(yōu)化:根據(jù)模擬得到的膜系數(shù)據(jù),輸入產(chǎn)品要求的優(yōu)化目標(biāo)值,通過加層、優(yōu)化后續(xù)膜層的方法,重新優(yōu)化設(shè)計(jì)一個(gè)補(bǔ)救膜系。 試鍍:確認(rèn)、完善補(bǔ)救膜系效果 補(bǔ)救鍍:完成補(bǔ)救工作。真空鍍膜機(jī)技術(shù)教程。
【真空鍍膜之真空的概念】: “真空”是指在給定空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓力的氣體狀態(tài),也就是該空間內(nèi)氣體分子密度低于該地區(qū)大氣壓的氣體分子密度。不同的真空狀態(tài),就意味著該空間具有不同的分子密度。在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)(STP:即0℃,101325Pa,也就是1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,760Torr)下,氣體的分子密度為2.68E24/m3,而在真空度為1.33E&4 Pa(1E&6Torr)時(shí),氣體的分子密度只有3.24E16/m3。完全沒有氣體的空間狀態(tài)為Jue對真空。Jue對真空實(shí)際上是不存在的。真空鍍膜設(shè)備是什么?中國臺灣出售真空鍍膜設(shè)備
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