【真空鍍膜二極濺射與磁控濺射對(duì)比】: 靶材利用率(TU):是指發(fā)生濺射的靶材質(zhì)量占原靶材質(zhì)量的比率。 公式表示:靶材利用率={原靶材質(zhì)量(Kg)—濺射后靶材質(zhì)量}/原靶材質(zhì)量 注:①:磁控濺射靶材利用率稍低,電壓要求低,電流會(huì)高,濺射率提高,增加生產(chǎn)效率,降低成本。 ②:靶材使用壽命結(jié)素之前必須及時(shí)更換新靶材,防止靶材周圍物質(zhì)發(fā)生濺射(金屬箔片、連接片、陰極) 兩種濺射技術(shù)的區(qū)別: ①:靶材利用率不同 ②:濺射腔室和陰極設(shè)計(jì)要求不同 ③:放電電流和放電電壓不同 ④:濺射率不同:磁控濺射有更短的沉積時(shí)間,更高的沉積量和更短沉積周期。真空鍍膜設(shè)備大概多少錢一臺(tái)?福建真空鍍膜設(shè)備出租
【真空鍍膜設(shè)備之低溫泵】: 低溫泵:低溫泵分為注入式液氦低溫泵和閉路循環(huán)氣氦制冷機(jī)低溫泵兩種。主要用于高真空或超高真空,屬于干泵,工作方式為氣體捕集。極限真空&6~&9Torr。 用低溫介質(zhì)將抽氣面冷卻到20K 以下,抽氣面就能大量冷凝沸點(diǎn)溫度比該抽氣面溫度高的氣體,產(chǎn)生很大的抽氣作用。這種用低溫表面將氣體冷凝而達(dá)到抽氣目的的泵叫做低溫泵,或稱冷凝泵。低溫泵可以獲得抽氣速率Zui大、極限壓力Zui低的清潔真空,guang泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和集成電路的研究和生產(chǎn),以及分子束研究、真空鍍膜設(shè)備、真空表面分析儀器、離子注入機(jī)和空間模擬裝置等方面。 福建真空鍍膜設(shè)備出租成都國(guó)泰真空鍍膜設(shè)備怎么樣?
【真空鍍膜磁控濺射法】: 濺射鍍膜Zui初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射,它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單,但是直流二極濺射沉積速率低;為了保持自持放電,不能在低氣壓(<0.1 Pa)下進(jìn)行;不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用。 磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來,在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問題,成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn):可制備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,可沉積配比精確恒定的合金;在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜;通過精確地控制濺射鍍膜過程,容易獲得均勻的高精度的膜厚;通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),濺射靶的安裝不受限制,適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì);濺射鍍膜速度快,膜層致密,附著性好等特點(diǎn),很適合于大批量,高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快,具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。
【離子鍍的歷史】: 真空離子鍍膜技術(shù)是近幾十年才發(fā)展起來的一種新的鍍膜技術(shù)。在離子鍍技術(shù)興起的40多年來取得了巨大的進(jìn)步,我國(guó)也有將近30多年的離子鍍研究進(jìn)程。 【離子鍍的原理】: 蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽(yáng)極,工件接陰極,當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后,蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于 真空罩內(nèi)充有惰性氬氣,在放電電場(chǎng)作用下部分氬氣被電離,從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引,猛烈地轟擊工件表 面,致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出,從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后,接通蒸發(fā)源交流電源,蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā),進(jìn)入輝光放電區(qū)并 被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子,在陰極吸引下,隨同氬離子一同沖向工件,當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時(shí),則逐漸堆積形成一層牢固粘 附于工件表面的鍍層。 【離子鍍的優(yōu)缺點(diǎn)】: 優(yōu)點(diǎn):膜層附著力好,膜層致密,具有繞度性能,能在形狀復(fù)雜的零件表面鍍膜。 缺點(diǎn):離子鍍的應(yīng)用范圍不廣;膜與基體間存在較寬的過渡界面。會(huì)有氣體分子吸附。真空鍍膜設(shè)備常見故障及解決方法。
【真空鍍膜簡(jiǎn)介】: 真空(vacuum)是一種沒有任何物質(zhì)的空間狀態(tài),因?yàn)檎婵罩袥]有介質(zhì),所以像聲音這種需要介質(zhì)傳遞的能量在真空中是無法傳播的。1654年當(dāng)時(shí)的馬德堡市zhang奧&托&格里克在今tian德國(guó)雷根斯堡進(jìn)行了一項(xiàng)實(shí)驗(yàn),從而證明了真空是存在的?,F(xiàn)在我們所說的真空并不是指空間內(nèi)沒有任何物質(zhì),而是指在一個(gè)既定的空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài),我們把這種稀薄的狀態(tài)稱為真空。現(xiàn)在的真空鍍膜技術(shù)是在真空中把金屬、合金進(jìn)行蒸發(fā)、濺射使其沉積在目標(biāo)物體上。 在當(dāng)今電子行業(yè),很多的電子元器件都要使用真空鍍膜工藝,雖然我國(guó)的真空鍍膜技術(shù)起步較晚,但發(fā)展的十分迅速。真空鍍膜已經(jīng)成為電子元器件制造的一項(xiàng)不可或缺的技術(shù)。目前的真空鍍膜技術(shù)主要分為:真空蒸鍍、磁控濺射鍍膜、離子鍍。 真空鍍膜設(shè)備的工作原理。遼寧真空鍍膜設(shè)備有什么作用
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【真空鍍膜之真空的概念】: “真空”是指在給定空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓力的氣體狀態(tài),也就是該空間內(nèi)氣體分子密度低于該地區(qū)大氣壓的氣體分子密度。不同的真空狀態(tài),就意味著該空間具有不同的分子密度。在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)(STP:即0℃,101325Pa,也就是1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,760Torr)下,氣體的分子密度為2.68E24/m3,而在真空度為1.33E&4 Pa(1E&6Torr)時(shí),氣體的分子密度只有3.24E16/m3。完全沒有氣體的空間狀態(tài)為Jue對(duì)真空。Jue對(duì)真空實(shí)際上是不存在的。福建真空鍍膜設(shè)備出租
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