【離子鍍膜法之活性反應(yīng)蒸鍍法】： 活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE):利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣、乙炔等反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁( AL2O3)、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品、電子器件、裝飾品。 【離子鍍膜法之空心陰極離子鍍(HCD)】： 空心陰極離子鍍(HCD):利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質(zhì)膜、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層、機械制品。 真空鍍膜設(shè)備操作視頻。天津真空鍍膜設(shè)備哪家優(yōu)惠

【真空鍍膜真空的基本概念】： 真空的劃分： 粗真空 760Torr~10E&3Torr 高真空 10E&4Torr~10E&8Torr 超高真空 10E&9~10E&12 Torr 極高真空 <10E&12Torr 流導(dǎo)（導(dǎo)通量）：表示真空管道通過氣體的能力，單位為升/秒（L/S）。一般情況下，管道越短，直徑越大，表面越光滑，越直的管道流導(dǎo)也越大。 流量：單位時間內(nèi)流過任意截面的氣體量，單位為Torr·L/s或Pa·L/s。 抽氣速率：在一定的壓強和溫度下，單位時間內(nèi)由泵進氣口處抽走的氣體稱為抽氣速率，簡稱抽速。單位一般為L/S或m3/hr或CFM。 極限真空：真空容器經(jīng)充分抽氣后，穩(wěn)定在某一真空度，此真空度稱為極限真空。廣西回收真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜設(shè)備品牌有很多，你如何選擇？

【離子鍍膜法之射頻離子鍍】： 射頻離子鍍(RFIP):利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應(yīng)氣體氧氣、氮氣、乙炔等離化。這種方法的特點是：基板溫升小，不純氣體少，成膜好，適合鍍化合物膜，但匹配較困難?？蓱?yīng)用于鍍光學(xué)器件、半導(dǎo)體器件、裝飾品、汽車零件等。射頻離子鍍膜設(shè)備對周遭環(huán)境沒有不利影響，符合現(xiàn)代綠色制造的工業(yè)發(fā)展方向。目前，該類型設(shè)備已經(jīng)guang泛用在硬質(zhì)合金立銑刀、可轉(zhuǎn)位銑刀、焊接工具、階梯鉆、鉆頭、鉸刀、油孔鉆、車刀、異型刀具、絲錐等工具的鍍膜處理上。 此外，離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍，感應(yīng)離子加熱鍍，集團離子束鍍和多弧離子鍍等多種方法。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜料點】： 膜料點不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個常見問題，在日企、臺企把膜料點稱為“斑孔”。顧名思義，膜料點就是蒸鍍中，大顆粒膜料點隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點狀的突起，有時是個別點，嚴重時時成片的細點，大顆粒點甚至打傷基片表面。 改善對策： 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時，防止坩堝轉(zhuǎn)動中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去潮，將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。 真空鍍膜設(shè)備日常怎么維護？

【真空鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜原理】: 真空蒸發(fā)法的原理是：在真空條件下，用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料，使之蒸發(fā)或升華進入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜；由于環(huán)境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù)，其特點是：設(shè)備相對簡單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實現(xiàn)連續(xù)化，應(yīng)用相當(dāng)guang泛。按蒸發(fā)源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等。 國產(chǎn)真空鍍膜設(shè)備哪家好？山西真空鍍膜設(shè)備有毒

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【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備 【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素： ①等離子體中離子動能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì); 4)入射角度的影響因素 ①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。 【濺射率】： 定義：每單位時間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個數(shù)。 濺射率的影響因素：①離子動能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計學(xué))=d/t。 注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度之間，因此在腔室內(nèi)所有區(qū)域都可能被鍍上一層膜，久之會產(chǎn)生污染。所以真空濺射腔室內(nèi)必須進行定期清潔。 天津真空鍍膜設(shè)備哪家優(yōu)惠

成都國泰真空設(shè)備有限公司致力于機械及行業(yè)設(shè)備，是一家生產(chǎn)型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋光學(xué)鍍膜設(shè)備，真空鍍膜設(shè)備，光學(xué)真空鍍膜機，紅外鍍膜設(shè)備等，價格合理，品質(zhì)有保證。公司從事機械及行業(yè)設(shè)備多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計、強大的技術(shù)，還有一批獨立的專業(yè)化的隊伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。在社會各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造高品質(zhì)服務(wù)體驗，為客戶成功提供堅實有力的支持。