【為什么要在真空中鍍膜】：1.鍍的過(guò)程中不會(huì)受空氣分子碰撞,有較大的動(dòng)量到達(dá)待鍍件表面2.防止氣體“污染”.如：鍍金屬膜時(shí)可以防止氧化3.成膜過(guò)程不受氣體影響,致密牢固4.真空（負(fù)壓）狀態(tài)下,鍍膜材料的熔點(diǎn)教常壓下低,易于融化蒸發(fā)（對(duì)于蒸發(fā)類型的鍍膜）真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù)，是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學(xué)手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜，從而使固體表面具有耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、防輻射、導(dǎo)電、導(dǎo)磁、絕緣和裝飾等許多優(yōu)于固體材料本身的優(yōu)越性能，達(dá)到提高產(chǎn)品質(zhì)量、延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命、節(jié)約能源和獲得明顯技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益的作用。因此真空鍍膜技術(shù)被譽(yù)為Zui具發(fā)展前途的重要技術(shù)之一，并已在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展中展現(xiàn)出誘人的市場(chǎng)前景。真空鍍膜設(shè)備的應(yīng)用。廣西大朗橡膠真空鍍膜設(shè)備

【真空鍍膜之真空的概念】： “真空”是指在給定空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓力的氣體狀態(tài)，也就是該空間內(nèi)氣體分子密度低于該地區(qū)大氣壓的氣體分子密度。不同的真空狀態(tài)，就意味著該空間具有不同的分子密度。在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)（STP：即0℃，101325Pa，也就是1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，760Torr）下，氣體的分子密度為2.68E24/m3，而在真空度為1.33E&4 Pa（1E&6Torr）時(shí)，氣體的分子密度只有3.24E16/m3。完全沒(méi)有氣體的空間狀態(tài)為Jue對(duì)真空。Jue對(duì)真空實(shí)際上是不存在的。河北真空鍍膜設(shè)備項(xiàng)目真空鍍膜設(shè)備怎么維修。

【真空蒸鍍的歷史】：1857年Michael FaradayZui早提出基本原理，而后、1930年代由于油擴(kuò)散式真空泵實(shí)用化、蒸鍍主要用于制作鏡片防反射膜。第二次世界大戰(zhàn)時(shí)，其他的光學(xué)機(jī)器對(duì)材料的需求提高，真空蒸鍍也因此快速發(fā)展。 【真空蒸鍍的原理】：在真空狀態(tài)下，加熱蒸發(fā)容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉積在目標(biāo)物體表面，形成固態(tài)薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為:抵抗加熱、電子束、高周波 誘導(dǎo)、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產(chǎn)生光學(xué)特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2 等氧化物與氟化物。蒸鍍除金屬外，樹(shù)脂與玻璃也可以使用、近年來(lái)連紙也變成可蒸鍍。 【蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)缺點(diǎn)】： 優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備簡(jiǎn)單、容易操作；成膜的速率快，效率高。 缺點(diǎn)：薄膜的厚度均勻性不易控制，蒸發(fā)容器有污染的隱患，工藝重復(fù)性不好，附著力不高。

    【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜外自霧】：現(xiàn)象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會(huì)有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕?？赡艹梢蛴校?.膜結(jié)構(gòu)問(wèn)題，外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散，外層膜太粗糙2.蒸發(fā)角過(guò)大，膜結(jié)構(gòu)粗糙3.溫差：鏡片出罩時(shí)內(nèi)外溫差過(guò)大4.潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣5.真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時(shí)水汽過(guò)重6.蒸鍍中充氧不完全，膜結(jié)構(gòu)不均勻。7.膜與膜之間的應(yīng)力改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對(duì)癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對(duì)象。改善對(duì)策：1.改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。2.降低出罩時(shí)的鏡片溫度3.改善充氧（加大），改善膜結(jié)構(gòu)4.適當(dāng)降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結(jié)構(gòu)5.離子輔助鍍膜，改善膜結(jié)構(gòu)6.加上Polycold解凍時(shí)的小充氣閥7.從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角8.改善基片表面粗糙度9.注意Polycold解凍時(shí)的真空度。 真空鍍膜設(shè)備的工作原理和構(gòu)成。

多弧離子鍍?cè)硎抢谜婵栈」夥烹娪?jì)數(shù)用于蒸發(fā)源的技術(shù)，即在真空環(huán)境下引燃蒸發(fā)源（陰極），與陽(yáng)極之間形成自持弧光放電，既從陰極弧光輝點(diǎn)放出陰極物質(zhì)的離子。由于電流局部的集中，產(chǎn)生的焦耳熱使陰極材料局部的爆發(fā)性地等離子化，在工作偏壓的作用下與反應(yīng)氣體化合，而沉積在工件表面是形成被鍍的膜層。真空蒸發(fā)鍍膜法：就是將鍍的基材放于真空鍍膜機(jī)的電極上進(jìn)行加熱，使其蒸發(fā)為氣體，由于鍍膜室處于真空狀態(tài)，所以氣體膜材的運(yùn)輸不會(huì)受到阻礙，沉積到基片表面，就形成了均勻的薄膜。真空鍍膜設(shè)備主要用途？上海蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備

真空鍍膜設(shè)備真空四個(gè)階段。廣西大朗橡膠真空鍍膜設(shè)備

【真空鍍膜改善薄膜應(yīng)力】： 1. 鍍后烘烤，Zui后一層膜鍍完后，烘烤不要馬上停止，延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結(jié)構(gòu)趨于穩(wěn)定。 2. 降溫時(shí)間適當(dāng)延長(zhǎng)，退火時(shí)效。減少由于真空室內(nèi)外溫差過(guò)大帶來(lái)的熱應(yīng)力。 3. 對(duì)高反膜、濾光膜等在蒸鍍過(guò)程中，基片溫度不宜過(guò)高，高溫易產(chǎn)生熱應(yīng)力。并且對(duì)氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學(xué)穩(wěn)定性有負(fù)面影響。 4. 鍍膜過(guò)程離子輔助，減少應(yīng)力。 5. 選擇合適的膜系匹配，第yi層膜料與基片匹配。 6. 適當(dāng)減小蒸發(fā)速率。 7. 對(duì)氧化物膜料全部充氧反應(yīng)鍍，根據(jù)不同膜料控制氧進(jìn)氣量。 廣西大朗橡膠真空鍍膜設(shè)備