【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜內(nèi)白霧】： 白霧形成在膜內(nèi)，無法用擦拭方法去除。 可能成因： 1. 基片臟 2. 鏡片表面腐蝕污染 3. 膜料與膜料之間、膜料與基片之間的匹配 4. 氧化物充氧不夠 5. 第yi層氧化鋯膜料，可能對(duì)某些基片產(chǎn)生白暈現(xiàn)象 6. 基片進(jìn)罩前（洗凈后）受潮氣污染 7. 洗凈或擦拭不良，洗凈痕跡，擦拭痕跡 8. 真空室臟、水汽過重 9. 環(huán)境濕度大 改善對(duì)策：基片本身的問題可能時(shí)主要的鍍膜室盡量彌補(bǔ)，鍍膜本身Zui大的可能室膜料匹配問題。 1. 改進(jìn)膜系，第yi層不用氧化鋯 2. 盡量減少真空室開門時(shí)間 3. 真空室在更換護(hù)板、清潔后，Zui好能空罩抽真空烘烤一下，更換的護(hù)板等真空室部件必須干燥、干凈 4. 改善環(huán)境 5. 妥善保護(hù)進(jìn)罩前在傘片上的鏡片，免受污染 6. 改善洗凈、擦拭效果 7. 改善膜匹配（考慮第yi層用Al2O3） 8. 改善膜充氧和蒸發(fā)速率（降低） 9. 加快前工程的流程。前工程對(duì)已加工光面的保護(hù)加強(qiáng)。 10. 拋光加工完成的光面，必須立即清潔干凈，不能有拋光粉或其他雜質(zhì)附著干結(jié)。 真空鍍膜設(shè)備是什么？河南uv真空鍍膜設(shè)備

【真空鍍膜設(shè)備撿漏方法】: 檢漏方法很多，根據(jù)被檢件所處的狀態(tài)可分為充壓檢漏法、真空檢漏法及其它檢漏法。 充壓檢漏法：在被檢件內(nèi)部充入一定壓力的示漏物質(zhì)，如果被檢件上有漏孔，示漏物質(zhì)便從漏孔漏出，用一定的方法或儀器在被檢件外部檢測(cè)出從漏孔漏出的示漏物質(zhì)，從而判定漏孔的存在、位置及漏率的大小，此即充壓檢漏法。 真空檢漏法：被檢件和檢漏器的敏感元件處于真空狀態(tài)，在被檢件的外部施加示漏物質(zhì)，如果有漏孔，示漏物質(zhì)就會(huì)通過漏孔進(jìn)入被檢件和敏感元件的空間，由敏感元件檢測(cè)出示漏物質(zhì)，從而可以判定漏孔的存在、位置利漏率的大小，這就是真空檢漏法。 其它檢漏法：被檢件既不充壓也不抽真空，或其外部受壓等方法歸入其它檢漏法。背壓法就是其中主要方法之一。 所謂“背壓檢漏法”是利用背壓室先將示漏氣體由漏孔充入被檢件，然后在真空狀態(tài)下使示漏氣體再?gòu)谋粰z件中漏出．以某種方法(或檢漏儀)檢測(cè)漏出的示漏氣體，判定被檢件的總漏率的方法。 新疆做真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜設(shè)備廠家有哪些？

【真空鍍膜改善薄膜應(yīng)力】： 1. 鍍后烘烤，Zui后一層膜鍍完后，烘烤不要馬上停止，延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結(jié)構(gòu)趨于穩(wěn)定。 2. 降溫時(shí)間適當(dāng)延長(zhǎng)，退火時(shí)效。減少由于真空室內(nèi)外溫差過大帶來的熱應(yīng)力。 3. 對(duì)高反膜、濾光膜等在蒸鍍過程中，基片溫度不宜過高，高溫易產(chǎn)生熱應(yīng)力。并且對(duì)氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學(xué)穩(wěn)定性有負(fù)面影響。 4. 鍍膜過程離子輔助，減少應(yīng)力。 5. 選擇合適的膜系匹配，第yi層膜料與基片匹配。 6. 適當(dāng)減小蒸發(fā)速率。 7. 對(duì)氧化物膜料全部充氧反應(yīng)鍍，根據(jù)不同膜料控制氧進(jìn)氣量。

【真空鍍膜真空的基本概念】： 真空的劃分： 粗真空 760Torr~10E&3Torr 高真空 10E&4Torr~10E&8Torr 超高真空 10E&9~10E&12 Torr 極高真空 <10E&12Torr 流導(dǎo)（導(dǎo)通量）：表示真空管道通過氣體的能力，單位為升/秒（L/S）。一般情況下，管道越短，直徑越大，表面越光滑，越直的管道流導(dǎo)也越大。 流量：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)流過任意截面的氣體量，單位為Torr·L/s或Pa·L/s。 抽氣速率：在一定的壓強(qiáng)和溫度下，單位時(shí)間內(nèi)由泵進(jìn)氣口處抽走的氣體稱為抽氣速率，簡(jiǎn)稱抽速。單位一般為L(zhǎng)/S或m3/hr或CFM。 極限真空：真空容器經(jīng)充分抽氣后，穩(wěn)定在某一真空度，此真空度稱為極限真空。紅外真空鍍膜設(shè)備制造商。

【離子鍍膜法介紹】： 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍?cè)诨?。根?jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有：輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型，以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE)、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)等。 真空鍍膜設(shè)備日常怎么維護(hù)？海南真空鍍膜設(shè)備機(jī)械

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【離子鍍的歷史】： 真空離子鍍膜技術(shù)是近幾十年才發(fā)展起來的一種新的鍍膜技術(shù)。在離子鍍技術(shù)興起的40多年來取得了巨大的進(jìn)步，我國(guó)也有將近30多年的離子鍍研究進(jìn)程。 【離子鍍的原理】： 蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽(yáng)極，工件接陰極，當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于 真空罩內(nèi)充有惰性氬氣，在放電電場(chǎng)作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表 面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源交流電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)，進(jìn)入輝光放電區(qū)并 被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子一同沖向工件，當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時(shí)，則逐漸堆積形成一層牢固粘 附于工件表面的鍍層。 【離子鍍的優(yōu)缺點(diǎn)】： 優(yōu)點(diǎn)：膜層附著力好，膜層致密，具有繞度性能，能在形狀復(fù)雜的零件表面鍍膜。 缺點(diǎn)：離子鍍的應(yīng)用范圍不廣；膜與基體間存在較寬的過渡界面。會(huì)有氣體分子吸附。河南uv真空鍍膜設(shè)備

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