【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之破邊、炸裂】： 一般的鍍膜會(huì)對(duì)基片加熱，由于基片是裝架在金屬圈、碟內(nèi)，由于鏡圈或碟片與鏡片（基片）的熱膨脹系數(shù)不一致，冷卻過(guò)程中會(huì)造成鏡片的破便或炸裂。 有些大鏡片，由于出罩時(shí)的溫度較高，與室溫的溫差較大，鏡片的熱應(yīng)力作用造成鏡片炸裂或破邊。有些零件邊緣倒邊的形狀容易造成卡圈而破邊。 改善對(duì)策： 1. 夾具（鏡圈、碟片）的設(shè)計(jì)，在尺寸配合上要合理，充分考慮制造誤差帶來(lái)的影響。 2. 注意鏡圈、碟片的變形，已經(jīng)變形的夾具不能使用。 3. 選用合適的夾具才來(lái)哦（非導(dǎo)磁材料、不生銹、耐高溫不變性），不銹鋼較為理想（熱變形系數(shù)?。?，就是加工難度大，價(jià)格貴。 4. 對(duì)于大鏡片應(yīng)降低出罩時(shí)的溫度，減少溫差，防止炸裂。 5. 如果時(shí)鏡圈，可以考慮在鏡圈上開(kāi)槽，作為緩沖。 真空鍍膜設(shè)備的工作原理。北京pvd真空鍍膜設(shè)備排名

【真空鍍膜二極濺射與磁控濺射對(duì)比】： 靶材利用率（TU）：是指發(fā)生濺射的靶材質(zhì)量占原靶材質(zhì)量的比率。 公式表示：靶材利用率={原靶材質(zhì)量（Kg）—濺射后靶材質(zhì)量}/原靶材質(zhì)量 注：①：磁控濺射靶材利用率稍低，電壓要求低，電流會(huì)高，濺射率提高，增加生產(chǎn)效率，降低成本。 ②：靶材使用壽命結(jié)素之前必須及時(shí)更換新靶材，防止靶材周圍物質(zhì)發(fā)生濺射（金屬箔片、連接片、陰極） 兩種濺射技術(shù)的區(qū)別： ①：靶材利用率不同 ②：濺射腔室和陰極設(shè)計(jì)要求不同 ③：放電電流和放電電壓不同 ④：濺射率不同：磁控濺射有更短的沉積時(shí)間，更高的沉積量和更短沉積周期。天津磁控濺射真空鍍膜設(shè)備廠家離子真空鍍膜設(shè)備是什么？

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之劃痕（膜傷）】： 劃痕是指膜面內(nèi)外有道子，膜內(nèi)的稱劃痕，膜外的稱膜傷。這也是鍍膜品質(zhì)改善中的一個(gè)頑癥，雖然很清楚產(chǎn)生的原因和改善方法，但難以**。 產(chǎn)生原因： 膜內(nèi)劃痕： 1. 前工程外觀不良?xì)埩簟?2. 各操作過(guò)程中的作業(yè)過(guò)水造成鏡片劃痕 3. 鏡片擺放太密，搬運(yùn)過(guò)程中造成互相磕碰 4. 鏡片的擺放器具、包裝材料造成鏡片表面擦傷 5. 超聲波清洗造成的傷痕 膜外傷痕(膜傷)： 1. 鏡片的擺放器具、包裝材料造成的膜傷。 2. 鍍后超聲波清洗造成的膜傷。 3. 各作業(yè)過(guò)程作業(yè)過(guò)失造成的膜傷。 改善對(duì)策： 1. 強(qiáng)化作業(yè)員作業(yè)規(guī)范 2. 訂立作業(yè)過(guò)失清單，監(jiān)督作業(yè)員避免作業(yè)過(guò)失 3. 改善鏡片擺放間隔 4. 改善鏡片搬運(yùn)方法 5. 改善擺放器具、包裝材料 6. 改善超聲波清洗工藝參數(shù) 7. 加強(qiáng)前工程檢驗(yàn)和鍍前檢查

【真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看，物理qi相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因而被guang泛應(yīng)用，這是因?yàn)椋?1、反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應(yīng)磁控濺射沉積過(guò)程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高，而且成膜過(guò)程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱，因此對(duì)基板材料的限制較少。 4、反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬(wàn)平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來(lái) 了一些問(wèn)題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過(guò)程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。 真空鍍膜設(shè)備的應(yīng)用。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】： 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題，在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱為“斑孔”。顧名思義，膜料點(diǎn)就是蒸鍍中，大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起，有時(shí)是個(gè)別點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn)，大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策： 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí)，防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去潮，將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。 真空鍍膜設(shè)備為什么會(huì)越來(lái)越慢？陜西真空鍍膜設(shè)備有限公司

真空鍍膜設(shè)備抽真空步驟。北京pvd真空鍍膜設(shè)備排名

【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之停電】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測(cè)試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對(duì)于高反膜、帶通濾光膜等可以通過(guò)加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過(guò)后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之停電： 對(duì)于停電這種情況，比較好處理，只要確認(rèn)前面鍍的沒(méi)錯(cuò)，程序沒(méi)有用錯(cuò)，就可以繼續(xù)原來(lái)的程序，要注意的是：如果某一層鍍了一部分繼續(xù)鍍下去時(shí)，交接處要減少一些膜厚（根據(jù)膜料、蒸發(fā)速率決定減少多少，一般時(shí)0.2~1nm左右），如果該層剩下的膜厚不足15~20秒蒸鍍時(shí)，要考慮降低蒸發(fā)速率或干脆不讀，通過(guò)后續(xù)層調(diào)整膜厚解決。 北京pvd真空鍍膜設(shè)備排名

成都國(guó)泰真空設(shè)備有限公司致力于機(jī)械及行業(yè)設(shè)備，是一家生產(chǎn)型的公司。公司自成立以來(lái)，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié)，公司旗下光學(xué)鍍膜設(shè)備，真空鍍膜設(shè)備，光學(xué)真空鍍膜機(jī)，紅外鍍膜設(shè)備深受客戶的喜愛(ài)。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念，秉持誠(chéng)信為本的理念，打造機(jī)械及行業(yè)設(shè)備良好品牌。國(guó)泰真空秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念，全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。