【真空鍍膜改善薄膜應(yīng)力】： 1. 鍍后烘烤，Zui后一層膜鍍完后，烘烤不要馬上停止，延續(xù)10分鐘“回火”。讓膜層結(jié)構(gòu)趨于穩(wěn)定。 2. 降溫時間適當(dāng)延長，退火時效。減少由于真空室內(nèi)外溫差過大帶來的熱應(yīng)力。 3. 對高反膜、濾光膜等在蒸鍍過程中，基片溫度不宜過高，高溫易產(chǎn)生熱應(yīng)力。并且對氧化鈦、氧化鉭等膜料的光學(xué)穩(wěn)定性有負(fù)面影響。 4. 鍍膜過程離子輔助，減少應(yīng)力。 5. 選擇合適的膜系匹配，第yi層膜料與基片匹配。 6. 適當(dāng)減小蒸發(fā)速率。 7. 對氧化物膜料全部充氧反應(yīng)鍍，根據(jù)不同膜料控制氧進(jìn)氣量。 真空鍍膜設(shè)備相關(guān)資料。山東真空鍍膜設(shè)備有多貴

【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應(yīng)用于許多方面，特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理等領(lǐng)域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀(jì)40年代濺射技術(shù)作為一種沉積鍍膜方法開始得到應(yīng)用和發(fā)展。60年代后隨著半導(dǎo)體工業(yè)的迅速崛起,這種技術(shù)在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應(yīng)用。磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域得到極大地擴(kuò)展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運動，在運動過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點】： 優(yōu)點：工藝重復(fù)性好，薄膜純度高，膜厚均勻，附著力好。 缺點：設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，靶材利用率低。 海南豫榮真空鍍膜設(shè)備廠成都國泰真空鍍膜設(shè)備怎么樣？

【真空鍍膜改善基片與膜的結(jié)合】： 1. 加強(qiáng)去油去污處理，如是超聲波清洗，重點考慮去油，若是手擦，考慮先用碳酸鈣粉擦再清擦； 2. 加強(qiáng)鍍前烘烤； 3. 有條件時，機(jī)組安裝冷凝及（POLYCOLD）； 4. 提高真空度； 5. 有條件時，機(jī)組安裝離子源； 6. 膜料的去潮； 7. 保持工作環(huán)境的干燥； 8. 對于多層膜，在膜系設(shè)計時，就要考慮第yi層膜與基片的匹配； 9. 采取研磨液復(fù)新去除鏡片表面的腐蝕層； 10. 有時候適當(dāng)降低蒸發(fā)速率對膜強(qiáng)度的提高有幫助，對提高膜表面光滑度有積極意義。

【光學(xué)薄膜理論基礎(chǔ)】： 光學(xué)薄膜基本上是借由干涉作用而達(dá)到效果的。是在光學(xué)元件上或獨li的基板上鍍一層或多層的介電質(zhì)膜或金屬膜或介電質(zhì)膜或介電質(zhì)膜與金屬膜組成的膜堆來改變廣播傳到的特性。因此波在薄膜中行進(jìn)才會發(fā)生投射、反射、吸收、散射、相位偏移等變化。 光波經(jīng)過薄膜后在光譜上會起變化，因此這些變化會使得光學(xué)薄膜至少具有下列功能： &反射的提高或穿透的降低 &反射的降低或穿透的提高 &雙色、偏極光的分光作用 &光譜帶通或戒指等濾光作用 &輻射器之光通量調(diào)整 &光電資訊的儲存及輸入真空鍍膜設(shè)備廠家前幾。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜外自霧】： 現(xiàn)象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕。 可能成因有： 1. 膜結(jié)構(gòu)問題，外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散，外層膜太粗糙 2. 蒸發(fā)角過大，膜結(jié)構(gòu)粗糙 3. 溫差：鏡片出罩時內(nèi)外溫差過大 4. 潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣 5. 真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時水汽過重 6. 蒸鍍中充氧不完全，膜結(jié)構(gòu)不均勻。 7. 膜與膜之間的應(yīng)力 改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對象。 改善對策： 1. 改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。 2. 降低出罩時的鏡片溫度 3. 改善充氧（加大），改善膜結(jié)構(gòu) 4. 適當(dāng)降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結(jié)構(gòu) 5. 離子輔助鍍膜，改善膜結(jié)構(gòu) 6. 加上Polycold解凍時的小充氣閥 7. 從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角 8. 改善基片表面粗糙度 9. 注意Polycold解凍時的真空度。 國產(chǎn)真空鍍膜設(shè)備哪家好？陜西真空鍍膜設(shè)備有什么用

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【光譜分光不良的補救（補色）之其他情況】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續(xù)努力補救。后續(xù)方法正確，補救成功率比較高。 中斷的原因形式之其他情況： 對于用錯程序，錯誤操作（預(yù)熔未關(guān)閉擋板等）人為中斷需要補救的；以及反光膜、濾光膜鍍后需要補救的情況處理方案： 模擬：將實測分光數(shù)據(jù)輸入計算機(jī)膜系設(shè)計程序的優(yōu)化目標(biāo)值。通過計算機(jī)模擬（一般是Zui后一層的膜厚確認(rèn)），找到與實現(xiàn)測試值結(jié)果相應(yīng)的膜系數(shù)據(jù)。 優(yōu)化：根據(jù)模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，輸入產(chǎn)品要求的優(yōu)化目標(biāo)值，通過加層、優(yōu)化后續(xù)膜層的方法，重新優(yōu)化設(shè)計一個補救膜系。 試鍍：確認(rèn)、完善補救膜系效果 補救鍍：完成補救工作 山東真空鍍膜設(shè)備有多貴

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