【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對(duì)策之膜內(nèi)色斑】： 色斑（也稱膜色亞克、燒蝕）是指鏡片上的膜色局部變異。有膜內(nèi)色斑和膜外色斑二種。 膜內(nèi)色斑改善對(duì)策： 1. 加快研磨（拋光）到鍍膜的周期，減少鏡片被污染服飾的幾率，注意：是鏡片的全部拋光面。 2. 拋光加工中，注意對(duì)另一已拋好光的面保護(hù) 3. 注意拋光加工中的工裝、夾具、加工方法，以免造成對(duì)鏡片表面局部腐蝕傷害 4. 拋光加工完成的光面，必須立即清潔干凈，不能有拋光粉或其他雜志附著干結(jié)。 5. 控制研磨拋光液的PH值 6. 鍍膜前，用拋光粉或碳酸鈣粉對(duì)鏡片拋光面復(fù)新。 7. 加強(qiáng)鍍前的離子轟擊 8. 對(duì)于可見光區(qū)減反膜，在滿足技術(shù)要求的前提下設(shè)計(jì)制作成單峰形，反射色呈淡綠色，掩蓋色斑。 9. 對(duì)于化學(xué)性能較好的鏡片，在清洗前先用退膜液或稀酸液侵泡去除腐蝕斑 10. 選擇合適的膜層匹配對(duì)色斑改善也有幫助 11. 提高基片鍍制時(shí)的溫度，加快水汽的徹底揮發(fā)。 12. 第yi層鍍上Al2O3膜層一般會(huì)有好的改善效果。 真空鍍膜設(shè)備使用時(shí)，需要注意哪些問題?廣東真空鍍膜設(shè)備裝置

【近些年來出現(xiàn)的新的鍍膜方法】： 除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，取長補(bǔ)短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點(diǎn)，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點(diǎn)。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實(shí)際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個(gè)濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實(shí)際的鍍膜機(jī)照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導(dǎo)到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時(shí)靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實(shí)現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同，HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對(duì)靶的材料實(shí)現(xiàn)全mian積均勻。 遼寧六面鍍真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜設(shè)備機(jī)組介紹。

【真空鍍膜濺射種類】： 1、反應(yīng)濺射：氧化物，氮化物作為沉積物質(zhì) 現(xiàn)象：①：靶材分子分裂，其于工藝氣體離子發(fā)生反應(yīng)，形成化合物 ②：膜層性能改變 ③：靶材有可能中毒 2、二極濺射：二極濺射是一種經(jīng)典的標(biāo)準(zhǔn)濺射技術(shù)，其中等離子體和電子均只沿著電場方向運(yùn)動(dòng)。 特征：①：無磁場 ②：濺射率低 ③：放電電壓高（＞500V） ④：鍍膜底物受熱溫度極易升高（＞500°C） 用途：主要用于金屬靶材、絕緣靶材、磁性靶材等的濺射鍍。 3、磁控濺射：暗區(qū)無等離子體產(chǎn)生，在磁控濺射下，電子呈螺旋形運(yùn)動(dòng)，不會(huì)直接沖向陽極。而是在電場力和磁場力的綜合作用在腔室內(nèi)做螺旋運(yùn)動(dòng)。同時(shí)獲的能量而和工藝氣體以及濺射出的靶材原子進(jìn)行能量交換，使氣體及靶材原子離子化，dada提高氣體等離子體密度，從而提高了濺射速率（可提高10—20倍）和濺射均勻性。

【真空蒸鍍的歷史】：1857年Michael FaradayZui早提出基本原理，而后、1930年代由于油擴(kuò)散式真空泵實(shí)用化、蒸鍍主要用于制作鏡片防反射膜。第二次世界大戰(zhàn)時(shí)，其他的光學(xué)機(jī)器對(duì)材料的需求提高，真空蒸鍍也因此快速發(fā)展。 【真空蒸鍍的原理】：在真空狀態(tài)下，加熱蒸發(fā)容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉積在目標(biāo)物體表面，形成固態(tài)薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為:抵抗加熱、電子束、高周波 誘導(dǎo)、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產(chǎn)生光學(xué)特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2 等氧化物與氟化物。蒸鍍除金屬外，樹脂與玻璃也可以使用、近年來連紙也變成可蒸鍍。 【蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)缺點(diǎn)】： 優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備簡單、容易操作；成膜的速率快，效率高。 缺點(diǎn)：薄膜的厚度均勻性不易控制，蒸發(fā)容器有污染的隱患，工藝重復(fù)性不好，附著力不高。 真空鍍膜設(shè)備技術(shù)教程。

【離子鍍膜法介紹】： 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍?cè)诨?。根?jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有：輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型，以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE)、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)等。 真空鍍膜設(shè)備抽真空步驟。云南真空鍍膜設(shè)備的功能價(jià)格

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【離子鍍的歷史】： 真空離子鍍膜技術(shù)是近幾十年才發(fā)展起來的一種新的鍍膜技術(shù)。在離子鍍技術(shù)興起的40多年來取得了巨大的進(jìn)步，我國也有將近30多年的離子鍍研究進(jìn)程。 【離子鍍的原理】： 蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽極，工件接陰極，當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于 真空罩內(nèi)充有惰性氬氣，在放電電場作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表 面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源交流電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)，進(jìn)入輝光放電區(qū)并 被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子一同沖向工件，當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時(shí)，則逐漸堆積形成一層牢固粘 附于工件表面的鍍層。 【離子鍍的優(yōu)缺點(diǎn)】： 優(yōu)點(diǎn)：膜層附著力好，膜層致密，具有繞度性能，能在形狀復(fù)雜的零件表面鍍膜。 缺點(diǎn)：離子鍍的應(yīng)用范圍不廣；膜與基體間存在較寬的過渡界面。會(huì)有氣體分子吸附。廣東真空鍍膜設(shè)備裝置

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