【離子鍍膜法之射頻離子鍍】: 射頻離子鍍(RFIP):利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應(yīng)氣體氧氣、氮?dú)?、乙炔等離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升小,不純氣體少,成膜好,適合鍍化合物膜,但匹配較困難??蓱?yīng)用于鍍光學(xué)器件、半導(dǎo)體器件、裝飾品、汽車(chē)零件等。射頻離子鍍膜設(shè)備對(duì)周遭環(huán)境沒(méi)有不利影響,符合現(xiàn)代綠色制造的工業(yè)發(fā)展方向。目前,該類型設(shè)備已經(jīng)guang泛用在硬質(zhì)合金立銑刀、可轉(zhuǎn)位銑刀、焊接工具、階梯鉆、鉆頭、鉸刀、油孔鉆、車(chē)刀、異型刀具、絲錐等工具的鍍膜處理上。 此外,離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍,感應(yīng)離子加熱鍍,集團(tuán)離子束鍍和多弧離子鍍等多種方法。真空鍍膜設(shè)備培訓(xùn)資料。河北立式真空鍍膜設(shè)備
【離子鍍膜法介紹】: 離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下,應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的,即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離,在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍?cè)诨稀8鶕?jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和激huo方式有:輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型,以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。常用的組合方式有:直流二極型(DCIP)、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE)、空心陰極離子鍍(HCD)、射頻離子鍍(RFIP)等。 湖南臥式真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜設(shè)備哪個(gè)牌子的好?
【真空鍍膜電阻加熱蒸發(fā)法】: 電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬,做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源,其上裝入待蒸發(fā)材料,讓電流通過(guò),對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā),或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠,可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜,尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是:加熱所能達(dá)到的Zui高溫度有限,加熱器的壽命也較短。近年來(lái),為了提高加熱器的壽命,國(guó)內(nèi)外已采用壽命較長(zhǎng)的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。
【真空鍍膜真空的基本概念】: 真空的劃分: 粗真空 760Torr~10E&3Torr 高真空 10E&4Torr~10E&8Torr 超高真空 10E&9~10E&12 Torr 極高真空 <10E&12Torr 流導(dǎo)(導(dǎo)通量):表示真空管道通過(guò)氣體的能力,單位為升/秒(L/S)。一般情況下,管道越短,直徑越大,表面越光滑,越直的管道流導(dǎo)也越大。 流量:?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)流過(guò)任意截面的氣體量,單位為T(mén)orr·L/s或Pa·L/s。 抽氣速率:在一定的壓強(qiáng)和溫度下,單位時(shí)間內(nèi)由泵進(jìn)氣口處抽走的氣體稱為抽氣速率,簡(jiǎn)稱抽速。單位一般為L(zhǎng)/S或m3/hr或CFM。 極限真空:真空容器經(jīng)充分抽氣后,穩(wěn)定在某一真空度,此真空度稱為極限真空。真空鍍膜設(shè)備真空四個(gè)階段。
【真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射法】: 制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看,物理qi相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì),因而被guang泛應(yīng)用,這是因?yàn)椋?1、反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度,因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù),可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應(yīng)磁控濺射沉積過(guò)程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高,而且成膜過(guò)程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱,因此對(duì)基板材料的限制較少。 4、反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬(wàn)平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前,通常使用直流濺射電源,因此帶來(lái) 了一些問(wèn)題,主要是靶中毒引起的打火和濺射過(guò)程不穩(wěn)定,沉積速率較低,膜的缺陷密度較高,這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。 磁控濺射真空鍍膜設(shè)備是什么?安徽回收真空鍍膜設(shè)備
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【真空鍍膜濺射種類】: 1、反應(yīng)濺射:氧化物,氮化物作為沉積物質(zhì) 現(xiàn)象:①:靶材分子分裂,其于工藝氣體離子發(fā)生反應(yīng),形成化合物 ②:膜層性能改變 ③:靶材有可能中毒 2、二極濺射:二極濺射是一種經(jīng)典的標(biāo)準(zhǔn)濺射技術(shù),其中等離子體和電子均只沿著電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)。 特征:①:無(wú)磁場(chǎng) ②:濺射率低 ③:放電電壓高(>500V) ④:鍍膜底物受熱溫度極易升高(>500°C) 用途:主要用于金屬靶材、絕緣靶材、磁性靶材等的濺射鍍。 3、磁控濺射:暗區(qū)無(wú)等離子體產(chǎn)生,在磁控濺射下,電子呈螺旋形運(yùn)動(dòng),不會(huì)直接沖向陽(yáng)極。而是在電場(chǎng)力和磁場(chǎng)力的綜合作用在腔室內(nèi)做螺旋運(yùn)動(dòng)。同時(shí)獲的能量而和工藝氣體以及濺射出的靶材原子進(jìn)行能量交換,使氣體及靶材原子離子化,dada提高氣體等離子體密度,從而提高了濺射速率(可提高10—20倍)和濺射均勻性。 河北立式真空鍍膜設(shè)備
成都國(guó)泰真空設(shè)備有限公司位于成都海峽兩岸科技產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)園科林西路618號(hào),是一家專業(yè)的一般項(xiàng)目:泵及真空設(shè)備制造‘泵及真空設(shè)備銷(xiāo)售;機(jī)械設(shè)備銷(xiāo)售;機(jī)械零件、零部件銷(xiāo)售;光學(xué)儀器銷(xiāo)售;光學(xué)玻璃銷(xiāo)售;功能玻璃和新型光學(xué)材料銷(xiāo)售;電子元器件批發(fā);技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣。公司。在國(guó)泰真空近多年發(fā)展歷史,公司旗下現(xiàn)有品牌錦成國(guó)泰等。公司不僅僅提供專業(yè)的一般項(xiàng)目:泵及真空設(shè)備制造‘泵及真空設(shè)備銷(xiāo)售;機(jī)械設(shè)備銷(xiāo)售;機(jī)械零件、零部件銷(xiāo)售;光學(xué)儀器銷(xiāo)售;光學(xué)玻璃銷(xiāo)售;功能玻璃和新型光學(xué)材料銷(xiāo)售;電子元器件批發(fā);技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣。,同時(shí)還建立了完善的售后服務(wù)體系,為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。自公司成立以來(lái),一直秉承“以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展”的經(jīng)營(yíng)理念,始終堅(jiān)持以客戶的需求和滿意為重點(diǎn),為客戶提供良好的光學(xué)鍍膜設(shè)備,真空鍍膜設(shè)備,光學(xué)真空鍍膜機(jī),紅外鍍膜設(shè)備,從而使公司不斷發(fā)展壯大。