【真空鍍膜真空的基本概念】：真空的劃分：粗真空760Torr~10E&3Torr高真空10E&4Torr~10E&8Torr超高真空10E&9~10E&12Torr極高真空<10E&12Torr流導（導通量）：表示真空管道通過氣體的能力，單位為升/秒（L/S）。一般情況下，管道越短，直徑越da，表面越光滑，越直的管道流導也越da。流量：單位時間內(nèi)流過任意截面的氣體量，單位為Torr·L/s或Pa·L/s。抽氣速率：在一定的壓強和溫度下，單位時間內(nèi)由泵進氣口處抽走的氣體稱為抽氣速率，簡稱抽速。單位一般為L/S或m3/hr或CFM。極限真空：真空容器經(jīng)充分抽氣后，穩(wěn)定在某一真空度，此真空度稱為極限真空。真空鍍膜機國內(nèi)有哪些產(chǎn)商？四川大直徑射頻離子源價格

國泰真空射頻離子源采用通用的LC高頻諧振原理，使用可調(diào)電容快速調(diào)諧，使整個負載阻抗匹配到50?，從而使功率輸出比較大，電離化效率比較高，調(diào)諧馬達采用步進電機轉(zhuǎn)位+編碼器快速定位，并帶鎖止和記憶功能，以滿足負載在不同的真空環(huán)境、不同國泰射頻離子源采用通用的LC高頻諧振原理，使用可調(diào)電容快速調(diào)諧，使整個負載阻抗匹配到50?，從而使功率輸出比較大，電離化效率比較高，調(diào)諧馬達采用步進電機轉(zhuǎn)位+編碼器快速定位，并帶鎖止和記憶功能，以滿足負載在不同的真空環(huán)境、不同阻抗快速點火。射頻部分匹配采用了硬件反饋和軟件提前記憶并預判的技術；直流引入快速滅弧技術，同時提高了射頻和直流部分的穩(wěn)定性，軟件設置了自檢和自診斷功能，即：使用前系統(tǒng)自檢，使用中即時刷新，對非調(diào)整性輸入的變化提前警報并告知客戶做好預案。山東離子束輔助沉積射頻離子源自主研發(fā)設計生產(chǎn)射頻離子源是一種高能離子源，可用于各種科學研究和工業(yè)應用。

射頻中和器采用L型接法匹配：匹配速度快，效率高，點火更優(yōu)。源頭和中和器結(jié)構(gòu)經(jīng)常拆解部分的內(nèi)六角進行電鍍及消氣處理，防止拆卸過程卡死，備件及耗品重復利用率高。射頻電源及控制部分單獨裝配在一個電柜內(nèi)，RF線纜做防輻射和泄漏處理，避免對通訊、控制信號的干擾，同時也做良好的散熱處理。直流電源電壓紋波做了二次濾波處理，高壓輸出的紋波小于50mV，離子源束流的穩(wěn)定性和重復性較好，鍍膜的產(chǎn)品的折射率更穩(wěn)定。射頻部分匹配采用了硬件反饋和軟件提前記憶并預判的技術；直流引入快速滅弧技術，同時提高了射頻和直流部分的穩(wěn)定性，軟件設置了自檢和自診斷功能，即：使用前系統(tǒng)自檢，使用中即時刷新，對非調(diào)整性輸入的變化提前警報并告知客戶做好預案。

【真空鍍膜機鍍塑料件時抽真空時間過長是什么原因？】(1)真空室有漏氣現(xiàn)象：da家都知道，真空蒸發(fā)鍍膜機是的基本條件是工件在真空狀態(tài)下才能進行鍍膜加工的，若真空室有漏氣現(xiàn)象而沒有經(jīng)過檢漏找出漏氣位置，則真空鍍很長時間都不能抽得上來的；(2)即使真空室沒有漏氣，因為塑料產(chǎn)品的放氣量da，所以抽真空，特別是高真空很難達到。真空室內(nèi)太臟放氣，而且由于塑料產(chǎn)品的放氣，造成真空室內(nèi)鍍膜氣體的不純，有雜氣的存在，造成鍍膜產(chǎn)品的顏色發(fā)暗，發(fā)黃，發(fā)黑等。（3）也許是真空機組的抽氣能力不夠了，油被污染或氧化了。（4）真空室有漏水。（5）抽空管道有漏氣。射頻離子源可用于制備納米材料、薄膜、光學器件等高科技產(chǎn)品。

【真空鍍膜機清洗工藝之放電清洗】利用熱絲或電極作為電子源，在其相對于待清洗的表面加負偏壓可以實現(xiàn)離子轟擊的氣體解吸及某些碳氫化合物的去除。清洗效果取決于電極材料、幾何形狀及其與表面的關系。即取決于單位表面積上的離子數(shù)和離子能量，從而取決于有效電功率。在真空室中充入適當分壓力的惰性氣體(典型的如Ar氣)，可以利用兩個適當?shù)碾姌O間的低壓下的輝光放電產(chǎn)生的離子轟擊來達到清洗的目的。該方法中，惰性氣體被離化并轟擊真空室內(nèi)壁、真空室內(nèi)的其它結(jié)構(gòu)件及被鍍基片，它可以使某些真空系統(tǒng)免除被高溫烘烤。如果在充入的氣體中加入氧氣，對某些碳氫化合物可以獲得更好的清洗效果。因為氧氣可以使某些碳氫化合物氧化生成易揮發(fā)性氣體而容易被真空系統(tǒng)排除。不銹鋼高真空和超高真空容器表面上雜質(zhì)的主要成分是碳和碳氫化合物。射頻離子源是未來科技發(fā)展的重要方向，具有廣闊的應用前景。真空鍍膜射頻離子源價格

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【真空鍍膜設備設計原則及常用技術指標】真空設備設計原則：(1)先功能，后結(jié)構(gòu)。先給出指標參數(shù)、生產(chǎn)要求、功能；(2)先核xin后輔助。由內(nèi)向外。先決定靶尺寸、靶基距；(3)先局部，后整體。再由整體，定局部。(4)先設計，后校核。由粗到細。鍍膜機常用技術指標：鍍膜方法：CVD，PVD（蒸發(fā)、濺射、離子鍍、復合鍍）；被鍍工件的形狀、尺寸;工件架尺寸;真空室尺寸;生產(chǎn)方式:連續(xù)、半連續(xù)、周期式。生產(chǎn)周期。生產(chǎn)量。生產(chǎn)速率。技術參數(shù);設備極限真空度、工作本底真空度工作真空度、工作氣氛;漏率、抽空時間、恢復真空時間。工作(烘烤)溫度;(熱處理爐、凍干機)膜厚不均勻程度;功率;高電壓。四川大直徑射頻離子源價格