【光譜分光不良的補救（補色）之其他情況】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續(xù)努力補救。后續(xù)方法正確，補救成功率比較高。 中斷的原因形式之其他情況： 對于用錯程序，錯誤操作（預熔未關閉擋板等）人為中斷需要補救的；以及反光膜、濾光膜鍍后需要補救的情況處理方案： 模擬：將實測分光數(shù)據(jù)輸入計算機膜系設計程序的優(yōu)化目標值。通過計算機模擬（一般是Zui后一層的膜厚確認），找到與實現(xiàn)測試值結果相應的膜系數(shù)據(jù)。 優(yōu)化：根據(jù)模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，輸入產(chǎn)品要求的優(yōu)化目標值，通過加層、優(yōu)化后續(xù)膜層的方法，重新優(yōu)化設計一個補救膜系。 試鍍：確認、完善補救膜系效果 補救鍍：完成補救工作 真空鍍膜設備的工作原理和構成。上海真空鍍膜設備cvd

【光譜分光不良的補救（補色）之機器故障和人為中斷】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續(xù)努力補救。后續(xù)方法正確，補救成功率比較高。 中斷的原因形式之機器故障和人為中斷： 模擬：根據(jù)已經(jīng)實鍍的鏡片（測試比較片）實測分光數(shù)據(jù)輸入計算機膜系設計程序的優(yōu)化目標值，再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入，采用倒推法逐層優(yōu)化，模擬出實際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 *測試比較片是指隨鏡片一起鍍制（在傘片上、與鏡片同折射率），用于測試鍍后分光曲線的平片。 優(yōu)化：再鎖定通過模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，通過后續(xù)層膜厚優(yōu)化找到實現(xiàn)目標的Zui佳方案。 試鍍：根據(jù)新優(yōu)化的后續(xù)膜層數(shù)據(jù)，試鍍若干鏡片或測試片，確認補色膜系的可行性。 補色鍍：對試鍍情況確認后實施補色鍍。補色鍍前，確認基片是否潔凈，防止產(chǎn)生其他不良。 新疆匯成真空鍍膜設備真空鍍膜設備抽真空步驟。

【真空鍍膜改善基片與膜的結合】： 1. 加強去油去污處理，如是超聲波清洗，重點考慮去油，若是手擦，考慮先用碳酸鈣粉擦再清擦； 2. 加強鍍前烘烤； 3. 有條件時，機組安裝冷凝及（POLYCOLD）； 4. 提高真空度； 5. 有條件時，機組安裝離子源； 6. 膜料的去潮； 7. 保持工作環(huán)境的干燥； 8. 對于多層膜，在膜系設計時，就要考慮第yi層膜與基片的匹配； 9. 采取研磨液復新去除鏡片表面的腐蝕層； 10. 有時候適當降低蒸發(fā)速率對膜強度的提高有幫助，對提高膜表面光滑度有積極意義。

【離子鍍的歷史】： 真空離子鍍膜技術是近幾十年才發(fā)展起來的一種新的鍍膜技術。在離子鍍技術興起的40多年來取得了巨大的進步，我國也有將近30多年的離子鍍研究進程。 【離子鍍的原理】： 蒸發(fā)物質的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽極，工件接陰極，當通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于 真空罩內充有惰性氬氣，在放電電場作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表 面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源交流電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)，進入輝光放電區(qū)并 被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子一同沖向工件，當拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時，則逐漸堆積形成一層牢固粘 附于工件表面的鍍層。 【離子鍍的優(yōu)缺點】： 優(yōu)點：膜層附著力好，膜層致密，具有繞度性能，能在形狀復雜的零件表面鍍膜。 缺點：離子鍍的應用范圍不廣；膜與基體間存在較寬的過渡界面。會有氣體分子吸附。真空鍍膜設備常見故障及解決方法。

【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應用于許多方面，特別是在微電子、光學薄膜和材料表面處理等領域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀40年代濺射技術作為一種沉積鍍膜方法開始得到應用和發(fā)展。60年代后隨著半導體工業(yè)的迅速崛起,這種技術在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應用。磁控濺射技術出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術應用領域得到極大地擴展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運動，在運動過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點】： 優(yōu)點：工藝重復性好，薄膜純度高，膜厚均勻，附著力好。 缺點：設備結構復雜，靶材利用率低。 真空鍍膜設備品牌排行。新疆匯成真空鍍膜設備

離子真空鍍膜設備是什么？上海真空鍍膜設備cvd

【濺射鍍膜定義】： 定義：所謂濺射，就是這充滿腔室的工藝氣體在高電壓的作用下，形成氣體等離子體（輝光放電），其中的陽離子在電場力作用下高速向靶材沖擊，陽離子和靶材進行能量交換，使靶材原子獲得足夠的能量從靶材表面逸出（其中逸出的還可能包含靶材離子）。這一整個的動力學過程，就叫做濺射。入射離子轟擊靶面時，將其部分能量傳輸給表層晶格原子，引起靶材中原子的運動。有的原子獲得能量后從晶格處移位，并克服了表面勢壘直接發(fā)生濺射；有的不能脫離晶格的束縛，只能在原位做振動并波及周圍原子，結果使靶的溫度升高；而有的原子獲得足夠大的能量后產(chǎn)生一次反沖，將其臨近的原子碰撞移位，反沖繼續(xù)下去產(chǎn)生高次反沖，這一過程稱為級聯(lián)碰撞。級聯(lián)碰撞的結果是部分原子達到表面，克服勢壘逸出，這就形成了級聯(lián)濺射，這就是濺射機理。當級聯(lián)碰撞范圍內反沖原子密度不高時，動態(tài)反沖原子彼此間的碰撞可以忽略，這就是線性級聯(lián)碰撞。上海真空鍍膜設備cvd

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