【真空鍍膜機(jī)常見故障】: 一、 當(dāng)正在鍍膜室真空突然下降 1. 蒸發(fā)源水路膠圈損壞（更換膠圈） 2. 坩堝被打穿（更換坩堝） 3. 高壓電極密封處被擊穿（更換膠圈） 4. 工轉(zhuǎn)動密封處膠圈損壞（更換膠圈） 5. 預(yù)閥突然關(guān)閉可能是二位五通閥損壞（更換二位五通閥） 6. 高閥突然關(guān)閉可能是二位五通閥損壞（更換二位五通閥） 7. 機(jī)械泵停機(jī)可能是繼電器斷開（檢查繼電器是否工作正常） 8. 烘烤引入線電極密封處被擊穿（更換膠圈） 9. 擋板動密封處膠圈損壞（更換膠圈） 10. 玻璃觀察視鏡出現(xiàn)裂紋、炸裂（更換玻璃） 二、長期工作的鍍膜機(jī)抽真空的時(shí)間很長且達(dá)不到工作真空、恢復(fù)真空、極限真空、保真空： 1. 蒸發(fā)室有很多粉塵（應(yīng)清洗） 2. 擴(kuò)散泵很久未換油（應(yīng)清洗換油） 3. 前級泵反壓強(qiáng)大太機(jī)械泵真空度太低（應(yīng)清洗換油） 4. 各動密封膠圈損壞（更換膠圈） 5. 由于蒸發(fā)室長期溫度過高使其各密封膠圈老化（更換膠圈） 6. 蒸發(fā)室各引入水路密封處是否有膠圈損壞（更換膠圈） 7. 各引入座螺釘、螺母有無松動現(xiàn)象（重新壓緊） 8. 高低預(yù)閥是否密封可靠（注油） 光學(xué)真空鍍膜設(shè)備制造商。江西真空鍍膜設(shè)備有什么用

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜外自霧】： 現(xiàn)象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會有越擦越嚴(yán)重的現(xiàn)象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕。 可能成因有： 1. 膜結(jié)構(gòu)問題，外層膜的柱狀結(jié)構(gòu)松散，外層膜太粗糙 2. 蒸發(fā)角過大，膜結(jié)構(gòu)粗糙 3. 溫差：鏡片出罩時(shí)內(nèi)外溫差過大 4. 潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣 5. 真空室內(nèi)POLYCOLD解凍時(shí)水汽過重 6. 蒸鍍中充氧不完全，膜結(jié)構(gòu)不均勻。 7. 膜與膜之間的應(yīng)力 改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對象。 改善對策： 1. 改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。 2. 降低出罩時(shí)的鏡片溫度 3. 改善充氧（加大），改善膜結(jié)構(gòu) 4. 適當(dāng)降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結(jié)構(gòu) 5. 離子輔助鍍膜，改善膜結(jié)構(gòu) 6. 加上Polycold解凍時(shí)的小充氣閥 7. 從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角 8. 改善基片表面粗糙度 9. 注意Polycold解凍時(shí)的真空度。 四川真空鍍膜設(shè)備的玻璃架圖片真空鍍膜設(shè)備品牌推薦。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之單片膜色不均勻】： 原因：主要是由于基片凹凸嚴(yán)重，與傘片曲率差異較大，基片上部、或下部法線與蒸發(fā)源構(gòu)成的蒸發(fā)角差異較大。造成一片鏡片上各部位接受膜料的條件差異大，形成的膜厚差異大。另外鏡片被鏡圈（碟片）邊緣部遮擋、鏡圈（碟片）臟在蒸鍍時(shí)污染鏡片等也會造成膜色差異問題。 改善對策：改善鏡片邊緣的蒸發(fā)角 1. 條件許可，用行星夾具 2. 選用傘片平坦（R大）的機(jī)臺 3. 根據(jù)傘片孔位分布，基片形狀，制作專門的鋸齒形修正板。 4. 如果有可能，把蒸發(fā)源往真空室中間移動，也可改善單片的膜色均勻性。 5. 改善鏡圈（碟片），防止遮擋。 6. 注意旋轉(zhuǎn)傘架的相應(yīng)部位對邊緣鏡片的部分遮擋 7. 清潔鏡圈（碟片） 8. 改善膜料蒸發(fā)狀況。

【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應(yīng)用于許多方面，特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理等領(lǐng)域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀(jì)40年代濺射技術(shù)作為一種沉積鍍膜方法開始得到應(yīng)用和發(fā)展。60年代后隨著半導(dǎo)體工業(yè)的迅速崛起,這種技術(shù)在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應(yīng)用。磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域得到極大地?cái)U(kuò)展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運(yùn)動，在運(yùn)動過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點(diǎn)】： 優(yōu)點(diǎn)：工藝重復(fù)性好，薄膜純度高，膜厚均勻，附著力好。 缺點(diǎn)：設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，靶材利用率低。 真空鍍膜設(shè)備怎么保養(yǎng)？

【真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來看，物理qi相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢，因而被guang泛應(yīng)用，這是因?yàn)椋?1、反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進(jìn)行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。 4、反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來 了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。 真空鍍膜設(shè)備真空四個(gè)階段。湖北豫榮真空鍍膜設(shè)備廠

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【光譜分光不良的補(bǔ)救（補(bǔ)色）之其他情況】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經(jīng)測試分光不良，此類不良主要按六節(jié)所述方法處理，一般減反膜難以補(bǔ)救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷（包括發(fā)現(xiàn)錯誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確，補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之其他情況： 對于用錯程序，錯誤操作（預(yù)熔未關(guān)閉擋板等）人為中斷需要補(bǔ)救的；以及反光膜、濾光膜鍍后需要補(bǔ)救的情況處理方案： 模擬：將實(shí)測分光數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)膜系設(shè)計(jì)程序的優(yōu)化目標(biāo)值。通過計(jì)算機(jī)模擬（一般是Zui后一層的膜厚確認(rèn)），找到與實(shí)現(xiàn)測試值結(jié)果相應(yīng)的膜系數(shù)據(jù)。 優(yōu)化：根據(jù)模擬得到的膜系數(shù)據(jù)，輸入產(chǎn)品要求的優(yōu)化目標(biāo)值，通過加層、優(yōu)化后續(xù)膜層的方法，重新優(yōu)化設(shè)計(jì)一個(gè)補(bǔ)救膜系。 試鍍：確認(rèn)、完善補(bǔ)救膜系效果 補(bǔ)救鍍：完成補(bǔ)救工作 江西真空鍍膜設(shè)備有什么用

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