【真空鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜原理】: 真空蒸發(fā)法的原理是：在真空條件下，用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料，使之蒸發(fā)或升華進(jìn)入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜；由于環(huán)境是真空，因此，無(wú)論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù)，其特點(diǎn)是：設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過(guò)程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化，應(yīng)用相當(dāng)guang泛。按蒸發(fā)源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等。 真空鍍膜設(shè)備機(jī)組介紹。重慶真空鍍膜設(shè)備組成

【真空蒸鍍的歷史】：1857年Michael FaradayZui早提出基本原理，而后、1930年代由于油擴(kuò)散式真空泵實(shí)用化、蒸鍍主要用于制作鏡片防反射膜。第二次世界大戰(zhàn)時(shí)，其他的光學(xué)機(jī)器對(duì)材料的需求提高，真空蒸鍍也因此快速發(fā)展。 【真空蒸鍍的原理】：在真空狀態(tài)下，加熱蒸發(fā)容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉積在目標(biāo)物體表面，形成固態(tài)薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為:抵抗加熱、電子束、高周波 誘導(dǎo)、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產(chǎn)生光學(xué)特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2 等氧化物與氟化物。蒸鍍除金屬外，樹(shù)脂與玻璃也可以使用、近年來(lái)連紙也變成可蒸鍍。 【蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)缺點(diǎn)】： 優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備簡(jiǎn)單、容易操作；成膜的速率快，效率高。 缺點(diǎn)：薄膜的厚度均勻性不易控制，蒸發(fā)容器有污染的隱患，工藝重復(fù)性不好，附著力不高。 河北真空鍍膜設(shè)備廠真空鍍膜設(shè)備故障解決方法？

【真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看，物理qi相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因而被guang泛應(yīng)用，這是因?yàn)椋?1、反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應(yīng)磁控濺射沉積過(guò)程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高，而且成膜過(guò)程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱，因此對(duì)基板材料的限制較少。 4、反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬(wàn)平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來(lái) 了一些問(wèn)題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過(guò)程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。

【真空鍍膜電阻加熱蒸發(fā)法】： 電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓電流通過(guò)，對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠，可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是：加熱所能達(dá)到的Zui高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來(lái)，為了提高加熱器的壽命，國(guó)內(nèi)外已采用壽命較長(zhǎng)的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。 錦成國(guó)泰真空鍍膜設(shè)備怎么樣？

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之單片膜色不均勻】： 原因：主要是由于基片凹凸嚴(yán)重，與傘片曲率差異較大，基片上部、或下部法線與蒸發(fā)源構(gòu)成的蒸發(fā)角差異較大。造成一片鏡片上各部位接受膜料的條件差異大，形成的膜厚差異大。另外鏡片被鏡圈（碟片）邊緣部遮擋、鏡圈（碟片）臟在蒸鍍時(shí)污染鏡片等也會(huì)造成膜色差異問(wèn)題。 改善對(duì)策：改善鏡片邊緣的蒸發(fā)角 1. 條件許可，用行星夾具 2. 選用傘片平坦（R大）的機(jī)臺(tái) 3. 根據(jù)傘片孔位分布，基片形狀，制作專門的鋸齒形修正板。 4. 如果有可能，把蒸發(fā)源往真空室中間移動(dòng)，也可改善單片的膜色均勻性。 5. 改善鏡圈（碟片），防止遮擋。 6. 注意旋轉(zhuǎn)傘架的相應(yīng)部位對(duì)邊緣鏡片的部分遮擋 7. 清潔鏡圈（碟片） 8. 改善膜料蒸發(fā)狀況。離子真空鍍膜設(shè)備是什么？安徽真空鍍膜設(shè)備采購(gòu)計(jì)劃

真空鍍膜設(shè)備廠家有哪些？重慶真空鍍膜設(shè)備組成

【濺射的四要素】：①靶材物質(zhì)，②電磁場(chǎng)，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設(shè)備 【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時(shí)，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素： ①等離子體中離子動(dòng)能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質(zhì); 4)入射角度的影響因素 ①由電場(chǎng)決定,②靶材表面于入射源的相對(duì)角度。 【濺射率】： 定義：每單位時(shí)間內(nèi)靶材物質(zhì)所釋放出的原子個(gè)數(shù)。 濺射率的影響因素：①離子動(dòng)能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統(tǒng)計(jì)學(xué)公式：Rs(統(tǒng)計(jì)學(xué))=d/t。 注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度之間，因此在腔室內(nèi)所有區(qū)域都可能被鍍上一層膜，久之會(huì)產(chǎn)生污染。所以真空濺射腔室內(nèi)必須進(jìn)行定期清潔。 重慶真空鍍膜設(shè)備組成

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